「xp-20」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

Then an SiO2 film 21 is formed on the cap layer 20 and the film 21 in a stripe area having a width of about 1-3 μm is removed.例文帳に追加

この上にSiO_2膜21を形成し、1〜3μｍ程度の幅のストライプ領域のSiO_2膜21を除去し、これをマスクとして、In_xGa_1-xP電流狭窄層19、p-In_xGa_1-xP層18をエッチングする。 - 特許庁

Thereafter, the current constricting layer 19 and p-type InxGa1-xP layer 18 are etched by using the SiO2 film 21 as a mask.例文帳に追加

SiO_2膜21を除去し、n-GaAsキャップ層20と溝の底面のp-In_x1Ga_1-x1As_1-y1P_y_1第二エッチング阻止層17を除去する。 - 特許庁

On an n-cathode layer 1 in which antimony is doped, an epitaxial growth layer 20 is formed while doping phosphorous, and a impurity concentration in the epitaxial growth layer 20 is gradually increased from an n^+-layer 1 side to a central part (Xp) and gradually decreased from the central part (Xp) toward the surface of the epitaxial growth layer 20.例文帳に追加

アンチモンを導入したｎカソード層１に、リンをドープさせながらエピタキシャル成長層２０を形成し、このエピタキシャル成長層２０の不純物濃度を、ｎ^＋ 層１側から中央部（Ｘｐ）までは、徐々に増大させ、中央部（Ｘｐ）からエピタキシャル成長層２０表面へ向かって、不純物濃度を徐々に減少させる。 - 特許庁

Voltage correction processing 20 corrects a fully charging voltage VF and a discharge ending voltage VE set beforehand by using the battery temperature T, and a reference corrected capacity calculation processing 21 obtains a new reference, capacity XT based on collected present battery temperatures by using the corrected fully charging voltage VFT and the discharge ending voltage VET and a reference capacity Xp equivalent to 1% of the total capacity of the battery set beforehand.例文帳に追加

電圧補正処理２０がバッテリの温度Ｔを用いて予め設定されている満充電電圧ＶＦ、放電終止電圧ＶＥを補正し、基準補正容量算出処理２１がこの補正した満充電電圧ＶＦＴ、放電終止電圧ＶＥＴと予め設定されているバッテリの総容量の１％に相当する基準容量Ｘｐとを用いて、収集したバッテリの現在の温度Ｔに基づく新たな基準容量ＸＴを求める。 - 特許庁