例文 (3件) |
RSG-Aの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 3件
Then, a regenerative signal RSG is generated with the compare signal CMP1 as a set signal and with the compare signal CMP2 as a reset signal.例文帳に追加
そして、コンパレート信号CMP1をセット信号とし、コンパレート信号CMP2をリセット信号として再生信号RSGが生成される。 - 特許庁
Next, the charge film and tunnel insulating film are removed from the select gate region Rsg, and the upper surface 12a of the elements separating and insulating films 12 and the upper surface 13a of the semiconductor parts 13 are made into a continuous flat surface or the upper surface 12a is located higher than the upper surface 13a.例文帳に追加
次に、セレクトゲート領域Rsgからチャージ膜及びトンネル絶縁膜を除去し、素子分離絶縁膜12の上面12a及び半導体部分13の上面13aを連続した平坦面とするか、又は、上面12aを上面13aよりも上方に位置させる。 - 特許庁
After that, the CVD method is used to form a deposition film 18 in the memory cell region Rmc and select gate region Rsg, remove the deposition film 18 from the memory cell region Rmc, form a block insulating film 16 on the charge film and deposition film 18, and form a word electrode WL and a select gate electrode SG on the block insulating film 16.例文帳に追加
次に、メモリセル領域Rmc及びセレクトゲート領域RsgにCVD法により堆積膜18を形成し、メモリセル領域Rmcから堆積膜18を除去し、チャージ膜上及び堆積膜18上にブロック絶縁膜16を形成し、ブロック絶縁膜16上にワード電極WL及びセレクトゲート電極SGを形成する。 - 特許庁
例文 (3件) |
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