「thin gate」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

METHOD OF MANUFACTURING GATE THIN FILM TRANSISTOR例文帳に追加

ゲート薄膜トランジスタの製造方法 - 特許庁

THIN FILM TRANSISTOR AND GATE INSULATING FILM例文帳に追加

薄膜トランジスタ及びゲート絶縁膜 - 特許庁

THIN FILM INSULATED GATE SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

薄膜状絶縁ゲイト型半導体装置 - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING TOP GATE THIN-FILM TRANSISTOR例文帳に追加

トップゲート型薄膜トランジスタの製造方法 - 特許庁

THIN FILM TRANSISTOR AND MANUFACTURING METHOD OF TOP GATE TYPE THIN FILM TRANSISTOR例文帳に追加

薄膜トランジスタ及びトップゲート型薄膜トランジスタの製造方法 - 特許庁

To provide a thin and high-quality gate oxide film.例文帳に追加

薄い高品質のゲート酸化物を提供する。 - 特許庁

INSULATED GATE THIN FILM TRANSISTOR AND ITS CONTROLLING METHOD例文帳に追加

絶縁ゲート薄膜トランジスタとその制御方法 - 特許庁

GATE OVERLAP TYPE LDD POLYSILICON THIN FILM TRANSISTOR例文帳に追加

ゲートオーバーラップ型ＬＤＤポリシリコン薄膜トランジスタ - 特許庁

The Al thin film 4 serves as a gate electrode 4.例文帳に追加

このＡｌ薄膜４はゲート電極４になる。 - 特許庁

To disclose a gate body contact thin film transistor.例文帳に追加

ゲート−ボディーコンタクト薄膜トランジスターを開示する。 - 特許庁

BOTTOM-GATE THIN-FILM TRANSISTOR AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

ボトムゲート型薄膜トランジスタ及びその製造方法 - 特許庁

GATE DRIVER CIRCUIT OF THIN-FILM TRANSISTOR LIQUID CRYSTAL DISPLAY例文帳に追加

薄膜トランジスタ液晶ディスプレイのゲートドライバ回路 - 特許庁

TOP GATE TYPE THIN FILM TRANSISTOR AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

トップゲート型薄膜トランジスタ及びその製造方法 - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING TOP GATE-TYPE POLYSILICON THIN FILM TRANSISTOR例文帳に追加

トップゲート形ポリシリコン薄膜トランジスター製造方法 - 特許庁

The gate electrode of the thin film transistor is formed on the gate insulating film 5.例文帳に追加

ゲート絶縁膜５上には、薄膜トランジスタのゲート電極が形成されている。 - 特許庁

MANUFACTURE OF THIN-FILM INSULATING GATE SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

薄膜状絶縁ゲイト型半導体装置の作製方法 - 特許庁

The thin film transistor 101 is a bottom gate type thin film transistor where a semiconductor thin film 27 of polysilicon is formed on a gate electrode 22 through a gate insulating film 24.例文帳に追加

薄膜トランジスタ１０１は、ゲート電極２２上にゲート絶縁膜２４を介してポリシリコンからなる半導体薄膜２７が形成されたボトムゲート型の薄膜トランジスタである。 - 特許庁

GATE INSULATOR FILM FOR THIN FILM TRANSISTOR AND THIN FILM TRANSISTOR ELEMENT WITH INSULATOR FILM例文帳に追加

薄膜トランジスタ用ゲート絶縁膜および該絶縁膜を備えた薄膜トランジスタ素子 - 特許庁

MANUFACTURING METHOD OF THIN FILM TRANSISTOR SUBSTRATE AND THIN FILM TRANSISTOR SUBSTRATE OF TOP GATE STRUCTURE例文帳に追加

薄膜トランジスタ基板の製造方法およびトップゲート構造薄膜トランジスタ基板 - 特許庁

The metal wiring 80a is served as the gate electrode of a bottom-gate thin film transistor 60.例文帳に追加

金属配線８０ａはボトムゲート型薄膜トランジスタ６０のゲート電極となっている。 - 特許庁

BOTTOM GATE TYPE ORGANIC THIN-FILM TRANSISTOR AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

ボトムゲート型有機薄膜トランジスタ及びその製造方法 - 特許庁

METHOD FOR IMPROVING INTEGRITY OF ULTRA-THIN GATE OXIDE例文帳に追加

超薄型ゲート酸化物の完全性を改良する方法 - 特許庁

GATE INSULATING FILM, THIN FILM TRANSISTOR SUBSTRATE, AND MANUFACTURING METHOD THEREOF例文帳に追加

ゲート絶縁膜、薄膜トランジスタ基板及びその製造方法 - 特許庁

The gate insulating film 5 has a thin film part and a thick film part.例文帳に追加

ゲート絶縁膜５は、薄膜部及び厚膜部を有する。 - 特許庁

THIN FILM TRANSISTOR USING MoW ALLOY IN GATE ELECTRODE例文帳に追加

ゲート電極にＭｏＷ合金を使用した薄膜トランジスタ - 特許庁

THIN BARRIER METAL FOR ACTIVE ELECTRODE OF MOS GATE DEVICE例文帳に追加

ＭＯＳゲートデバイスの能動電極用の薄いバリア金属 - 特許庁

ORGANIC THIN-FILM TRANSISTOR, GATE INSULATION FILM, METHOD OF MANUFACTURING ORGANIC THIN-FILM TRANSISTOR, AND DISPLAY例文帳に追加

有機薄膜トランジスタ、ゲート絶縁膜、有機薄膜トランジスタの製造方法、及び表示装置 - 特許庁

Each pixel has a thin film transistor (TFT), a gate of the thin film transistor of the pixel is connected to the gate line GL and the thin film transistor is driven by a scanning signal.例文帳に追加

各画素は、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を有しており、この画素の薄膜トランジスタのゲートはゲート線ＧＬに接続され、走査信号により駆動される。 - 特許庁

ORGANIC GATE INSULATING FILM AND ORGANIC THIN FILM TRANSISTOR USING THE SAME例文帳に追加

有機ゲート絶縁膜およびこれを用いた有機薄膜トランジスタ - 特許庁

TOP GATE TYPE THIN FILM TRANSISTOR AND DISPLAY DEVICE INCLUDING THE SAME例文帳に追加

トップゲート型薄膜トランジスタ及びこれを備えた表示装置 - 特許庁

To rationalize the production process of a thin-film dual-gate transistor.例文帳に追加

デュアルゲート構造の薄膜トランジスタの製造プロセスを合理化する。 - 特許庁

Each of the thin-film transistors is separately turned on by the gate-on voltage from the different gate lines.例文帳に追加

各薄膜トランジスタは、異なるゲート線からのゲートオン電圧によって別々にターンオンする。 - 特許庁

In a thin-film transistor 10, a gate electrode 1, gate insulating film, and a semiconductor layer 2 are stacked.例文帳に追加

薄膜トランジスタ１０は、ゲート電極１、ゲート絶縁膜及び半導体層２を積層してなる。 - 特許庁

A gate length of the thin-film transistor is 2 μm or less, and a gate width thereof is 10 μm or more.例文帳に追加

薄膜トランジスタのゲート長は２μｍ以下であり、ゲート幅は１０μｍ以上である。 - 特許庁

A gate signal circuit 11 is electrically connected to each gate electrode 32 of thin film transistors 7.例文帳に追加

薄膜トランジスタ７それぞれのゲート電極32にゲート信号回路11を電気的に接続させる。 - 特許庁

A gate electrode 9 is patterned on a semiconductor thin film 5 through a gate insulating film 7.例文帳に追加

半導体薄膜５上にゲート絶縁膜７を介してゲート電極９をパターン形成する。 - 特許庁

An oxygen concentration adjusting thin film 4 is formed between a gate insulating film 3A and a gate electrode 6.例文帳に追加

ゲート絶縁膜３Ａとゲート電極６の間に酸素濃度調整薄膜４を形成する。 - 特許庁

A gate pattern 9 is a closed path pattern consisting of thin lines intersecting a gate ring 8 at a plurality of positions.例文帳に追加

ゲートパターン９は、ゲートリング８と複数箇所にて交わる細線からなる閉路パターンである。 - 特許庁

A thin-film transistor includes a gate electrode having a first gate electrode edge and a second gate electrode edge opposite to the first gate electrode edge.例文帳に追加

薄膜トランジスタは、第一のゲート電極の端部と、第一のゲート電極の端部に対向する第二のゲート電極の端部とを有するゲート電極を含む。 - 特許庁

The thin film transistor has a semiconductor thin film PSI and a pair of gate electrodes F-GATE and S-GATE for clamping the semiconductor thin film PSI from above and below through insulating films 1GOX and 2GOX.例文帳に追加

薄膜トランジスタは、半導体薄膜ＰＳＩと、絶縁膜１ＧＯＸ，２ＧＯＸを介して半導体薄膜ＰＳＩを上下から挟む一対のゲート電極Ｆ−ＧＡＴＥ、Ｓ−ＧＡＴＥとを有する。 - 特許庁

METHOD OF FORMING GATE INSULATING FILM, METHOD OF MANUFACTURING ORGANIC THIN-FILM TRANSISTOR, AND ORGANIC THIN-FILM DEVICE例文帳に追加

ゲート絶縁膜の形成方法、有機薄膜トランジスタの製造方法および有機薄膜デバイス - 特許庁

This thin film transistor comprises a gate electrode positioned on a substrate, and a gate insulating film positioned on the gate electrode.例文帳に追加

前記薄膜トランジスタは、基板上に位置するゲート電極及び前記ゲート電極上に位置するゲート絶縁膜を備える。 - 特許庁

METHOD FOR IMPROVED PLASMA NITRIDATION OF ULTRA THIN GATE DIELECTRIC例文帳に追加

改善された超薄型ゲート誘電体のプラズマ窒化物形成方法 - 特許庁

TOP GATE SELF-ALIGNED POLYSILICON THIN FILM TRANSISTOR, ITS MANUFACTURING METHOD AND ARRAY例文帳に追加

トップゲートセルフアラインポリシリコン薄膜トランジスタ、その製造方法、及びアレイ - 特許庁

Ideally, the gate insulating film is constituted in a composite film of the ferromagnetic ZnO thin film and a conductive ZnO thin film which is integrally formed on the ferromagnetic thin film and used as a gate electrode.例文帳に追加

好適には、強誘電性のＺｎＯ薄膜上に、ゲート電極として用いられる導電性のＺｎＯ薄膜を一体的に形成した複合膜とする。 - 特許庁