「49a」に関連した英語例文の一覧と使い方(7ページ目) - Weblio英語例文検索

(1) Any person shall be punished by imprisonment not exceeding three years or by a fine, who, without the required consent of the patentee or of the owner of a supplementary protection certificate (Sections 16a, 49a), 1. makes or offers, puts on the market, uses or imports or possesses for said purposes a product which is the subject matter of the patent or of the supplementary protection certificate (Section 9, sentence 2, no. 1); or 2. uses or offers for use within the territory to which this Act applies a process which is the subject matter of the patent or of the supplementary protection certificate (Section 9, sentence 2, no. 2); The provision of sentence 1, no. 1, is also to be applied if the product has been directly made by a process which is the subject matter of the patent or of the supplementary protection certificate (Section 9, sentence 2, no. 3). 例文帳に追加

(1) 特許所有者又は補充的保護証明書所有者(第 16a条，第 49a条)からの必要な同意を得ないで，次の行為をした者は，3年以下の拘禁又は罰金によって罰せられる。1. 特許又は補充的保護証明書の対象である製品を製造若しくは提供し，販売し，使用し，又はこれらの目的のために輸入若しくは保持すること(第 9条第 2文1.)，又は2. 本法の施行領域内において，特許又は補充的保護証明書の対象である方法を使用し又は使用の申出をすること(第 9条第 2文 2.) 第 1文 1.は，その製品が特許又は補充的保護証明書の対象である方法によって直接生産されている場合にも適用される(第 9条第 2文3.)。 - 特許庁

Thereby, even if misalignment is caused in between a process for forming a collector region 45 and an emitter region 43 and a process for forming wirings including a collector wiring 51 and an emitter wiring 49, it is possible to avoid such a state that the collector wiring contact part 51a is out of the collector region 45, despite the emitter wiring contact part 49a is within the emitter region 43.例文帳に追加

このため、コレクタ領域４５およびエミッタ領域４３を形成する工程とコレクタ配線５１およびエミッタ配線４９を含む配線を形成する配線工程とで位置決めの際のずれが生じたとしても、エミッタ配線コンタクト部４９ａがエミッタ領域４３の範囲内にあるにもかかわらずコレクタ配線コンタクト部５１ａがコレクタ領域４５の範囲外になってしまうという事態を回避することができる。 - 特許庁

A dielectric film pattern including a first dielectric film pattern 49a formed on the surfaces of the pattern 48 and the pattern 45 exposed from the pattern 48 and a second dielectric film pattern 49b continuously formed on the surfaces of the pattern 48 in a second direction with which the first direction intersects, the regions 43 adjacent to the pattern 48 and the pattern 48 adjacent to the regions 43 is formed.例文帳に追加

第１ゲートパターン４８の表面及び第１ゲートパターン４８から露出するトンネル酸化膜パターン４５の表面上に形成される第１誘電膜パターン４９ａと、第１方向に直交する第２方向へ第１ゲートパターン４８の表面、第１ゲートパターン４８に隣接するフィールド領域４３の表面及びフィールド領域４３に隣接する第１ゲートパターン４８の表面上に連続的に形成される第２誘電膜パターン４９ｂとを含む誘電膜パターンが形成される。 - 特許庁