「rietveld method」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

The weight ratio Wt/Wc of the tetragonal phase to the cubic phase is obtained by polyphase analysis by a Rietveld method.例文帳に追加

テトラゴナル相とキュービック相の重量比率Ｗｔ／Ｗｃは、リートベルト法による多相解析により求める。 - 特許庁

The crystallized glass has following crystal phase contents when measured by a Rietveld method (20 wt.% ≤petalite phase ≤40 wt.%, 25 wt.% ≤ lithium disilicate phase ≤45 wt.%, 10 wt.% ≤ α-quartz phase ≤25 wt.%).例文帳に追加

リートベルト定量法による各結晶定量値が以下の範囲内にある（２０重量％≦ペタライト相≦４０重量％、２５重量％≦リチウムダイシリケート相≦４５重量％、１０重量％≦α−石英相≦２５重量％）。 - 特許庁

In the lithium transition metal oxide represented by general formula: Li_1+xM_2-xO_4 (here, M in the formula is a transition metal containing Mn, Al and Mg, x is 0.01 to 0.08), a distance between atoms of Li-O measured by the Rietveld method using a fundamental method is regulated between 1.971 Å to 2.006 Å.例文帳に追加

一般式Ｌｉ_1+ｘＭ_2-ｘＯ_4（但し、式中のＭは、Ｍｎ、Ａｌ及びＭｇを含む遷移金属であり、ｘは０．０１〜０．０８である。）で表わされるリチウム遷移金属酸化物において、ファンダメンタル法を用いたリートベルト法で測定されるＬｉ-Ｏの原子間距離を１．９７１Å〜２．００６Åに規定する。 - 特許庁

The method for selecting a fly ash is characterized by selecting from one or more kinds of fly ashes containing α-quartz, a fly ash having a BET specific surface area of 5.0 m^2/g or less and a lattice constant b of the α-quartz obtained by Rietveld analysis of 0.4935 nm or less as a cement admixture.例文帳に追加

α−石英を含有する１種以上のフライアッシュから、セメント混合材として、ＢＥＴ比表面積が５．０ｍ^２／ｇ以下であり、且つリートベルト解析法で求められる前記α−石英の格子定数ｂが０．４９３５ｎｍ以下である、フライアッシュを選定することを特徴とするフライアッシュの選定方法。 - 特許庁

In the method of manufacturing the piezoelectric material having the composition in the vicinity of the morphotropic phase boundary, the piezoelectric material having excellent piezoelectric characteristics is obtained by analyzing a piezoelectric material using an X-ray diffraction-Rietveld analysis to identify a ceramic crystal phase after sintering as a mixed crystal of the tetragonal phase with the rhombohedral phase.例文帳に追加

モルフォトロピック相境界近傍組成の圧電材料の製造方法において、Ｘ線回折−リートベルト解析法を用いて解析を行い、焼結後のセラミックス結晶相を正方晶（Tetragonal）相と菱面体晶（Rhombohedral）相との混晶であることを同定することにより、圧電特性に優れた圧電材料を提供する。 - 特許庁