「ガリウム」に関連した英語例文の一覧と使い方(47ページ目) - Weblio英語例文検索

導電性基体上に配設される感光層と、感光層上に配設され、ガリウム（Ｇａ）と酸素（Ｏ）と水素（Ｈ）とを９０原子％以上含んで構成されると共に膜の原子数密度が７．９×１０^２２ｃｍ^−３以上である表面層と、を備える電子写真感光体、該電子写真感光体を備えたプロセスカートリッジ、及び該電子写真感光体を備えた画像形成装置。例文帳に追加

The process cartridge includes the electrophotographic photoreceptor, and the image forming apparatus includes the electrophotographic photoreceptor. - 特許庁

ｐ型半導体層に接するコンタクトメタル層、ボンディングパッドおよび該コンタクトメタル層上の一部に設けられ、その導電率がコンタクトメタル層以上の値である電流拡散層からなることを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体発光素子用透光性正極。例文帳に追加

This deals with a translucent positive electrode for a compound semiconductor light-emitting element of a gallium nitride series that is composed of a contact metal layer contacting a p-type semiconductor layer, and an electric current diffusion layer provided with a bonding pad and a part of the contact metal layer whose electric conductivity is equal to or larger than that of the contact metal layer. - 特許庁

窒化ガリウム系化合物半導体発光素子用の透光性電極であって、ｐ型半導体層上にオーミック接触により形成されたコンタクトメタル層と、該コンタクトメタル層上に形成され、コンタクトメタルよりも電極平面での単位距離あたりの抵抗値が低い電流拡散層と、該電流拡散層上に形成されたボンディングパッドと、からなる透光性電極。例文帳に追加

The transparent electrode for the gallium nitride-based compound semiconductor light-emitting device comprises: a contact metal layer formed on a p-type semiconductor layer by the ohmic contact; a current diffusion layer which is formed on the contact metal layer and has a lower resistance value per unit distance on an electrode plane than a contact metal; and the bonding pad formed on the current diffusion layer. - 特許庁

第１の半導体層及び第２の半導体層は窒化ガリウム系化合物半導体層より構成され、第２の半導体層にゲート電極３６が形成され、第１の半導体層に第２の電極３９が形成され、ゲート電極３６及び第２の電極３９で第１の半導体層及び第２の半導体層を挟むよう構成している。例文帳に追加

The first and the second semiconductor layers are configured by nitride gallium compound semiconductor layers, a gate electrode 36 is formed on the second semiconductor layer, a second electrode 39 is formed on the first semiconductor layer, and the gate electrode 36 and second electrode 39 are configured to sandwich the first and the second semiconductor layers. - 特許庁

この目的を達成するため、アルミニウム、ガリウム及びインジウムから選択される１種又は２種以上の成分を酸化物換算で０．１ｗｔ％〜２０．０ｗｔ％ドーピングして導電性を付与した、平均１次粒子径が３ｎｍ〜４０ｎｍの導電性無機酸化物粉を成形して焼結したスパッタリングターゲットとする。例文帳に追加

The sputtering target is obtained by molding and sintering a conductive inorganic oxide powder having an average primary particle diameter of 3-40 nm, which is provided with conductivity by being doped with one or more components selected from aluminum, gallium and indium in an amount of 0.1-20.0 wt.% in terms of oxides. - 特許庁

一方の端子の接触部分の表面が、銀を主成分とする金属により形成されており、他方の端子の接触部分の表面が、銅ガリウム化合物を主成分とする金属により形成されており、２つの端子の嵌合部の少なくとも一方の表面に、潤滑油が塗布されているコネクタ端子。例文帳に追加

The connector terminal includes: a contact part surface of one terminal formed with a metal including silver as a main component; a contact part surface of the other terminal formed with a metal including a copper gallium compound as a main component; and at least one surface of the two terminals in a fitting part formed by application of the lubricant. - 特許庁

炭化珪素からなる半導体基板上に炭化珪素または窒化ガリウムの半導体エピタキシャル成長層を半導体層として備える半導体装置であって、小さなオン抵抗を実現するため前記半導体基板の厚さを薄くしても、半導体基板の強度を維持し、ウエハプロセスにおけるウエハ割れを少なくできる半導体装置およびその製造方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a semiconductor device having the semiconductor epitaxial growth layer of silicon carbide or nitride gallium as a semiconductor layer on a semiconductor substrate composed of the silicon carbide, capable of maintaining the strength of the semiconductor substrate even when the thickness of the semiconductor substrate is reduced in order to realize small on-state resistance and reducing wafer breaking in a wafer process, and its manufacturing method. - 特許庁

本発明は、少なくとも表層が窒化ガリウムで構成された被処理基板を、塩素ガスをプラズマ状態に励起することによりエッチングする際に、前記塩化ガスから発生されたプラズマにより、アルミニウムラジカル及び塩化アルミニウムラジカルを発生する窒化アルミニウム（AlN）を含む物質を存在させた状態でエッチングすることを特徴とするドライエッチング方法である。例文帳に追加

There is provided a method of etching a substrate to be processed whose at least surface layer is composed of gallium nitride by exciting a chlorine gas into a plasma state, including a step of etching the substrate to be processed by the plasm generated from the chlorine gas in the presence of a material containing aluminum nitride (AlN) that generates aluminum radicals and aluminum chloride radicals. - 特許庁

半導体は、チタン、スズ、亜鉛、鉄、銅、タングステン、ジルコニウム、ハフニウム、ストトンチウム、インジウム、セリウム、イットリウム、ランタン、バナジウム、ニオブ、タンタル、カドミウム、鉛、銀、アンチモン、ビスマス、モリブデン、アルミニウム、ガリウム、クロム、コバルト、ニッケルから選ばれる金属カルコゲニドを少なくとも１種含むことが好ましい。例文帳に追加

It is preferrable that the semi-conductor contains at least one type of metallic chalcogenide which is selected from Titanium, Tin, Zinc, Fe, Copper, Tungsten, Zirconium, Hafnium, Strontium, Indium, Cerium, Yttrium, Lanthium, Vanadium, Niobium, Tantalum, Cadmium, Lead, Silver, Antimony, Bismuth, Molybdenum, Aluminum, Galium, Chromium, Cobalt and Nickel. - 特許庁

高い窒素混合率のキャリアガスによる成長において、水素に比較して純度の悪い窒素キャリアガスによる有機金属化合物の汚染を低減し、高品質のＩｎ_xＧａ_yＡｌ_1-x-yＮ（０＜ｘ≦１、０≦ｙ≦１）よりなる窒化ガリウム系化合物半導体の成長を長期に渡って可能な製造方法の提供を目的とする。例文帳に追加

To provide a method for growing a high quality gallium nitride semiconductor having composition of InxGayal1-x-yN(0<x≤1, 0≤y≤1) over a long term using a carrier gas having high mixing ratio of nitrogen by reducing contamination of organic metal compound due to nitrogen gas carrier having lower purity than hydrogen. - 特許庁

そこにおいて、本発明また硫化ストロンチウムＳｒS：Pr3+、Ir発光体にマンガンMn存在下に加熱反応させたヒ化ガリウムGaAs、ＩｎＰを有する発光体を製造することにより、従来のＺｎS：Cu、Cl、発光体よりも高い発光効率を有する新規なエレクトロルミネセンス発光体粒子を精製できることをもっとも主要な特徴とする。例文帳に追加

The present invention also produces a luminescent material by heating and causing reaction of strontium sulfide SrS:Pr3+ and Ir luminescent material in the presence of manganese (Mn) and characterized in purification of produced new EL light emitting particles having gallium arsenide (GaAs) and InP with superior luminous efficiency than those of known luminescent materials, ZnS:Cu and Cl. - 特許庁

本発明による窒化ガリウム系発光素子は、基板と；上記基板上の第１領域に形成され第１ｐ側電極と第１ｎ側電極を設けるメインＧａＮ系ＬＥＤと；上記基板上の第２領域に形成され第２ｐ側電極と第２ｎ側電極を設けるＥＳＤ保護用ＧａＮ系ＬＥＤとを含む。例文帳に追加

The gallium nitride-based light emitting element includes a substrate; a main GaN-based LED formed in a first region on the substrate and having a first p side electrode and a first n side electrode; and an ESD protecting GaN-based LED formed in a second region of the substrate and having a second p side electrode and a second n side electrode. - 特許庁

マグネシウム１モルに対して、アルミニウム、ケイ素、亜鉛、ガリウム、ゲルマニウム、ヒ素、カドミウム、インジウム、スズ、アンチモン、水銀、タリウム、鉛及びビスマスからなる群より選ばれる元素を０．０００１〜０．１５モルの範囲にて含む、平均結晶子径が１〜１８ｎｍの範囲にある酸化マグネシウム結晶相が酸化マグネシウム非晶質相に分散されてなる酸化マグネシウム薄膜。例文帳に追加

The magnesium oxide thin film has magnesium crystal phases with an average crystallite diameter of 1 to 18 nm and containing elements selected from among a group comprising aluminum, silicon, zinc, gallium, germanium, arsenic, cadmium, indium, tin, antimony, mercury, thallium, lead and bismuth, in a range of 0.0001 to 0.15 mol, dispersed in a magnesium oxide amorphous phase. - 特許庁

砒化ガリウム基板Ｗｃを第１回転テーブル１２にセットして研削回転体１６の研削刃１４で裏面研削し、研削刃１４の目詰りが基板割れを招かない１５０枚を裏面研削した後に、研削回転体１６を第２回転テーブル２２へ移動させて、セットされているシリコンブロックＳを例えば10秒間程度研削する。例文帳に追加

A gallium arsenide substrate Wc is set to a first rotary table 12 for reverse side grinding by the grinding blade 14 of a grinding rotor 16, and 150 substrates where substrate cracks, which are not caused by the silting in the grinding blade 14, are subjected to reverse side grinding. - 特許庁

厚さが２ナノメートル以下で、砒素（Ａｓ）あるいは燐（Ｐ）の組成が２０％以下である、ガリウム（Ｇａ）、インジウム（Ｉｎ）、窒素（ N ）および砒素（Ａｓ）を構成元素とするＧａＩｎＮＡｓ、あるいはこの材料の砒素を燐（Ｐ）に置き換えたＧａＩｎＮＰ、を発光層とする半導体発光素子材料および構造により、波長５００〜６００ナノメートルにおける発光を得る。例文帳に追加

GaInNAs comprising gallium(Ga), indium(In), nitrogen(N), and arsenic(As) with a thickness of 2 nanometers or less, while a composition of arsenic(As) or phosphorus(P) being 20% or less, or GaInNP where the arsenic is replaced with phosphorus(P), is a light-emitting layer, providing light-emission at a wavelength of 500-600 nanometer range. - 特許庁

アルミナに銀を含有する触媒粒子(A)と、アルミナ粒子及び／又はガリウム、タングステン、インジウム、コバルト、鉄よりなる群から選ばれる少なくとも１種の金属を含有するアルミナ粒子(B)を物理的に混合した、水蒸気と過剰の酸素が存在する酸化雰囲気中で、還元剤を使用して、窒素酸化物を選択的に還元除去するための触媒。例文帳に追加

The catalyst for selectively reducing and removing nitrogen oxide by using a reducing agent in an oxygen environment containing water vapor and excessive oxygen is prepared by physically mixing: catalyst particles (A) comprising alumina which contains silver; and alumina particles and/or alumina particles (B) containing at least one kind metal selected from a group consisting of gallium, tungsten, indium, cobalt and iron. - 特許庁

本発明のシリコン系薄膜製造方法は、表面にアルミニウム、錫、亜鉛、アンチモン、インジウム、ガリウム、銀、ニッケル、テルル、及びゲルマニウムのうち少なくとも一つの金属薄膜を形成した基板を、真空槽内に設置し、加熱した当該基板の表面上に原料ガスを供給してシリコン系薄膜を形成することを特徴とする。例文帳に追加

In the method for forming a silicon based thin film, a substrate having a surface formed with at least one thin metal film of aluminum, tin, zinc, antimony, indium, gallium, silver, nickel, tellurium and germanium is placed in a vacuum chamber and material gas is supplied onto the surface of the heated substrate in order to form a silicon based thin film. - 特許庁

多様な長所を有するガリウムナイトライド（ＧａＮ）半導体素子を用いて紫外線感知素子を具現するにおいて、緩衝層を含まなくて前面照射が可能であって、さらに信頼性のある紫外線感知及び測定が可能であり、その製作工程が単純で、さらに改善された紫外線感知素子及びこれの製造方法と紫外線感知素子を含む紫外線感知システムを提供する。例文帳に追加

To provide a further improved ultraviolet sensing element whose manufacturing process is simple, capable of front surface irradiation without being provided with a buffer layer and capable of reliable ultraviolet sensing and measurement for obtaining the ultraviolet sensing element by using a gallium nitride (GaN) semiconductor element having various merits, and to provide its manufacturing method and an ultraviolet sensing system including the ultraviolet sensing element. - 特許庁

第１及び第２バッファ層４，８としては、非酸化物系の導電性材料で、酸素を含まない雰囲気中で形成され、シリコンよりも酸化し易く、且つ、酸素に晒されて酸化しても高い導電性を維持する材料、例えば、ニオブ或いはガリウムを添加した、チタン、ハフニウム、アルミニウム等が挙げられる。例文帳に追加

For the first and second buffer layers 4 and 8, a material being a non-oxide-based conductive material, formed in an atmosphere without containing oxygen, easily oxidizable compared to silicon, and keeping high conductivity even when exposed to oxygen to be oxidized, for instance, titanium, hafnium, aluminum or the like added with niobium or gallium, is used. - 特許庁

本発明による半導体発光素子は、ｎ型ＧａＮ半導体層、ｎ型ＧａＮ半導体層のガリウム表面に形成された活性層、活性層上に形成されたｐ型半導体層と共に、ｎ型ＧａＮ半導体層の窒素表面に形成されたランタン（Ｌａ）−ニッケル（Ｎｉ）合金を含むｎ型電極を含む。例文帳に追加

The semiconductor light emitting element comprises a n-type GaN semiconductor layer, an active layer formed on the gallium surface of the n-type GaN semiconductor layer, a p-type semiconductor layer formed on the active layer, and a n-type electrode containing a lanthanum (La)-nickel (Ni) alloy, formed on the nitrogen surface of the n-type GaN semiconductor layer. - 特許庁

活性層（１５）上に設けられるｐ型クラッド層９６のうち、第１のｐ型クラッド層（９６ａ）をアルミニウムとガリウムを含むｐ型窒化物半導体で形成し、第２のｐ型クラッド層（９６ｂ）を同様のｐ型窒化物半導体であるが、第１のｐ型クラッド層（９６ｂ）よりもバンドギャップの大きいもので形成する。例文帳に追加

A first p-type clad layer 96a in a p-type clad layer 96 provided on the active layer 15 comprises a p-type nitride semiconductor containing aluminum and gallium and a second p-type clad layer 96b comprises a similar p-type nitride semiconductor having a band gap larger than that of the first p-type clad layer 96a. - 特許庁

ＨＣｌ吸着剤として、スカンジウム，イットリウム，チタン，ジルコニウム，ハフニウム，バナジウム，ニオブ，タンタル，クロム，モリブデン，タングステン，アルミニウム，ガリウム，インジウム，ケイ素，ゲルマニウム，スズ及びランタノイド系列に含まれる金属群の中から選ばれた少なくとも一種以上の金属の酸化物を使用する。例文帳に追加

As the adsorbent, at least one type of metal oxide selected from a metal group consisting of a scandium, an yttrium, a titanium, a zirconium, a hafnium, a vanadium, a niobium, a tantalum, a chromium, a molybdenum, a tungsten, an aluminum, a gallium, an indium, a silicon, a germanium, a tin or metal group contained in a lanthanoid series is used. - 特許庁

化合物半導体素子の製造方法において、Ｇａ（ガリウム）またはＩｎ（インジウム）を含む化合物半導体ウエハ１またはＧａまたはＩｎを含む化合物半導体層１５にＰｔ（白金）またはＴｉ（チタン）を含む電極１７，１９を形成した後、熱処理温度を３５０℃〜４３０℃の範囲内とする熱処理を施す工程を含む手順とする。例文帳に追加

The manufacturing method of the compound semiconductor element includes a process sequence for applying heat treatment at a heat treatment temperature in the range of 350 to 430°C, after electrodes 17, 19 containing Pt (platinum) and Ti (titanium) are formed in a compound semiconductor wafer 1 that contains Ga (gallium) or In (indium) or a compound semiconductor layer 15 containing Ga or In. - 特許庁

金微粒子を含む燃料電池用負極触媒、更に、チタン、バナジウム、ガリウム、ジルコニウム、ニオブ、セリウム、タンタル、インジウム及びこれらの金属の酸化物からなる群から選ばれた少なくとも１種の成分、及び／又は白金、ルテニウム及びルテニウムの酸化物からなる群から選ばれた少なくとも一種の成分を含む燃料電池用負極触媒。例文帳に追加

This negative electrode catalyst for the fuel cell contains the negative electrode catalyst for the fuel cell containing gold fine particles; at least one component selected from the group comprising titanium, vanadium, gallium, zirconium, niobium, cerium, tantalum, indium, and the oxides of them, and/or at least one component selected from the group comprising platinum, ruthenium, and ruthenium oxides. - 特許庁

気相成長の成長表面が平面状態でなく、ファセット面が集合した三次元的な凹部のファセット構造を持つようにし、最後までファセット構造を持ったまま、成長の終了までファセット構造を埋め込まないで成長させることにより転位をファセット底部に集合させ、ファセット底部に続く線領域以外の部分の転位を低減するようにして得た単結晶窒化ガリウム。例文帳に追加

The gallium nitride crystal is obtained by performing vapor-phase deposition so that a growth surface achieves a three-dimensional facet structure having a pit with assembly of facets instead of a flat state and retains the facet structure which is not buried throughout the growth to accumulate dislocations to the bottom of the facets and reduce dislocations in parts other than a linear region continuing from the bottom of the facets. - 特許庁

．３２０ｎｍから４５０ｎｍを主波長とした沃化鉄、あるいは沃化ガリウムを添加物として封入し、有効発光長を４ｃｍ以下とし、負荷をｌｃｍ当たり３０Ｗから５０Ｗ／ｃｍとし、さらに発光管３内壁面当たり１０から２０Ｗ／ｃｍ^2 としたメタルハライドランプ１により構成した直管型の紫外線放電灯。例文帳に追加

This ultraviolet-ray discharge lamp 1 is constituted of a metal halide lamp 1 sealed with an iron iodide having a main wavelength of 320 nm-450 nm or gallium iodide as an additive, and having an effective light emission length of 4 cm or under and a load of 30 w-50 w/cm per cm and 10-20 w/cm2 per inner wall surface of an arc tube 3. - 特許庁

窒化ガリウム系化合物半導体からなる基板を用い、この基板の発光層を含む積層構造が形成されていない裏面側を主発光面側とする発光素子において、発光素子直上での配光特性を改善するとともに、発光強度を高く保持することができる新規な構造を提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide a new structure which can improve the characteristic for distributing luminous intensity of a light emitting element using the rear surface of a substrate composed of a gallium nitride compound semiconductor on which a laminated structure containing a light emitting layer is not formed as its main light emitting surface immediately above the element, and, at the same time, can maintain the luminous intensity of the element at a high level. - 特許庁

実質的にインジウム、スズ、ガリウムおよび酸素からなり、抵抗率が２５０μΩ・ｃｍ以下、かつ表面凹凸の最大高低差（Ｚ−ｍａｘ）／膜厚（ｔ）が１０％以下であることを特徴とする透明導電膜であり、Ｇａ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｇａ）の原子比が２〜９％の割合で含有されていることが好ましい。例文帳に追加

This transparent conductive film is substantially made of In, Sn, Ga, and O with resistivity of less than 250 μΩ.cm and the maximum vertical interval of surface unevenness (Z-max)/film thickness (t) of less than 10%, and it is preferable that Ga, In, and Sn are included in this film at an atomic ratio Ga/(In+Sn+Ga) of 2-9%. - 特許庁

酸化亜鉛を主成分とし、さらにアルミニウムとガリウムを含有する酸化物焼結体とその製法、スパッタリング法などで異常放電が全く発生せず、連続で長時間成膜できるターゲット、それを用いた低抵抗で高透過性の高品質な透明導電膜、高変換効率の太陽電池を提供。例文帳に追加

To provide an oxide sintered compact containing zinc oxide as a main component, aluminum, and gallium and its manufacturing method, a target capable of forming a film continuously for a long time without causing an abnormal discharge in a sputtering method or the like, a transparent electroconductive film of high quality with a low resistance and a high transparency obtained by using it, and a solar cell having a high conversion efficiency. - 特許庁

（１）チタン原子、（２）ケイ素原子、及び（３）ベリリウム、マグネシウム、カルシウム、亜鉛、ストロンチウム、バリウム、ホウ素、アルミニウム、ガリウム、マンガン、コバルト、ゲルマニウム、アンチモン及びリンからなる群より選ばれる少なくとも１種の原子、を含有するポリエステル製造用触媒及び上記ポリエステル製造用触媒を使用することを特徴とするポリエステルの製造方法。例文帳に追加

This catalyst for producing the polyester contains (1) a titanium atom, (2) a silicon atom and (3) at least 1 kind of an atom selected from beryllium, magnesium, calcium, zinc, strontium, barium, boron, aluminum, potassium, manganese, cobalt, germanium, antimony and phosphorus, and the method for producing the polyester by using the catalyst is provided. - 特許庁

第２半導体層１３における発光層１２の反対側の面上には、厚さが約１００μｍと比較的に厚く、且つ結晶欠陥密度がデバイス構造体２０を構成する各半導体層１１、１２、１３よりも大きい、ｎ型窒化ガリウムからなる第３半導体層１４が接合されて形成されている。例文帳に追加

A relatively thick third semiconductor layer 14 of n-type gallium nitride having a thickness of approximately 100 μm and a crystal defect density higher than that of each layer 11, 12, 13 constituting the device structure 20 is bonded on the side of the second semiconductor layer 13 opposite to the emission layer 12. - 特許庁

所定圧力に調整されたチャンバ１１内に設置された基板１３に対して、室温下でIII族原料ガスとしてのトリメチルガリウムガスとＶ族原料ガスとしてのアンモニアガスを１：１０００以上の流量比率で同時に供給し、更に基板１３に対して波長２２０ｎｍ以下の光を照射する。例文帳に追加

Trimethyl gallium gas as a group III raw gas and ammonia gas as a group V raw gas are simultaneously supplied in a flow rate ratio of 1:1000 or more to a substrate 13 disposed in a chamber 11 adjusted to a predetermined pressure; and the substrate 13 is further irradiated with light at a wavelength of not more than 220 nm. - 特許庁

インジウム、ガリウム、及び亜鉛を含む酸化物半導体層を有した薄膜トランジスタ１５０がアルミニウムを第１成分とする第１導電層（１１４ａ、１１４ｂ）と高融点金属材料からなる第２導電層（１１５ａ、１１５ｂ）を積層したソース電極層及びドレイン電極層（１１７ａ、１１７ｂ）を有し、酸化物半導体層１１３が、前記第２導電層（１１５ａ、１１５ｂ）および酸化アルミニウムを第１成分とするバリア層（１１６ａ、１１６ｂ）と接することで、アルミニウム原子の酸化物半導体層１１３への拡散を抑制する。例文帳に追加

The oxide semiconductor layer 113 is in contact with the second conductive layers 115a, 115b and barrier layers 116a, 116b including aluminum oxide as the first component, whereby diffusion of aluminum atoms to the oxide semiconductor layer 113 is suppressed. - 特許庁

半導体チップ１０が透明なサファイア基板１１に透明なガリウム窒素系化合物半導体層１２，１３を積層して成る発光ダイオード１などのように、該半導体チップ１０が透明な材料から成る場合、該半導体チップ１０の表面に形成される電極１５，１６における金バンプ電極２１の当接部位に、前記電極１５，１６よりも硬い材料から成る粒体３０を付着しておく。例文帳に追加

When a semiconductor chip 10 is composed of a transparent material similar to a light-emitting diode 1 made by forming gallium nitride based compound semiconductor layers 12 and 13 on a transparent sapphire substrate 11, grains 30 composed of a material harder than that of electrodes 15 and 16 are stuck to the abutting portion of a gold bump electrode 21 in the electrodes 15 and 16 formed on the surface of the semiconductor chip 10. - 特許庁

放射線励起により長残光および輝尽発光を呈するガラス材料において、上記ガラス材料の構成成分として、少なくとも、酸化テルビウム（Ｔｂ_2Ｏ_3 ）又は酸化マンガン（ＭｎＯ）、酸化ガリウム（Ｇａ_2 Ｏ_3 ）又は酸化アルミニウム（Ａｌ_2 Ｏ_3 ）、アルカリ金属酸化物又はアルカリ土類金属酸化物及び酸化ホウ素（Ｂ_2 Ｏ_3 ）又は酸化ケイ素（ＳｉＯ_2 ）又は酸化亜鉛（ＺｎＯ）を含むことを特徴とする長残光および輝尽発光を呈する酸化物ガラス。例文帳に追加

The glass material capable of exhibiting long afterglow and stimulated phosphorescence when it is excited with radiation contains, as constituents, at least terbium oxide(Tb2O3) or manganese oxide(MnO), gallium oxide(Ga2O3) or aluminum oxide(Al2O3), alkaline metal oxides or alkaline earth metal oxides and boron oxide(B2O3) or silicon dioxide(SiO2) or zinc oxide(ZnO). - 特許庁

そのための本発明は、キャリア増幅器及び第１及び第２のピーク増幅器を含む高周波用３ステージ窒化ガリウム系高電子移動度トランジスタドハティ電力増幅器において、前記キャリア増幅器と第１及び第２のピーク増幅器に入力信号を分配するための１０ｄＢ電力分配器；前記キャリア増幅器の入力電力を調整するための第１の経路部；及び広い出力電力範囲で高い効率を維持させるための第２の経路部を含むことを特徴とする。例文帳に追加

The three-stage GaN HEMT Doherty power amplifier for high frequency applications including a carrier amplifier and first and second peaking amplifiers includes: a 10-dB power divider for dividing an input signal to the carrier amplifier and the first and second peaking amplifiers; a first path section for controlling input power of the carrier amplifier; and a second path section for maintaining high efficiency in a wide output power range. - 特許庁

導電性基体上に、フタロシアニン化合物、正孔輸送性化合物、電子輸送性化合物を含む単層型感光層において、該フタロシアニン化合物がチタン、ガリウム、珪素のうち少なくともいずれか一つの元素を中心金属として含有するフタロシアニンであり、かつ該フタロシアニン化合物が、バインダー樹脂１００重量部に対して２重量部以上２０重量部以下含まれる正帯電型電子写真感光体。例文帳に追加

The positively chargeable electrophotographic photo-receptor is provided on a conductive substrate 1 with a single layer type photosensitive layer 2 containing a phthalocyanine compound and a positive hole transfer compound and an electron transfer compound, and this phthalocyanine compound has at least one of titanium, gallium, and silicon as a central metal and it is contained in this photoreceptor in an amount of 2-20 weight % of the binder resin. - 特許庁

この変換器は、ＡＣ入力を受け取り、かつ整流器出力を提供する整流器と、前記整流器の出力の両端間に接続された直列接続された電流−磁界エネルギ蓄積デバイスおよび電流断続器と、前記直列接続された磁界エネルギ蓄積デバイスおよび電流断続器の中間点と前記整流器出力の端子との間に接続された直列接続された窒化ガリウム・ダイオードおよび出力電荷蓄積デバイスとを備え、前記変換器は過渡電圧抑制回路を必要としないことを特徴とする。例文帳に追加

The converter eliminates the need for an overvoltage suppressing circuit. - 特許庁

温度補償機能付きの送信電力増幅回路１５ｂにおいて、ガリウム砒素電界効果型トランジスタを使用した電力増幅器１５１，１５２と、サーミスタ温度補償回路１５４を備えた前置増幅器１５３とを１個の集積回路に収容し、かつその際に電力増幅器１５１，１５２と、温度補償回路１５４を含む前置増幅器１５３とを、集積回路の基板１５０上においてその接地回路１５５，１５６が独立した状態で形成するようにしたものである。例文帳に追加

In the transmission power amplifier circuit with a temperature compensation function, power amplifier 151, 152 employing gallium arsenide field effect transistors and a preamplifier provided with a thermister temperature compensation circuit are integrated into one integrated circuit, and the power amplifiers 151, 152 and the preamplifier including the thermister temperature compensation circuit are formed on a substrate 150 of the integrated circuit in the state that ground circuits 155, 156 are independent of each other. - 特許庁

少なくとも第１の金属イオンと第２の金属イオンとを含有する酸化物結晶を母体とする蛍光体であって、前記第１の金属イオンは、アルミニウム、ガリウム、バナジウム、スカンジウム、アンチモンおよびインジウムからなる群から選択される１種以上のＩＩＩ価金属イオンを含み、かつ、前記ＩＩＩ価金属イオンの一部は、発光体となる１種以上のＩＩＩ価希土類イオンで置換されていることを特徴とする蛍光体。例文帳に追加

The phosphor with a matrix being an oxide crystal comprises at least first metal ions and second metal ions, wherein the first metal ions comprise one or more ions of a trivalent metal selected from the group consisting of aluminum, gallium, vanadium, scandium, antimony, and indium, and part of the trivalent metal ions are replaced by at least one type of trivalent rare earth metal ions which serve as luminescent centers. - 特許庁

一実施態様において、組成物は、相変化メモリ及び光起電デバイス向けの、ゲルマニウムテルル（ＧｅＴｅ）、アンチモンテルル（ＳｂＴｅ）、アンチモンゲルマニウム（ＳｂＧｅ）、ゲルマニウムアンチモンテルル（ＧＳＴ）、インジウムアンチモンテルル（ＩＳＴ）、銀インジウムアンチモンテルル（ＡＩＳＴ）、テルル化カドミウム（ＣｄＴｅ）、セレン化カドミウム（ＣｄＳｅ）、テルル化亜鉛（ＺｎＴｅ）、セレン化亜鉛（ＺｎＳｅ）、セレン化銅インジウムガリウム（ＣＩＧＳ）又は他のテルル及びセレン系の金属化合物を堆積させるために用いられる。例文帳に追加

In one embodiment, the compositions are used to deposit Germanium Tellurium (GeTe), Antimony Tellurium (SbTe), Antimony Germanium (SbGe), Germanium Antimony Tellurium (GST), Indium Antimony Tellurium (IST), Silver Indium Antimony Tellurium (AIST), Cadmium Telluride (CdTe), Cadmium Selenide (CdSe), Zinc Telluride (ZnTe), Zinc Selenide (ZnSe), Copper indium gallium selenide (CIGS) films or other tellurium and selenium based metal compounds for phase change memory and photovoltaic devices. - 特許庁

透明基板上に、少なくとも透明導電膜と、誘電体層とが積層されており、該基板額縁部に少なくとも位置検出用配線部並びに位置検出用電極からなる位置検出用部材が配置された構造を有する静電容量式タッチパネルであって、前記透明導電膜が酸化インジウムを主成分とし、ガリウムおよびスズを含む酸化物からなることを特徴とする静電容量式タッチパネルなどによって提供。例文帳に追加

The capacitive touch panel has a structure where at least a transparent conductive film and a dielectric layer are laminated onto a transparent substrate, and a member for position detection comprising at least a wiring portion for position detection and electrodes for position detection is arranged at a substrate frame portion, where the transparent conductive film is composed of oxide having indium oxide as a main component and containing gallium and tin. - 特許庁

一般式（５）：２（Ｍ^5_1-aＥｕ_a）Ｏ・ＳｉＯ_2（式中、Ｍ^5はＭｇ、Ｃａ、ＳｒおよびＢａから選ばれる少なくとも１種の元素を示し、０．００５≦ａ≦０．１０である） また、１次光を発する窒化ガリウム系半導体からなる発光素子と該１次光を吸収して該１次光のピーク波長以上のピーク波長を有する２次光を発する波長変換部とを備えた発光装置であって、該波長変換部は該被覆蛍光体を含む発光装置に関する。例文帳に追加

The present invention further relates to a light emitting device having a luminous element composed of a gallium nitride-based semiconductor emitting primary light and a wavelength converting part containing the coated phosphor and absorbing the primary light and emitting secondary light having a peak wavelength not shorter than that of the primary light. - 特許庁

開示されるのは、スカンジウム、イットリウム、ランタン、セリウム、プラセオジム、ネオジム、サマリウム、ユウロピウム、ガドリニウム、テルビウム、ジスプロシウム、ホルミウム、エルビウム、ツリウム、イッテルビウム、ルテチウム、アルミニウム、ガリウム、インジウム、マンガン、アンチモン、ビスマスを含む一群の三価金属錯体、及びマグネシウム、カルシウム、ストロンチウム、バリウム、マンガン、コバルト、鉄、ニッケル、ルテニウム、銅、亜鉛、カジウムを含む一群の二価金属錯体である。例文帳に追加

There are disclosed families of trivalent metal complexes including scandium, yttrium, lanthanum, cerium, praseodymium, neodymium, samarium, europium, gadolinium, terbium, dysprosium, holmium, erbium, thulium, ytterbium, lutetium, aluminum, gallium, indium, manganese, antimony, bismuth; and of divalent metal complexes including magnesium, calcium, strontium, barium, manganese, cobalt, iron, nickel, ruthenium, copper, zinc, cadium. - 特許庁

基板上に第１の窒化物半導体層とガリウムを含まない第２の窒化物半導体層が積層形成されており、第１の窒化物半導体層に接合する第１のアノード電極と、第２の窒化物半導体層のみに接合する第２のアノード電極を構成する電極金属を適宜選択することによって、第１および第２のアノード電極それぞれのショットキーバリアの高さが異なるように構成している。例文帳に追加

A first nitride semiconductor layer and a second nitride semiconductor layer not containing gallium are laminated and formed on a substrate, and by appropriately selecting electrode metals constituting a first anode electrode bonded to the first nitride semiconductor layer and a second anode electrode bonded only to the second nitride semiconductor layer, the heights of the Schottky barriers of the respective first and second anode electrodes are made different. - 特許庁