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LOCOS isolation processの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 1件
To provide a transistor and its manufacturing method which prevents a leakage current of the source/drain in the LOCOS or shallow trench isolation(STI) process, improves the refresh characteristics of DRAM to avoid damaging a gate oxide film, and reduces the reverse narrow width effect, junction L/C and GOI to improve the characteristics of the transistor, thereby improving the characteristics and the yield of the element.例文帳に追加
ロコス(LOCOS)工程やエス・ティー・アイ(Shallow Trench Isolation:STI)工程時にソース/ドレインの漏洩電流(leakage current)発生を防ぎ、DRAMのリフレッシュ(Refresh)特性を向上させてゲート酸化膜の損傷を防ぎ、逆狭小幅効果(reverse narrow width effect)、接合L/C及びGOIを減少させてトランジスタの特性を向上させるため、素子の特性及び収率を向上させることが可能な、トランジスタ及びその製造方法を提供する。 - 特許庁
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