例文 (2件) |
dislocation slip planeの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 2件
Although a c surface Sc2 of the InAlGaN layer 21 is inclined relative a normal line axis Ax, the density of misfit dislocation of a slip plane mainly constituted of the c surface is reduced compared with AlGaN.例文帳に追加
InAlGaN層21のc面Sc2が法線軸Axに対して傾斜しているけれども、c面を主とするすべり面によるミスフィット転位の密度がAlGaNに比べて低減される。 - 特許庁
To provide a GaAs single crystal wafer reduced in the influence of the warp of the wafer itself and the nonuniformity of wafer in-plane temperature for the thermal treatment in a device manufacturing process using the wafer, and generating no slip defects, which needs no relaxation of the residual stress by incorporation of dislocation, and to provide a method for manufacturing the same.例文帳に追加
本発明は、GaAs単結晶ウエハを用いたデバイス製造プロセス中の熱処理に対して、そのウエハ自身の反りや、熱処理時のウエハ面内温度均一性といった影響を低減し、転位の導入による残留応力の緩和を必要としないスリップ不良の発生が無いGaAs単結晶ウエハ及びその製造方法を提供することにある。 - 特許庁
例文 (2件) |
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