| 例文 (11件) |
小傾角粒界の部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 11件
気泡や小傾角粒界が存在しない高品質で大口径のルチル単結晶を製造する。例文帳に追加
To obtain a high-quality rutile single crystal having a large diameter free from foams and low-angle grain boundary. - 特許庁
小傾角粒界の発生を抑えた高品質の３−５族化合物半導体を提供する。例文帳に追加
To provide a high quality III-V compound semiconductor in which generation of tilt grain boundary is suppressed. - 特許庁
小傾角粒界や亜粒界密集帯の無い、高品質の炭化珪素単結晶インゴットを製造する方法を提供する。例文帳に追加
To provide a method for producing a high quality silicon carbide single crystal ingot which is free of small tilt angle grain boundary and sub-grain boundary clustered zones. - 特許庁
この高張力鋼板の接合体にあっては、ナゲット１３の結晶粒径は、傾角１５度以上の大傾角粒界が３０μｍより小さい微細粒径、好ましくは、２０μｍより小さい微細粒径である。例文帳に追加
In this joined body of the high tensile strength steel sheets, the diameter of crystal particles of a nugget 13 is a fine grain diameter in which the large tilt angle grain boundary of tilt angle 15 degrees or more has a fine grain diameter of smaller than 30 μm, preferably, has a fine grain diameter of smaller than 20 μm. - 特許庁
小傾角粒界や亜粒界密集帯を始めとする欠陥密集領域の無い、高品質の炭化珪素単結晶インゴットを製造する方法を提供する。例文帳に追加
To provide a method for producing a high quality silicon carbide single crystal ingot which is free of defect clustered zones including small tilt angle grain boundary and sub-grain boundary clustered zones. - 特許庁
半導体材料、電子部品、光学部品などに用いられる、小傾角粒界のない大面積・高品質なダイヤモンド単結晶基板の製造法及びダイヤモンド単結晶基板を提供することを目的とする。例文帳に追加
To provide a method of manufacturing a large-surface area and high-quality diamond single crystal substrate used in semiconductor materials, electronic components, optical components and so forth and free from a small tilt boundary and the diamond single crystal substrate. - 特許庁
また、このＳｉＣ単結晶の製造方法により得られたＳｉＣ単結晶からなり、小傾角粒界の数が１０本以下であるＳｉＣウエハである。例文帳に追加
The SiC wafer is composed of the SiC single crystal obtained from the method for producing an SiC single crystal and has the number of small tilt angle grain boundaries of 10 or less. - 特許庁
原料融液から成長結晶を引き上げる溶融固化法によって小傾角粒界（バウンダリー）の発生を抑制しながら効率的に高品質な酸化アルミニウム単結晶を製造する方法を提供する。例文帳に追加
To provide a method of efficiently manufacturing a high quality aluminum oxide single crystal by a melt solidification method comprising pulling a grown crystal from a raw material melt, while suppressing the occurrence of small angle tilt boundaries. - 特許庁
原料融液から成長結晶を引き上げる溶融固化法によって小傾角粒界（バウンダリー）の発生を抑制しながら効率的に高品質な酸化アルミニウム単結晶を製造する方法を提供する。例文帳に追加
To provide a method of efficiently manufacturing a high quality aluminum oxide single crystal by a melt solidification method comprising pulling a grown crystal from a raw material melt while suppressing generation of small angle tilt boundaries. - 特許庁
ルチル（ＴｉＯ_2）単結晶を赤外線集中加熱炉を用いたフローティングゾーン（ＦＺ）法によって酸素圧０．３ＭＰａ以上の高圧酸素中で育成することにより、サブグレインや小傾角粒界のないルチル単結晶を製造する方法を提供することを目的とする。例文帳に追加
To provide a method for producing a rutile (TiO_2) single crystal free from subgrains or small tilt grain boundaries, by growing the rutile single crystal within high pressure oxygen of 0.3 MPa or more by a floating zone (FZ) method using an infrared-concentrated oven. - 特許庁
ルチル（ＴｉＯ_2）単結晶を、赤外線集中加熱炉を用いたフローティングゾーン（ＦＺ）法によって、酸素圧０．３ＭＰａ以上の高圧酸素中で育成することにより、サブグレインや小傾角粒界のないルチル単結晶を得るようにしたことを特徴とするルチル単結晶の製造方法。例文帳に追加
The method for producing the rutile single crystal is characterized by that the rutile single crystal free from the subgrains and small tilt grain boundaries can be obtained, by growing the rutile (TiO_2) single crystal within the high pressure oxygen of 0.3 MPa or more oxygen pressure by the floating zone (FZ) method using the infrared-concentrated oven. - 特許庁
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