| 例文 (7件) |
集束イオンビーム修正装置の部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 7件
集束イオンビーム修正装置及び欠陥保証方法例文帳に追加
CONVERGENT ION BEAM CORRECTING DEVICE AND DEFECT GUARANTEEING METHOD - 特許庁
集束イオンビーム微細加工装置を用いたフォトマスクの欠陥修正方法例文帳に追加
METHOD FOR CORRECTING DEFECT IN PHOTOMASK USING FOCUSED ION BEAM MICROFABRICATION DEVICE - 特許庁
集束イオンビーム微細加工装置を用いたフォトマスクの孤立パターンの欠陥修正時のチャージアップに起因する問題点を解決する。例文帳に追加
To solve the problems caused by charge-up at the correction of the defects of an isolated pattern, in a photomask that uses a focused ion beam microfabrication device. - 特許庁
この半導体集積回路の配線パターンを、集束イオンビーム装置で修正し、各タイミング調整回路３６−０〜３６−ｎから同一位相の内部入力クロック信号ＣＬＫＩが得られるように調整する。例文帳に追加
The wiring patterns of the semiconductor integrated circuit are corrected by a focused ion beam unit and regulated so as to obtain the input clock signals CLKI of the same phase from the circuits 36-o and 36-n. - 特許庁
半導体装置１１の修正配線を引き出す接続孔１を集束イオンビーム加工によって形成する配線修正方法において、接続孔１の側面のうち、下層配線４と上層配線３を接続する修正配線を引き出す側に傾斜面を形成する。例文帳に追加
In the wiring correction method for forming a connecting hole 1 through converged ion beam working for pulling out correction wiring of a semiconductor device 11, a slope is formed at a side where the correction wiring for connecting lower-layer wiring 4 and upper-layer wiring 3 is pulled put on a lateral side of the connecting hole 1. - 特許庁
本発明の課題は、電子ビーム露光用マスクにおける貫通構造のパターン欠陥を修正加工する際に、あらゆる方向を取り得るパターン面を無理無く正確に垂直に加工することができる集束イオンビーム装置を提供することにある。例文帳に追加
To provide a focusing ion beam device that is capable of working precisely perpendicularly without difficulty, the pattern face capable of taking all directions in the remody process case of the defects of patterns having a penetration structure in the electron beam exposure mask. - 特許庁
本発明の欠陥修正は、集束イオンビーム装置を用いてレベンソンマスクの掘り込み溝の掘り残し欠陥に相当するガラス基板の特定位置と必要深さにガリウムイオンを照射注入し、該ガリウムイオンを注入した基板をアルカリ溶液に浸してガリウムイオンが注入された部分を局部的に溶解除去させる手法を採用した。例文帳に追加
A repairing method comprises impregnating gallium ion into required depth of a specified position on a glass substrate which corresponds to the unprocessed parts of the dug grooves in the Levenson mask by using focused ion beam equipment, immersing the substrate in which the gallium ion has been impregnated, into an alkali solution, and partially dissolving and removing the part in which the gallium ion was impregnated. - 特許庁
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