「ge r」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

Chemical precursors of the formula (F3C)4-m-nMXmRn are preferred, wherein M is Si or Ge, X is halogen, R is H or D, m is 0, 1, 2 or 3, and n is 0, 1, 2 or 3, with the provision that (m+n)≤3.例文帳に追加

化学式(F_3C)_4-m-nMX_mR_nの化学前駆体が好適であり、ここでMはSi若しくはGeであり、Xはハロゲンであり、RはH若しくはDであり、mは0、1、2若しくは3であり、nは0、1、2若しくは3であり、条件(m+n)≦3を有する。 - 特許庁

This electron gun 11 comprises an electrode GE with a function of adjusting the divergence angle of electron beams, between cathodes KR, KG, KB and a main electrostatic lens.例文帳に追加

カソードＫ_R ，Ｋ_G ，Ｋ_B と主電界レンズとの間に電子ビームの発散角調整機能をもつ電極Ｇ_E を有して電子銃１１を構成する。 - 特許庁

To provide a Gigabit Ethernet(R) passive optical network (GE-PON) system and a media access control method for the same.例文帳に追加

ギガビットイーサネット（登録商標）受動光ネットワークシステム及びその媒体接続制御方法を提供する。 - 特許庁

There is provided the dielectric material having a film of R-Ge-Ti-O where R is selected from Zr and Hf, and the manufacturing method thereof.例文帳に追加

本発明は、ＲがＺｒとＨｆから選択される、Ｒ−Ｇｅ−Ｔｉ−Ｏのフィルムを備えた誘電材料に関し、また、その製造方法に関連する。 - 特許庁

A signal processing section 38 operates N pieces of processing coefficient sequences Ge_1 to Ge_N created by each of the unit processing sections U[n] upon the acoustic signals SIN_L and SIN_R.例文帳に追加

信号処理部３８は、各単位処理部Ｕ[n]が生成したＮ個の処理係数列Ｇe_1〜Ｇe_Nを音響信号ＳIN_Lおよび音響信号ＳIN_Rの各々に作用させる。 - 特許庁

The display device comprises the electron gun 11 with the electrode GE with the function of adjusting the divergence angle of electron beams, between the cathodes KR, KG, KB and the main electrostatic lens.例文帳に追加

カソードとＫ_R，Ｋ_G ，Ｋ_B 主電界レンズとの間に電子ビームの発散角調整機能をもつ電極Ｇ_Eを有した電子銃１１を備えて表示装置を構成する。 - 特許庁

To provide a duplex apparatus for switching a path in a gigabit Ethernet (R) passive optical network (GE-PON) system, and a frame format for controlling the same.例文帳に追加

ギガビットイーサネット（登録商標）受動型光ネットワーク（ＧＥ−ＰＯＮ）システムでパスの切り替え可能な二重化装置及びその方法、及びその制御のためのフレームフォーマットを提供する。 - 特許庁

That means, the quantity of electrons to be outputted from the drain D changes due to the input of both application potential to a gate electrode GE and reverse spin quantity to be implanted from the reverse spin implanting section R.例文帳に追加

すなわち、ゲート電極ＧＥへの印加電位と、逆スピン注入部Ｒから注入される逆向きスピン量の双方の入力によって、ドレインＤから出力される電子量が変化する。 - 特許庁

To provide an idle pattern output control circuit used in a point-to- multipoint communication based Gigabit Ethernet(R)-passive optical network (GE-PON) in which a data loss caused by an idle pattern is prevented while using an ordinary Gigabit-Ethernet(R) controller.例文帳に追加

ポイント・ツー・マルチポイント通信を基本構造にするＧＥ−ＰＯＮにおいて、常用のギガビットイーサネット(登録商標)コントローラを使用しながらアイドルパターンによるデータ損失を防止することのできるアイドルパターン出力制御回路を提供する。 - 特許庁

To perform switch processing with a simple means by connecting a master station device and a slave station device with two communication lines and allowing communication by one line when the other line deteriorates in communication with respect to a line duplex GE-PON (Gigabit Ethernet (R)-Passive Optical Network) system.例文帳に追加

回線二重化ＧＥ−ＰＯＮシステムに関し、親局装置と子局装置との間を２つの通信回線で接続し、一方の回線が通信劣化したとき、他方の回線による通信を可能にし、それらの切り替え処理を簡易な手段で実現する。 - 特許庁