「ultrathin silicon」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

To provide a method of manufacturing a semiconductor device, by which an ultrathin and fine interface layer is formed which separates a high-k film and a silicon substrate.例文帳に追加

高誘電体膜とシリコン基板とを分離する、極薄かつ緻密な界面層を形成する半導体デバイスの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for fabricating an ultrathin SOI MOS transistor having an upper silicon layer thinner than 20 nm.例文帳に追加

２０ｎｍより薄い上部シリコン層を有する超薄膜ＳＯＩ ＭＯＳトランジスタの製造方法を提供する。 - 特許庁

To inhibit increase in film thickness calculated in terms of the film thickness of a silicon oxide film as the whole gate insulating film and to constitute an ultrathin gate insulating film containing an insulating film having a high dielectric constant as its main component.例文帳に追加

ゲート絶縁膜全体として、シリコン酸化膜換算膜厚の増加を抑制し、高誘電率を有する絶縁膜を主体とした極薄ゲート絶縁膜を構成すること。 - 特許庁

Thereby, an ultrathin gate insulating film containing the film 18, which inhibits increase in film thickness calculated in terms of the film thickness of a silicon oxide film and has a high dielectric constant, as its main component can be constituted.例文帳に追加

これにより、膜厚の増加を抑制し、高誘電率を有する絶縁膜を主体とした極薄ゲート絶縁膜を構成することができた。 - 特許庁

The single crystal SiC substrate produced by the above method is disposed opposing to a carbon supply feed substrate and heated while making an ultrathin melt layer of silicon be present therebetween so as to epitaxially grow a single crystal 4H-SiC in a liquid phase by a metastable solvent epitaxy method.例文帳に追加

前記方法で製造した単結晶ＳｉＣ基板と炭素供給フィード基板とを対向配置し、その間にシリコンの極薄融液層を介在させつつ加熱することで、準安定溶媒エピタキシー法によって単結晶４Ｈ−ＳｉＣを液相エピタキシャル成長させる。 - 特許庁