| 例文 |
cathodic sputteringの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 4件
To compose a cathodic sputtering apparatus in such a manner that the magnetic field intensity within the active zone of a target to which the target is sputtered is increased, further, the active zone is enlarged to increase the sputtering rate of a target material, and simultaneously, the density of the heat power to be introduced into the target material is reduced.例文帳に追加
冒頭に記載した装置を、ターゲットが浸食されるターゲットの活性ゾーンの領域内の磁界強度を増強し、更に、活性ゾーンの幅を大きくして、ターゲット材料のスパッタリング速度を高め、それと同時に、ターゲット材料内に導入される熱パワー密度を低減するように構成すること。 - 特許庁
A Si film 6 is film-deposited on a substrate 5 of a magnetic head by a sputtering method, a DLC film 7 is film-deposited on the Si film 6 by a CVD method and a ta-C film 8 is film-deposited on the DLC film 7 by a cathodic arc method.例文帳に追加
磁気ヘッドの基板5上にSi膜6をスパッタ法により成膜し、そのSi膜6上にCVD法によりDLC膜7を成膜し、そのDLC膜7上にカソーディックアーク法によりta−C膜8を成膜する。 - 特許庁
To enhance wear resistance, a Si film 9 deposited by a sputtering method, a DLC film deposited by a CVD method and a ta-C film 11 deposited by a cathodic arc method are successively formed on the ta-C film 8 to form a pad C having a three-layered structure.例文帳に追加
さらに、耐摩耗性を向上させるために、ta−C膜8から順にスパッタ法によるSi膜9、CVD法によるDLC膜、カソーディックアーク法によるta−C膜11を成膜して、3層構造のパッドCを形成する。 - 特許庁
| 例文 |
| Copyright © Japan Patent office. All Rights Reserved. |
|
ログイン |
Weblio会員(無料)になると
|
|
ログイン |
Weblio会員(無料)になると
|