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level defectの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 302件
A crystal defect caused by the implantation of a fluorine ion can be recovered to decrease the leak level of the p-channel MOS transistor and a fluctuation in the leak by the steps of implanting a fluorine ion for forming the fluorine ion implantation region, implanting ion for forming a p-tyep LDD6, and heat treating before forming side walls of gate electrodes 3, 23 at temperatures not less than 900°C.例文帳に追加
フッ素イオン注入領域形成用のフッ素イオン注入、p型LDD6形成用のイオン注入後で、かつ、ゲート電極3,23のサイドウォールの形成前に900℃以上の熱処理を行うことにより、フッ素イオン注入による結晶欠陥を回復することが出来,その結果pチャネル型MOSトランジスタのリークレベルを低くすることができ,かつリークのばらつきも小さくできる。 - 特許庁
The method includes: preparation of a brushless excitation system 10, which includes a diode rectifier 30 having at least one diode 32; sensing 42 of thermal energy generated by at least one diode; detection 20 of deflection of the thermal energy generated from at least one diode; and generation 20 of a signal for indicating a diode failure or defect when the deflection of the generated thermal energy exceeds a predetermined threshold deflection level.例文帳に追加
少なくとも1個のダイオード32を有するダイオード整流器30を含むブラシレス励磁システム10を設けることと、少なくとも1個のダイオードによって発生した熱エネルギーを感知すること42と、少なくとも1個のダイオードから発生した熱エネルギーの偏差を検出すること20と、発生した熱エネルギーの偏差が、所定の閾値偏差レベルを超えた場合に、ダイオードの故障または不良を示す信号を発生させること20とを含む方法を提供する。 - 特許庁
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