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GAS1を含む例文一覧と使い方
該当件数 : 6件
The gas GAS1 includes silicon atoms and is, for example, SiH_4.例文帳に追加
ＧＡＳ１はシリコン原子を含み、例えばＳｉＨ４である。 - 特許庁
The GAS1 is a gas including a silicon atom, for instance, an HCD.例文帳に追加
ＧＡＳ１はシリコン原子を含むガス、例えばＨＣＤである。 - 特許庁
The processing gases GAS1 to GAS3 are used in the step of processing the wafers 200.例文帳に追加
ウェハ２００を処理する工程では、処理ガスＧＡＳ１〜ＧＡＳ３を用いる。 - 特許庁
The wafers 200 are processed by supplying a plurality processing gases GAS1 to GAS3 from gas introducing tubes 241a to 241c into the processing chamber 201.例文帳に追加
ガス導入管２４１ａ〜２４１ｃから処理室２０１内に複数種の処理ガスＧＡＳ１〜ＧＡＳ３を供給してウェハ２００を処理する。 - 特許庁
In this method, the hair follicle is regenerated by increasing the expression of one or the plurality of genes having a hair follicle formation induction ability, which are selected from a group including Tgfbi, Gas1, Thbs2, Ifi202A, Bmp7, Efna1, Efna3, Cidea, Serping1, MS1, Irf6, Fmod, and Fxyd4.例文帳に追加
本発明は、Ｔｇｆｂｉ、Ｇａｓ１、Ｔｈｂｓ２、Ｉｆｉ２０２Ａ、Ｂｍｐ７、Ｅｆｎａ１、Ｅｆｎａ３、Ｃｉｄｅａ、Ｓｅｒｐｉｎｇ１、ＭＳ１、Ｉｒｆ６、ＦｍｏｄおよびＦｘｙｄ４から成る群から選ばれる毛包形成誘導能を有する１または複数の遺伝子の発現を亢進させることにより毛包を再生する方法を提供する。 - 特許庁
A first silicon film including phosphorus atoms is formed on wafers 200 by supplying at least gasses GAS1 and GAS2 to the wafers 200, and then, the reaction chamber is set to a lower temperature and a second silicon film including no impurity atoms or having an impurity concentration lower than that of the first silicon film is formed on at least the first silicon film by supplying at least the gas GAS3.例文帳に追加
ウェーハ２００に対して少なくともＧＡＳ１とＧＡＳ２とを供給して、ウェーハ２００にリン原子を含む第一シリコン膜を成膜し、その後、反応室を低温化させ、少なくともＧＡＳ３を供給して、少なくとも第一シリコン膜上に不純物原子を含まないか、または第一シリコン膜よりも不純物濃度が低い第二シリコン膜を成膜する。 - 特許庁
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