「Defect」を含む例文一覧(18306)
＜前へ 1 2 .... 139 140 141 142 143 144 145 146 147 .... 366 367 次へ＞- The step to generate the defect aggregate in the dislocation line is a step wherein the fluoride crystal is irradiated with radiation.
前記転位線に欠陥集合体を発生させる工程が、放射線をフッ化物結晶に照射する工程である。 - 特許庁 - In a process 14, the defect distribution (number of defects per unit area) of insulating films is found from data provided in the process 13.
過程１４は、過程１３で得られたデータから絶縁膜の欠陥分布（単位面積当たりの欠陥）を求める。 - 特許庁 - The dark current component 130 caused by the defect is added to signal charges 134 to 135 by this vertical transfer.
この垂直転送により、信号電荷１３４〜１３５には、欠陥に起因した暗電流成分１３０が加算される。 - 特許庁 - The defect determination means include a first determination means 21, a second determination means 22 and a third determination means 23.
キズ判定手段は、第１の判定手段２１と、第２の判定手段２２と、第３の判定手段２３と、を有する。 - 特許庁 - In such case, the buyer may claim compensation (liability for defect goods, Article 570 of the Civil Code) although it may not terminate the contract.
この場合、契約を解除することができなくても損害賠償を請求できる（瑕疵担保責任、民法第570条）。 - 経済産業省 - The dynamic defect detection test pattern can contain a last-shift-launch test pattern and a broad-side test pattern, for example.
動的欠陥検出テストパターンは、例えば、ラスト−シフト−ローンチテストパターン及びブロードサイドテストパターンを含むことができる。 - 特許庁 - To improve image quality by preventing an image defect due to oscillation of a photoreceptor drum used for an image forming apparatus.
画像形成装置に使用される感光ドラムの振動起因の画像不良を防止し、画像品質を向上させる。 - 特許庁 - To prevent a connection defect when a semiconductor package is mounted on a printed board by precisely measuring the height at a measurement point of a fine component at a high speed with high precision and specially detecting a height defect of a bump electrode of the semiconductor package and the curvature of the package.
微小部品の計測点の高さ測定を高精度且つ高速に行い、特に半導体パッケージのバンプ電極の高さ不良及びパッケージの反りを検出して、プリント基板に実装したときの接続不良を未然に防止する。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing a mask by which processes of inspection and correction in the mask manufacturing processes can be omitted and a mask can be manufactured at low cost keeping an ensured delivery time without requiring an expensive defect inspection apparatus or a defect correcting apparatus.
マスク製造工程における検査、修正プロセスを省略することができ、高価な欠陥検査装置や欠陥修正装置を必要とせず、確実な納期で安価にマスク製作することが可能となるマスク製造方法を提供する。 - 特許庁 - After the semiconductor chip is mounted an each device area followed by bonding using a bonding wire 6, a visual inspection such as on discontinuity of the bonding wire 6, is performed and a defect mark FM is posted onto the surface of the semiconductor chip 4 having a assembly-related defect.
各々のデバイス領域に半導体チップ４を搭載して、ボンディングワイヤ６によるボンディング後、ボンディングワイヤ６の断線などの外観検査を行い、組み立て不良がある半導体チップ４の表面に不良マークＦＭを貼り付ける。 - 特許庁 - Adjustment by human hand is facilitated and reflection of knowledge about the defect other than the sample data of the defect is enabled by using discrimination by a logic table in which discriminating conditions are specified by every kind of defects.
判別手段として、各欠陥の種類毎に判別条件を明記したロジックテーブルによる判別を用いることで、人間の手による調整が容易となり、欠陥のサンプルデータ以外の欠陥に関する知識を反映させることを可能にする。 - 特許庁 - To provide a semiconductor device defect inspection method and a system thereof which inspects predetermined risky spots using a step-and-repeat type high resolution SEM and estimates a defect occurrence frequency at the risky spots statistically with high reliability.
ステップ・アンド・リピート式の高解像度ＳＥＭを用いて予め定められた危険点を検査し、危険点での欠陥発生頻度を統計的かつ信頼性を持って推定する半導体デバイスの欠陥検査方法及びそのシステムを提供する。 - 特許庁 - To provide an image recorder which can accurately carry out detection of recording defect by correcting offset even when the offset by recording processing on both faces of a recording medium takes place, and to provide a method for detecting recording defect by the recorder.
記録媒体両面への記録処理により裏写りが生じた場合でも、この裏写りを補正して記録不良の検出を精度良く行うことが可能な画像記録装置、その装置による記録不良検出方法及びプログラムを提供する。 - 特許庁 - if the correlation between a plurality of defect size values calculated according to each quantity of light detected with a plurality of dark field part detectors satisfies a reference condition previously set, the kind of defect is decided as being not particles.
前記複数の暗視野部検出器で各々検出された光量に応じて算出された複数の欠陥サイズ値間の相関関係が予め設定した基準条件を満足するなら、前記欠陥の種類がパーチクルでないと判定する。 - 特許庁 - In this defect inspecting method for the color filter, a surface potential of the color filter is measured by an atomic force microscope, and a defect in the surface is inspected based on a difference between the maximum value and the minimum value in the surface potential.
カラーフィルターの欠陥検査方法であって、カラーフィルターの表面電位を原子間力顕微鏡で測定し、表面電位の最大値と最小値の差から表面の欠陥を検査することを特徴とするカラーフィルターの欠陥検査方法。 - 特許庁 - To provide a device and method for detecting a surface defect of a round wire rod in real-time and without contact, using an optical sensor, in which the surface defect occurs on a surface of the wire rod in a process of manufacturing the wire rod through rolling, drawing and extrusion.
本発明は、線材製造工程のうち圧延、引抜、及び射出工程で線材を生産する過程で線材の表面に発生する表面欠陥を光学センサを用いて非接触式でリアルタイムに検出する装置及び方法に関する。 - 特許庁 - To prevent exhaust defect, quality defect and the corrosion of ambient equipment, to prevent the reduction of operation rate due to the exchange of the exhaust pipe and to reduce the maintenance cost by preventing clogging of an exhaust pipe, the entrainment of the air and the indoor leakage of a dehydrated process gas.
排気管詰まり、大気巻き込み、脱水プロセスガスの室内漏洩が生じないようにし、排気不良、品質不良、周辺設備の腐食を防止するとともに、排気管交換による稼働率低下の防止や、補修費の低減を図る。 - 特許庁 - Since the time dispersion σ^2 acquired in this manner is an index representing a history of the time variation of the pixel value, the defect pixel is appropriately detected from the time dispersion σ^2 for a pixel which is not defect constantly.
このように求められた時間分散σ^２は、画素値の時間変化の履歴を表す指標ともなるので、恒常的に欠損画素でない画素についても、その時間分散σ^２に基づいて欠損画素を適正に検出することができる。 - 特許庁 - To provide a method for repairing peeling of antireflection coating of mask which repairs the peeling of antireflection coating of chromium oxide in the region irradiated with ion beam when the defect is corrected by a defect correcting device by means of ion beam and enables high quality correction for a mask having chromium oxide antireflection coating too.
イオンビームによる欠陥修正装置で欠陥を修正するときにイオンビームの照射領域の酸化クロム反射防止膜のはがれを修復し、酸化クロム反射防止膜を有するマスクに対しても高品位な修正を可能にする。 - 特許庁 - To provide an image forming apparatus that can effectively remove defects due to heat fusion of remaining toner collected in a cleaning device and a leak to outside the device and also avoid a rise in cost for the defect removal without providing any special device to eliminate the defect.
画像形成装置において、クリーニング装置に回収された残トナーの熱融着や機外漏出による不具合を有効に解消でき、またその不具合解消のために特別な装置を設けることなく高コスト化が避けられるようにする。 - 特許庁 - The photonic crystal line defect waveguide 110 is arrayed with holes 112 by photonic crystals within a high dielectric constant medium 1111 by dividing these holes to two groups in a triangular grid form and the line defect section 113 is formed at their boundary.
フォトニック結晶線欠陥導波路１１０は、高誘電率媒質１１１１内にフォトニック結晶による孔１１２が三角格子状に２つのグループに分けて配列され、その境界部には線欠陥部１１３が形成されている。 - 特許庁 - To provide a review apparatus positively, highly accurately and efficiently conducting automatic defect review (ADR) and automatic defect classification (ADC) by aligning defects detected in an upstream inspection apparatus in a short time, for the review apparatus.
上流の検査装置で検出された欠陥を、レビュー装置に対して確実に、高精度に、しかも短時間にアライメントをして効率よく、詳細再検査（ＡＤＲ）や欠陥分類（ＡＤＣ）を行うことができるようにしたレビュー装置を提供する。 - 特許庁 - Thus, the defective portion exceeding the area ratio limitation on a layout design stage is detected, thereby avoiding the formation defect such as large area wiring disconnection, wiring destruction or surface peeling caused by hillock or a connection defect between wiring and the contact hole.
このように、レイアウト設計段階で面積比制限を超える不良箇所を検出することにより、ヒロックや配線とコンタクトホールとの接続不良による大面積配線の断線、配線破壊、表面剥離などの形成不良を回避できる。 - 特許庁 - This image pickup apparatus is provided with a setting means (microcomputer 7 and key switch 8) for arbitrarily selecting and setting by user's operation a timing of activating defect detection by a defect detecting means (microcomputer 7) in association with the operation of the apparatus.
本発明の撮像装置は、ユーザー操作により欠陥検出手段（マイコン７）による欠陥検出を起動するタイミングを装置の動作に関連して任意に選択して設定する設定手段（マイコン７及びキースイッチ８）を備えたものである。 - 特許庁 - To solve a defect due to non-efficiency when software and hardware are individually prepared and packaged in each information distribution service to be provided and a defect that necessary software and hardware functions should be newly prepared in each addition of service.
提供したい情報配信サービス毎に、ソフトウェアおよびハードウェアを個別に作成して実装することの非効率さという欠点とサービス追加のたびに必要なソフトウェアおよびハードウェア機能を新規に作成しなければならない欠点の解決を図る。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing an absorption type multilayer film ND (Neutral Density) filter chip having no burr-shaped defect, by removing a burr-shaped defect generated by press working of an absorption type multilayer film ND filter sheet without giving influence to an optical path part.
吸収型多層膜ＮＤフィルターシートのプレス加工で発生したヒゲ状欠陥を、光路部分に影響を与えることなく除去して、ヒゲ状欠陥のない吸収型多層膜ＮＤフィルターチップを製造する方法を提供する。 - 特許庁 - To provide an image forming apparatus that has a high operation rate by reducing the total number of times at which highly emergent electric conduction defect is detected, while surely detecting electric conduction defect having the high possibility that it influences peripheral electronic circuits and power supply lines.
周囲の電子回路や電源ラインに影響を及ぼす可能性が高い導通不良を確実に検出しつつ、緊急性の高い導通不良が検出される総回数を減らして稼働率を高められる画像形成装置を提供する。 - 特許庁 - Although a high-density defect is introduced into an SiGe epitaxial film 11 from an interface to the Si substrate 10, heat treatment is performed at 700 or 1,200°C to change a through dislocation 12 into a loop dislocation defect 12' near an Si substrate interface.
ＳｉＧｅエピタキシャル膜１１中にはＳｉ基板１０との界面から高密度の欠陥が導入されるが、７００乃至１２００℃の熱処理を施して貫通転位１２をＳｉ基板界面近傍のループ転位状欠陥１２´に変化させる。 - 特許庁 - In an inspection method of the flexible container, the flexible container is irradiated with light of a light emitting diode in a state where the whole shape of the flexible container is maintained, and the defect part is detected by detecting the light transmitting through the defect part of the flexible container.
フレキシブルコンテナの全体形状を保った状態で、該フレキシブルコンテナに発光ダイオードの光を照射し、該フレキシブルコンテナの欠陥部を透過する光を検出することにより欠陥部を検知することを特徴とするフレキシブルコンテナの検査方法。 - 特許庁 - A trace of laser (group) on a standard sample which is a semiconductor substrate formed the trace of laser (group) thereon is detected optically as a pseudo defect on a scattering light image, and the detected pseudo defect is used as an evaluation reference to perform the evaluation.
表面にレーザー痕（群）が形成された半導体基板である標準試料上の該レーザー痕（群）を散乱光画像において擬似欠陥として光学的に検出し、検出された擬似欠陥を評価基準として、前記評価を行う。 - 特許庁 - Since a thinning stop layer containing silicon grains, silicon oxide and boron is present on a wafer surface layer, an implantation defect of oxygen ions is captured by boron, and the occurrence frequency of film formation defects of an epitaxial film caused due to the implantation defect can be reduced.
シリコン粒、シリコン酸化物、ボロンを含む薄膜化ストップ層がウェーハ表層に存在するので、酸素イオンの注入欠陥をボロンが捕獲し、この注入欠陥を原因としたエピタキシャル膜の成膜欠陥の発生頻度を低減できる。 - 特許庁 - To provide a method for inspecting a defect in a semiconductor single crystal, which is capable of observing and inspecting a harmful minute crystal defect securely, without generating defects such as color change in a surface of an inspection target like a semiconductor single-crystal wafer.
半導体単結晶ウェハのような被検査物の表面に変色などの欠陥を生じせしめることなく、有害な微細結晶欠陥を確実に観察・検査することが可能な、半導体単結晶中の欠陥検査方法を提供する。 - 特許庁 - It is inspected whether a pixel P has a defect and when the pixel has the defect, the non-overlap portion of the defective pixel is irradiated with laser light to cut the non-overlap portion irradiated with the laser light, thereby repairing the defective pixel.
画素Ｐに欠陥が生じているかどうか検査し、画素に欠陥が生じている場合、欠陥が生じている画素の非重畳部にレーザ光を照射し、レーザ光が照射された非重畳部を切断し、欠陥の画素を修復する。 - 特許庁 - In the feature quantities for which the learning model A cannot specify the defect type "C1" or "C2", a learning model B is formed, by generating a plurality of partial feature quantity spaces for associating the group of the values of the feature quantity with the defect types "C1" and "C2".
そして、学習モデルＡでは疵種「Ｃ１」、「Ｃ２」を特定できない特徴量について、当該特徴量の値の組と疵種「Ｃ１」、「Ｃ２」とを対応付けるための複数の部分特徴量空間を生成して学習モデルＢを形成する。 - 特許庁 - The defect detection light is converged in a position where the its writing/reading order is after the RF signal during information recording/reproducing, and a defect is detected before actual information writing or reading.
この欠陥検出光は、情報の記録又は再生時において、ＲＦ信号光よりも書き込み又は読み出しの順序が後である位置に集光しており、実際に情報の書き込み又は読み出しが行われる以前に欠陥が検出される。 - 特許庁 - Since the organic materials are removed before the forming process of the base dielectric of the rear panel, generation of bubbles in the base dielectric can be prevented, and a failure such as a breakdown voltage defect and a partition wall forming defect can be prevented.
背面板の下地誘電体形成工程前に有機物を除去することで、下地誘電体中への気泡の発生を防止することができ、絶縁耐圧不良や隔壁形成不良等の欠陥を防止することが可能となる。 - 特許庁 - To provide an FPD (Flat Panel Display) dot defect inspection method and a device, capable of detecting all dot defects from an integrated luminance image acquired by one-time photographing, relating to the FPD dot defect inspection method and the device.
本発明はＦＰＤドット欠陥検査方法及び装置に関し、１回の撮影で取得した積算輝度画像から、全てのドット欠陥を検出することができるＦＰＤドット欠陥検査方法及び装置を提供することを目的としている。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing a silicon wafer having excellent GOI characteristics by reducing faults due to a residual working caused defect or the like caused by mechanical working such as polishing and a residual crystal defect with an OSF used as a nucleus, and to provide the silicon wafer.
ＯＳＦ等を核とした残留結晶欠陥、研磨等の機械的加工に起因する残留加工起因欠陥等による不良点を低減することにより、ＧＯＩ特性に優れたシリコンウェーハの製造方法及びシリコンウェーハを提供する。 - 特許庁 - To extract a defect information of raw material, such as the positions, the number or the like of defects, and to transfer the defect information from a preceding process to a subsequent process, in case where defective parts exist in roll-shaped web-like raw material unrolled for printing, processing or the like.
印刷又は加工などのために巻き出されるロール状のウエブ状素材に不良部分が存在した場合に不良位置、個数など素材の不良情報を抽出したり、その不良情報を前工程から次工程に伝達する。 - 特許庁 - This conveyance inspection device 1 is equipped with this conveyance device 2 for conveying a thin member 5 in the noncontact state by controlling a voltage applied to an electrode surface, and a defect inspection device 3 for inspecting the defect of the thin member 5 during conveyance.
電極面へ印加する電圧を制御して薄状部材５を非接触の状態で搬送する搬送装置２と薄状部材５の欠陥を搬送中に検査する欠陥検査装置３とを備えた搬送検査装置１である。 - 特許庁 - The analyzer extracts and displays the measured result obtained using the consumable with the defect lot number, or discriminates the consumable with the defect lot number, as a result of the collation.
照合の結果、欠陥ロット番号を有する消耗品を使用して得られた測定結果を抽出して表示することが可能な分析装置、あるいは欠陥ロット番号を有する消耗品を識別することが可能な分析装置を提供する。 - 特許庁 - To provide a method for inspecting the defect in block of furnace body in a blast furnace with which the defect developed in this block can suitably be detected until setting a plurality of blocks of furnace body in the blast furnace pre-produced at a position except the blast furnace foundation, onto the blast furnace foundation.
予め高炉基礎以外の場所において製造した高炉炉体の複数のブロックを高炉基礎上に設置するまでに、当該ブロックに生じた欠陥を好適に検知できる高炉炉体のブロックの欠陥検査方法を提供する。 - 特許庁 - Whereby the searching adapted to the actual manufacturing line such that only the defect of the front surface 1a is regarded as no-good, only the defect of the rear surface is regarded as no-good, and each of the defects of the front surface 1a and the rear surface 1b is totalized, can be performed.
これにより、表面１ａの欠陥のみを不良とする、裏面１ｂの欠陥のみを不良とする、表面１ａの欠陥、裏面１ｂの欠陥それぞれの集計をするといった、実際の製造ラインに即した検査が可能となる。 - 特許庁 - To obtain a boron phosphide based semiconductor layer exhibiting excellent crystallinity by reducing the density of crystal defect such as twin or lamination defect, and to enhance various characteristics as an element by utilizing the boron phosphide based semiconductor layer.
燐化硼素系半導体層を双晶や積層欠陥等の結晶欠陥の密度の小さな結晶性に優れたものすることができ、この燐化硼素系半導体層を利用して、素子としての諸特性を向上させることができるようにする。 - 特許庁 - To provide a defect correction device capable of high accuracy correction of defects having a variety of dimensions and also to provide a laser-output decision system to be employed for the defect correction device.
本発明は、種々の大きさの欠陥部にたいしても高精度に修正を行える欠陥修正装置を提供することであり、また、本発明の他の目的は、上記欠陥修正装置に用いられるレーザの出力判定システムを提供することである。 - 特許庁 - Furthermore, using the acquired pixel defect information and information with respect to defects caused at all times stored in advance in an EEPROM 118 allows a defect pixel detection section 112b to discriminate pixels that are finally decided to be defective pixels.
そして、その取得された画素欠陥情報、さらにはＥＥＰＲＯＭ１１８に予め格納されている常欠陥に関する情報とを用いることにより、最終的に欠陥画素とすべき画素が欠陥画素検出部１１２ｂにて判定される。 - 特許庁 - A stage control system 141 in a review operation control mechanism 14 selects only coordinate data which meet predetermined conditions from a mask image database 142 out of coordinate data of defect positions obtained by a defect inspection as regions subjected to the review, for example.
レビュー操作制御機構１４におけるステージコントロールシステム１４１は、例えば、欠陥検査で得られた欠陥位置の座標データのうち、マスク画像データベース１４２からの所定条件に合致した座標データのみをレビュー対象領域として選択する。 - 特許庁 - Thus, when the negative voltage applied to the trench gate is equal, the breakdown voltage of the element region when a defect is present in the trench gate electrode is measured to be lower than that when a defect is absent in the trench gate electrode.
このため、トレンチゲート電極に印加する負の電圧が等しければ、トレンチゲート電極に不良がある場合の素子領域の耐圧は、トレンチゲート電極に不良がない場合の素子領域の耐圧に比べて低い耐圧が測定される。 - 特許庁 - Respective pattern transfer images 17, 18 are simulated using defect data 15 formed on the basis of a mask image around a defect in a mask 2 and reference data 16 corresponding to the mask image in design data for fabrication of the mask 2.
マスク２が有する欠陥周辺のマスク像に基づいて作成された欠陥データ１５、およびマスク２の製作用の設計データのうちマスク像に対応する参照データ１６を用いて、それぞれのパターン転写像１７，１８をシミュレートする。 - 特許庁 - METHOD FOR SORTING DEFECT OF SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD FOR PREDICTING YIELD OF THE SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD FOR MANUFACTURING THE SEMICONDUCTOR DEVICE, DEFECT-SORTING SYSTEM OF SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE-SORTING APPARATUS, AND PROGRAM USED THEREFOR AND RECORDING MEDIUM
半導体デバイスの欠陥分類方法および半導体デバイスの歩留まり予測方法および半導体デバイスの製造方法および半導体デバイスの欠陥分類システムおよび半導体デバイス分類装置およびそれらに用いるプログラムおよび記録媒体 - 特許庁
