例文 (11件) |
piezoresistancesを含む例文一覧と使い方
該当件数 : 11件
The respective piezoresistances R1 to R4 constitute pressure sensing elements which detect the deformation of a diaphragm part 2.例文帳に追加
各ピエゾ抵抗R1〜R4がそれぞれダイアフラム部2の変形を検出する感圧素子を構成する。 - 特許庁
To increase allowance for the arrangement of piezoresistances in a pressure detection apparatus capable of performing diagnosis for failure and including a pressure-receiving diaphragm, a plurality of piezoresistances formed on one side of the diaphragm and a plurality of bridge circuits each comprising a plurality of piezoresistances, with the resistance values of the piezoresistances varying depending on the deflection of the diaphragm.例文帳に追加
受圧用のダイヤフラムと、このダイヤフラムの一面側に形成されダイヤフラムの歪みに応じて抵抗値が変化する複数個のピエゾ抵抗と、複数個のピエゾ抵抗により構成された複数のブリッジ回路とを備え、故障診断可能な圧力検出装置において、ピエゾ抵抗の配置余裕度を大きくする。 - 特許庁
A sensor body 2 is provided with a detection circuit 7 comprising the piezoresistances R1 to R4 to connect the piezoresistances R1 to R4 and electrodes 9 to 12 by a wiring part 13 comprising a p-type low resistance part.例文帳に追加
センサ本体2には、ピエゾ抵抗R1〜R4からなる検出回路7を設け、ピエゾ抵抗R1〜R4と電極9〜12との間をp型低抵抗部からなる配線部13によって接続する。 - 特許庁
The zener diodes D1 to D5 are parallel connected to the piezoresistances R1 to R4 to form a protection circuit 14.例文帳に追加
そして、ツェナーダイオードD1〜D5をピエゾ抵抗R1〜R4に並列に接続して保護回路14を構成する。 - 特許庁
To provide a sensor device with its piezoresistances protected even in the occurrence of electrostatic discharge to lower failure frequency.例文帳に追加
静電気放電が生じてもピエゾ抵抗を保護することができ、故障頻度を低下させることができるセンサ装置を提供する。 - 特許庁
An absolute pressure sensor 1 includes a sensor substrate 10 in which a plurality of piezoresistances 12 and 12 are formed on the periphery of a diaphragm 11, and a cavity 13 is formed on the side opposite to the one to form the piezoresistances 12 and 12; a cap substrate 20 that is joined to the sensor substrate 10 so as to close the cavity 13.例文帳に追加
絶対圧力センサ1は、ダイアフラム11の周縁に複数のピエゾ抵抗12・12子を形成し、該ピエゾ抵抗12・12の形成面とは反対側の面にキャビティ13を形成したセンサ基板10に、キャビティ13を閉じるようにキャップ基板20を接合してなる。 - 特許庁
This makes it possible to dissipate electric charges due to a high voltage by using the zener diodes D1 to D5 when the high voltage acts on the piezoresistances R1 to R4.例文帳に追加
これにより、ピエゾ抵抗R1〜R4に高電圧が作用したときには、高電圧による電荷をツェナーダイオードD1〜D5を用いて逃すことができる。 - 特許庁
This sensor is equipped with a semiconductor sensor chip 10 which has four piezoresistances R1, R2, R3, and R4 on the main surface side of a single-crystal silicon (110) substrate 1.例文帳に追加
単結晶シリコン(110)基板1の主表面側に、4つのピエゾ抵抗R1〜R4が形成された半導体センサチップ1を備えている。 - 特許庁
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