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温度補償ゲートバイアス回路の部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 2件
能動素子の温度変化に対応させるため、ゲートバイアスを温度と共に変化させ、出力飽和電力の温度特性を補償し、効率と線形性を改善させるための温度補償回路を設けたことを特徴とする構成を有している。例文帳に追加
To deal with the changes in temperature of an active element, the amplifier is provided with a temperature compensation circuit for compensating the temperature characteristics of output saturation power and improving the efficiency and the linearity, by changing the gate bias with the temperature. - 特許庁
LDMOS FET1は、ソース端子が接地され、ゲートバイアス端子3から温度補償回路2およびチョークコイルを介してゲート電圧Vgsが、またドレインバイアス端子4からチョークコイルを介してドレイン電圧Vdsがそれぞれ印加され、ソース接地型増幅器として動作する。例文帳に追加
An LDMOS (Lateral Diffused MOS) FET1, having a grounded source terminal, operates as a source-grounded amplifier through the application of a gate voltage Vgs from a gate bias terminal 3 via a temperature compensating circuit 2 and a choke coil and through the application of a drain voltage Vds from a drain bias terminal 4 via the choke coil, respectively. - 特許庁
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