「クロロアクリル酸エステル」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

α−メチルスチレン系化合物とα−クロロアクリル酸エステル系化合物の共重合体をベース樹脂として含むポジ型放射線レジストを現像する際、炭素数３〜８のケトン、アルコキシ基を有することのできる炭素数３〜８のカルボン酸エステルおよび炭素数３〜８のジカルボン酸エステルからなる群から選択された１種類の有機溶剤のみからなる現像液を用いる。例文帳に追加

When a positive type radiation resist containing a copolymer of an α-methylstyrene compound and an α-chloroacrylic ester compound as a base resin is developed, a developer comprising only one organic solvent selected from the group comprising 3-8C ketones, 3-8C carboxylic esters which may have an alkoxy group and 3-8C dicarboxylic esters is used. - 特許庁

α−クロロアクリル酸エステルとα−メチルスチレンとの重合体を含むレジスト層にエネルギービームを照射して露光して、現像を行う際に用いられるアルコール溶媒Ａと、酢酸−ｎ−アミル又は酢酸エチル又はそれらの混合物からなる溶媒Ｂとを含むレジスト現像剤。例文帳に追加

The resist developer used at the time of irradiating a resist layer containing a polymer of α-chloro-acrylic ester and α-methyl styrene with energy beams so as to be exposed and developed includes an alcohol solvent A, and a solvent B made of n-amyl acetate or ethyl acetate or the admixture thereof. - 特許庁

α−クロロアクリル酸エステルとα−メチルスチレンとの重合体を含むレジスト層にエネルギービームを照射して露光して、現像を行う際に用いられるレジスト現像剤であって、アルコール溶媒Ａと、メチルイソブチルケトンからなる溶媒Ｂとを含む。例文帳に追加

The resist developer used at the time of irradiating a resist layer containing a polymer of α-chloro-acrylic ester and α-methyl styrene with energy beams so as to be exposed and developed includes an alcohol solvent A, and a solvent B made of methyl isobutyl ketone. - 特許庁

α−クロロアクリル酸エステルとα−メチルスチレンとの重合体を含むレジスト層にエネルギービームを照射して露光して、現像を行う際に用いられるレジスト現像剤であって、フルオロカーボンを含む溶媒Ａと、前記溶媒Ａよりも前記レジスト層に対する溶解度が高い酢酸−ｎ−アミル又は酢酸エチル又はそれらの混合物からなる溶媒Ｂとを含む。例文帳に追加

The resist developer used at the time of irradiating a resist layer containing a polymer of α-chloro-acrylic ester and α-methyl styrene with energy beams so as to be exposed and developed includes a solvent A containing fluorocarbon, and a solvent B higher in solubility for the resist layer than the solvent A and made of n-amyl acetate, or ethyl acetate or the admixture thereof. - 特許庁

α−クロロアクリル酸エステルとα−メチルスチレンとの重合体を含むレジスト層にエネルギービームを照射して露光して、現像を行う際に用いられるレジスト現像剤であって、フルオロカーボンを含む溶媒Ａと、前記溶媒Ａよりも前記レジスト層に対する溶解度が高いアルコール溶媒Ｂと、酢酸−ｎ−アミル又は酢酸エチル又はそれらの混合物からなる溶媒Ｃとを含む。例文帳に追加

The resist developer used at the time of irradiating a resist layer containing a polymer of α-chloro-acrylic ester and α-methyl styrene with energy beams so as to be exposed and developed includes a solvent A containing fluorocarbon, an alcohol solvent B higher in solubility for the resist layer than the solvent A, and a solvent C made of n-amyl acetate or ethyl acetate or the admixture thereof. - 特許庁