| 例文 (9件) |
stripped ionの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 9件
To flatten a stripped surface without deteriorating uniformity in the film thickness of a stripped semiconductor layer in a substrate stripping technology involving ion implantation.例文帳に追加
イオン注入による基板剥離技術において、剥離半導体層の膜厚均一性を悪化させることなく剥離面の平坦化を実施すること。 - 特許庁
After being stripped bordering on the ion implantation layer, the SOI wafer is oxidized in oxidizing atmosphere.例文帳に追加
このイオン注入層を境界として剥離した後、ＳＯＩウェーハを酸化性雰囲気で酸化処理する。 - 特許庁
In the following cooling process, the GaN thick film 15 is stripped from the sapphire substrate 11 in the ion implantation region 14.例文帳に追加
その後の冷却過程でＧａＮ厚膜１５をイオン注入領域１４においてサファイア基板１１から剥離する。 - 特許庁
The wafer thus stuck is then heated and a part thereof is stripped bordering on the ion implantation layer thus producing an SOI wafer.例文帳に追加
この貼り合わせウェーハを加熱することにより、イオン注入層を境界にその一部を剥離し、ＳＯＩウェーハを作製する。 - 特許庁
After being stripped bordering on the ion implantation layer, the SOI wafer is oxidized to form an oxide film having a predetermined thickness.例文帳に追加
このイオン注入層を境界として剥離した後、ＳＯＩウェーハを酸化処理し、所定厚さの酸化膜を形成する。 - 特許庁
This recovery method has an ammonia stripping process in which ammonia and/or an ammonium ion is stripped from the waste water by suction under reduced pressure of the head space gas in the reactor 1 in which the waste water containing ammonia and/or an ammonium ion is introduced, and an ammonia liquefaction process in which the ammonia gas stripped in the ammonia striping process is liquefied.例文帳に追加
アンモニア及び／又はアンモニウムイオンを含有する廃水を導入した反応槽１内のヘッドスペースガスを減圧吸引して廃水中からアンモニア及び／又はアンモニウムイオンを揮散させるアンモニア揮散工程と、アンモニア揮散工程で揮散したアンモニアガスを液化するアンモニア液化工程とを備えた。 - 特許庁
After that, the retaining substrate 15 is stripped, and ion implantation is performed for forming a p-type impurity layer 19 on the back side of the substrate 11.例文帳に追加
その後、支持基板１５を取り除き、第１の半導体基板１１の裏面側にｐ型不純物層１９を形成するために、イオン注入をおこなう。 - 特許庁
A semiconductor multilayer film 100 is formed on a substrate, the substrate is stripped off from the semiconductor multilayer film 100, and then a phosphor film 3 is formed on the semiconductor multilayer film 100 by ion plating using arc discharge plasma.例文帳に追加
基板上に半導体積層膜１００を形成し、半導体積層膜１００から基板を剥離し、半導体積層膜１００上にアーク放電プラズマを用いるイオンプレーティング法により蛍光体膜３を成膜する。 - 特許庁
When the etching residue is stripped, at least two kinds of the removers are used together, wherein one is the remover having the solubility of titanium and a titanium compound, and the other is the remover including at least salt of a hydrofluoric acid and a metal ion-free base.例文帳に追加
エッチング残渣物を剥離するに際し、剥離液として、チタンおよびチタン化合物の溶解性を有する剥離液と、少なくともフッ化水素酸と金属イオンを含まない塩基との塩を含有する剥離液との少なくとも２液を併用する。 - 特許庁
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