| 意味 | 例文 |
Digit unitの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 53件
In the semiconductor device 1 for which many unit elements of the T-IGBT of N channel are formed in parallel on a semiconductor substrate, a p^+ region 3 where an impurity concentration is higher than a base p^- region 58 is formed between the digit part 2-2 of an emitter n^+ region 2 formed in a ladder shape and the base p^- region 58.例文帳に追加
NチャネルのT−IGBTの単位素子が半導体基板上に多数並列に形成される半導体装置1において、梯子型に形成されるエミッタn^+領域2の桁部分2−2とベースp^-領域58との間に、ベースp^-領域58よりも不純物濃度が高いp^+領域3を形成する。 - 特許庁
When a user depresses a selection key 213 in the operation unit 2 during temperature presentation, the number corresponding to the temperature pattern during the presentation at a time point when receiving an operation signal KS thereof is stored in an input information memory 142 as the number representing a digit of the input secret number.例文帳に追加
そして、上記温度提示中に操作ユニット2で利用者が選択キー213を押下した場合に、情報処理ユニット1ではその操作信号KSを受信した時点で提示中の温度パターンに対応する数字を、入力された暗証番号の1桁を表す数字として入力情報記憶部142に記憶する。 - 特許庁
A code conversion circuit 100 provided by column captures the redundant binary codes respectively outputted from the recursive ADCs in the order from a high order digit, gathers the redundant binary codes by two digits, respectively converts them to the 3-bit binary codes of a code system with low redundancy, and stores them in the storage unit 210.例文帳に追加
カラム毎に設けられた符号変換回路100は、巡回型ADCから各々出力される冗長2進符号を上位桁から順に取り込み、冗長2進符号を2桁ずつまとめて冗長度の低い符号体系の3ビットの2進符号に各々変換し、記憶ユニット210に記憶させる。 - 特許庁
| 意味 | 例文 |
| Copyright © Japan Patent office. All Rights Reserved. |
|
ログイン |
Weblio会員(無料)になると
|
|
ログイン |
Weblio会員(無料)になると
|