| 例文 |
feolを含む例文一覧と使い方
該当件数 : 7件
FEOL CAPACITOR AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加
ＦＥＯＬキャパシタおよびその製造方法 - 特許庁
To protect an element to be protected against a charge-up in a manufacturing process from an FEOL stage.例文帳に追加
ＦＥＯＬ段階から製造工程中チャージアップに対して被保護素子を保護する。 - 特許庁
CONTROLLING CIRCUITRY AND MEMORY ARRAY RELATIVE HEIGHT IN PHASE CHANGE MEMORY FEOL PROCESS FLOW例文帳に追加
相変化メモリのＦＥＯＬプロセスフローにおける回路及びメモリアレイの相対的高さの制御 - 特許庁
To enable charging of a semiconductor device to be effectively suppressed even in an FEOL.例文帳に追加
ＦＥＯＬにおいても半導体装置のチャージングを効果的に抑制できるようにする。 - 特許庁
To control circuitry and memory array relative height in a phase change memory FEOL process flow.例文帳に追加
相変化メモリのＦＥＯＬプロセスフローにおいて回路及びメモリアレイの相対的高さを制御する。 - 特許庁
To provide a method and a system for peeling of the backside layer of a semiconductor device, thereby exposing a structure of an FEOL semiconductor of the device, in order to perform electric or physical probing (verification) or both of them later.例文帳に追加
後の電気的または物理的プローブ（検証）あるいはその両方を行うために、半導体デバイスを裏面層剥離してデバイスのＦＥＯＬ半導体の構造体を露出させるための方法およびシステムを提供すること。 - 特許庁
To realize a semiconductor apparatus protecting a protection target element from a charge-up phenomenon during a diffusion process at a low voltage range of both positive and negative polarities from an FEOL level, and applying a high voltage of both positive and negative polarities required for driving the protection target element after completion of the diffusion process.例文帳に追加
ＦＥＯＬレベルから正負とも低電圧の範囲で拡散工程中のチャージアップから被保護素子を保護し、且つ、拡散工程完了後は被保護素子の駆動に必要な正負両極性の高電圧を被保護素子に印加することが可能な半導体装置を実現できるようにする。 - 特許庁
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