「Defect」を含む例文一覧(18306)

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  • The SSW selects a set in which defect is least (does not exist) and new servo track is written in the magnetic disk by servo control using the servo sector of the set.
    ＳＳＷは、欠陥が最も少ない（存在しない）セットを選択し、そのセットのサーボ・セクタを使用したサーボ制御により新たなサーボ・トラックを磁気ディスクに書き込む。 - 特許庁
  • To prevent defect occurrences in electrical connection at a connection process and after the connection process between a bump of a semiconductor chip and the conductive pattern of a substrate.
    半導体チップのバンプと基板の導電パターンとの接続過程および接続後における電気的接続の不良の発生を防止し、電気的接続の信頼性を高める。 - 特許庁
  • To provide a manufacturing method which can manufacture an alkali-free glass substrate in which a foam becoming a display defect does not exist even if not using As_2O_3 as a refining agent.
    清澄剤としてＡｓ_2Ｏ_3を使用しなくても、表示欠陥となる泡が存在しない無アルカリガラス基板を製造することができる製造方法を提供する。 - 特許庁
  • To provide a panel for information display in which the occurrence of a display defect is prevented by eliminating gaps between electrodes and eliminating regions where a display medium is not transferred.
    電極間のギャップをなくして表示媒体の移動しない領域をなくすことで、表示欠陥を防止することができる情報表示用パネルを提供する。 - 特許庁
  • To minimize the occurrence of defect images in spite of manufacturing errors of components of a cassette for radiation, the degree of insertion of a recording plate and photographing with the inclined cassette for radiation.
    放射線用カセッテの構成部品の製作誤差や記録プレートの差し込み具合、放射線用カセッテを傾かせての撮影にも、欠像の発生を最小限に抑える。 - 特許庁
  • To provide a piezoelectric vibration device capable of obtaining stable characteristics by preventing an insulation defect while relaxing stress generated on a piezoelectric diaphragm.
    圧電振動板に発生する応力を緩和しつつ、絶縁不良を防止して、安定した特性を得ることができる圧電振動デバイスを提供することを目的とする。 - 特許庁
  • To provide a multilayered film improved in surface defect or thickness irregularity by electrostatic adhesion and a film (single layer film) comprising the first polymer layer peeled from the mulilayered film.
    静電密着による表面欠点や厚み斑の良好な多層フィルム及び該多層フィルムから剥離した第１のポリマー層からなるフィルム（単層フィルム）を提供する。 - 特許庁
  • To provide a method for forming a relaxed SiGe-on-insulator substrate having improved relaxation, comparatively low defect density, and improved surface quality.
    向上された緩和、かなり低い欠陥密度、および改善された表面品質を有する緩和されたＳｉＧｅオンインシュレータ基板を形成する方法を提供すること。 - 特許庁
  • Therefore, the change of the wavelength of light caused by the difference of places on a substrate 8 to be inspected can be distinguished from the change of the wavelength and the brightness caused by a defect.
    したがって被検査基板８上の場所の違いによって発生する光の波長の変化と、欠陥による波長および輝度の変化とを区別することができる。 - 特許庁
  • To record and reproduce data to and from disks having formats different in group configuration without changing firmware of a conventional device in an optical disk subjected to defect control.
    欠陥管理がなされた光ディスクにおいて、グループ構成の異なるフォーマットのディスクに対し、従来装置のファームウェアを変更することなく記録再生可能とすること。 - 特許庁
  • To provide a heat-processing tool that reduces a slip (crystal defect) occurring when a semiconductor silicon substrate is heat-processed, and also to provide a manufacturing method thereof.
    半導体シリコン基板を熱処理する際に発生するスリップ（結晶欠陥）を低減させることが可能な熱処理治具およびその製作方法を提供する。 - 特許庁
  • The defective data are read in the order of memory addresses and the 'defect compensation processing by four adjacent pixels' is applied to a defective pixel in the order of read defective pixel addresses.
    欠陥データの読み込みはメモリアドレス順に行われ、その読み込んだ欠陥画素アドレスから順に「近隣４画素による欠陥補償処理」が行われることになる。 - 特許庁
  • To highly accurately evaluate a defect identification pattern without requiring any destructive analysis involving visual check with regard to a multilayer wiring board and its test method.
    多層配線基板及び多層配線基板の試験方法に関し、目視を伴った破壊解析を要することなく欠陥識別パターンの評価を精度良く行う。 - 特許庁
  • When the light emitting element 340 turns to a decrease defect, the current supplied to the light emitting element 349 becomes excessive, and low fusing wiring 361 is fused by the excessive current.
    発光素子３４０が滅欠点になると、発光素子３４９に供給される電流が過大となり、その過大な電流によって低融点配線３６１が溶断する。 - 特許庁
  • To restrain an organic layer from being formed in an area shifted from a predetermined region on a substrate, and manufacture an organic EL display device with high luminance and less pixel defect.
    有機層が基板上の所定領域からずれたエリアに形成されるのを抑制し、輝度が高く画素欠陥の少ない有機ＥＬ表示装置を製造する。 - 特許庁
  • A thin-film electron source manufactured by this method has 1.5×1,018 or lower for the defects, of which the defect level of the electron acceleration layer is not larger than 1.5 eV.
    この方法で製造された画像表示装置の薄膜電子源は、その電子加速層の欠陥順位が１.５ｅＶ以下の欠陥を、１.５×１０１８個以下有する。 - 特許庁
  • To grow the crystal of a homogeneous and high quality nitride semiconductor film having a uniform film thickness, small surface defect and almost free from warp or crack.
    膜厚が均一であり、表面欠陥が少なく、しかも反りや亀裂のほとんどない均質かつ良質な窒化物半導体膜を結晶成長できるようにする。 - 特許庁
  • To prevent write defect of an electrostatic latent image caused by the adhesion of fogging toner which remains in the non-image region of both ends of a developing means after imaging on a write electrode.
    現像手段の両端部の非画像領域に残像するかぶりトナーが書込電極に付着して発生する静電潜像の書込不良を防止する。 - 特許庁
  • When the second nitride semiconductor layers 108-115 are formed under pressure, dislocation density is reduced furthermore and a highly reliable semiconductor laser having reduced defect is fabricated.
    第２の窒化物半導体層１０８〜１１５を加圧成長させると、より転位密度が低く抑えられ、欠陥の少ない信頼性の高い半導体レーザが作製される。 - 特許庁
  • To securely detect luminance unevenness characteristic of an object of inspection to be detected in automatic detection of a picture defect without erroneously detecting illumination unevenness.
    画面欠陥の自動検出において、照度ムラを誤検出することなく、検出しようとする検査対象に固有の輝度ムラを確実に検出可能にする。 - 特許庁
  • To provide a device for processing data correction which corrects a defect of defective data from a defective photoelectric converting element at high speed and whose circuit scale can be made small.
    欠陥のある光電変換素子からの欠陥画素データの欠陥補正を高速に行い且つ回路規模を小さくすることが可能なデータ補正処理装置を提供する。 - 特許庁
  • To reduce defect rate of semiconductor devices in processes from a dicing process to a die-bonding process, by suppressing chipping produced at the time of dicing a thin shaped semiconductor wafer.
    薄型化された半導体ウエーハのダイシング時に生じるチッピングを抑制し、ダイシング工程からダイボンディング工程における半導体装置の不良発生率を低減する。 - 特許庁
  • To provide a detecting method with high precision of abnormal casting conditions inside a mold such as a breakout, a defect on the casting surface or an abnormal flow of molten metals.
    高い精度でブレークアウト、表面欠陥、または溶融金属流動異常などの鋳型内鋳造異常を検出する方法を提供することを課題とする。 - 特許庁
  • To provide a green sheet which is used for a micro super-high capacity stacked ceramic capacitor and develops no defect in waveform at the flank of the green sheet by reducing the thickness of a dielectric.
    マイクロ超高容量積層型セラミックコンデンサに用いられ、誘電体の厚さを減らしてグリーンシートの横面での波形欠陥がないグリーンシートを提供する。 - 特許庁
  • The heat oxidation film is formed at a temperature causing almost no defect of oxygen condensation in the Si substrate, for example, at 104°C or less, preferably between 840 and 1000°C.
    その際に、Ｓｉ基板中に酸素凝結欠陥がほぼ生じない温度、例えば１０４０℃以下、望ましくは８４０〜１０００℃で熱酸化膜を形成する。 - 特許庁
  • After an aerial wiring 7 of a metal deposited film is by focused ion beam (FIB) CVD formed between isolated patterns and electrically conducted to eliminate the influences due to charge-up, a defect 3 is corrected.
    孤立したパターン間に集束イオンビームCVD金属デポジション膜空中配線7を形成して導通させチャージアップの影響を無くしてから欠陥3を修正する。 - 特許庁
  • Thus, a forming defect of the jumper wire to be inserted into the printed board 42 is not caused, the formed jumper wire insertion reliability into substrate is secured.
    よって基板４２へ挿入するジャンパーワイヤーの成形不良が生じることはなく、成形されたジャンパーワイヤーの基板への挿入信頼性を確保することができる。 - 特許庁
  • In the first to third superlattice defect reduction layers 30, 40, and 50, five pairs where an InGaN film and an AlGaN film are formed in a pair in this order are laminated.
    第１〜第３の超格子欠陥低減層３０，４０，５０は、ＩｎＧａＮ膜およびＡｌＧａＮ膜がこの順で形成されて対になったものが５対積層されてなる。 - 特許庁
  • To provide a method and system for treating a vascular structure having a defect such as a cerebral artery having a weakened wall where an aneurysm is formed.
    動脈瘤を形成している弱くなった壁を持つ大脳動脈などの障害を有する血管構造を治療するための方法およびシステムが提供すること。 - 特許庁
  • It is thus possible to automate visual inspection of the wafer 2 to final defect classification, eliminate the need for inspection by visual observation (review), and substantially shortening the time required for inspection.
    このため、ウェハ２の外観検査を最終的な欠陥分類に至るまで自動化でき、目視検査（レビュー）が不要となり、検査時間を大幅に短縮できる。 - 特許庁
  • To inspect a circuit wiring while reducing influence of a defect caused in another circuit wiring in inspection of the circuit wiring connected to a short-circuit wiring.
    短絡配線に接続された回路配線の検査において、他の回路配線に生じている欠陥の影響をより低減して回路配線の検査をすること。 - 特許庁
  • Thereby, even if the A mobile station 3 in the preceding car 2 is located within the receiving defect area A1, the communication of a high quality level is reliably continued without being interrupted.
    よって前車両２のＡ移動局３が受信不良エリアＡ１にあっても通信が途絶えることなく、確実に品質レベルの高い通信を継続することができる。 - 特許庁
  • Article 140 If an action is unlawful and such defect cannot be corrected, the court, by a judgment, may dismiss the action without prejudice, without oral argument.
    第百四十条　訴えが不適法でその不備を補正することができないときは、裁判所は、口頭弁論を経ないで、判決で、訴えを却下することができる。 - 日本法令外国語訳データベースシステム
  • Article 359 If an objection is unlawful and such defect cannot be corrected, the court, by a judgment, may dismiss the objection without prejudice, without oral argument.
    第三百五十九条　異議が不適法でその不備を補正することができないときは、裁判所は、口頭弁論を経ないで、判決で、異議を却下することができる。 - 日本法令外国語訳データベースシステム
  • In 1527, Tsunehisa led his force to Bingo Province but was defeated by Okifusa SUE, which encouraged most local lords of Bingo Province to defect from the Amago clan to the Ouchi clan.
    翌大永7年（1527年）、経久は自ら備後へと兵を出兵させるも陶興房に敗走し、尼子方であった備後国人の大半が大内氏へと寝返った。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス
  • The global market customer quality information system 10 includes a database 1 for centralized-saving the information on the inquiry about the commodity defect and commodity.
    グローバル市場顧客品質情報システム１０は、商品不具合や商品に関する問い合わせについての情報を一元的に保存するデータベース１を備える。 - 特許庁
  • The perovskite-type dielectric oxide-reduced phase photocatalyst is a metal oxide (ABO_3-X) which has an oxygen defect and a perovskite-type structure and is in a reduced state.
    酸素欠陥を有する還元状態のペロブスカイト型構造を有する金属酸化物（ABO_3-x）であることを特徴とするペロブスカイト型誘電体酸化物還元相光触媒。 - 特許庁
  • To provide an epoxy resin composition for sealing semiconductors that causes no electric defects such as a short circuit of wiring or a leakage defect and exhibits an excellent laser marking property.
    配線のショート、リーク不良等の電気不良を生ずることがなく、かつ優れたレーザーマーキング性を有する半導体封止用エポキシ樹脂組成物を提供すること。 - 特許庁
  • WIRING AND ELECTRODE FOR FLAT PANEL DISPLAY USING TFT TRANSISTOR FREE FROM THERMAL DEFECT GENERATION AND HAVING EXCELLENT ADHESIVENESS AND SPUTTERING TARGET FOR FORMING THE SAME
    熱欠陥発生がなくかつ密着性に優れたＴＦＴトランジスターを用いたフラットパネルディスプレイ用配線および電極並びにそれらを形成するためのスパッタリングターゲット - 特許庁
  • To improve the bleeding characteristic of a silicone oligomer included in a developer regulating member made of silicone and to eliminate the image defect occurring in the silicone oligomer.
    シリコーン製現像剤規制部材に内包されているシリコーンオリゴマーのブリード性を改善し、シリコーンオリゴマーに起因する画像不良をなくすることが本発明の課題である。 - 特許庁
  • To provide a new method for controlling the chromosome recombination frequency by adding a functional defect to SpGcn5 which is a histone acetylation enzyme in fission yeast cells.
    分裂酵母細胞中のヒストンアセチル化酵素であるＳｐＧｃｎ５に機能欠損を加えることにより、染色体組換え頻度を制御する新規方法を提供する。 - 特許庁
  • To improve decrease in transmittance of a photomask due to gallium injection by removing the gallium injected into a glass substrate for correcting a photomask defect by a focused ion beam.
    集束イオンビームによるフォトマスク欠陥修正でガラス基板に注入されたガリウムを除去してガリウム注入によるフォトマスクの透過率低下を改善する。 - 特許庁
  • To provide an image forming apparatus, effectively preventing initial image defect immediately after initial toner installation when performing a refresh process in the initial toner installation.
    初期トナーインストール時にリフレッシュ工程を実行する場合の初期トナーインストール直後の初期画像不良を効果的に防止可能な画像形成装置を提供する。 - 特許庁
  • To provide a method and device for inserting an implant of synthetic material or healthy bone or cartilage into a bone or cartilage defect of unknown depth.
    深さが不明の硬骨または軟骨の欠損の中に、合成材料からなるインプラント、若しくは健康な硬骨または軟骨を挿入する方法および装置を提供する。 - 特許庁
  • Since heat treatment is performed in the atmosphere containing hydrogen, hydrogen reacts with boundary levels and defect levels formed in the chemical oxide film 5, so that these levels disappear.
    水素を含む気体中での加熱処理により、水素が化学酸化膜５における界面準位や欠陥準位と反応することでそれらが消滅する。 - 特許庁
  • Even when a defect is developed at a layer of the hydrogen permeation membranes 14, the purity of the obtained hydrogen gas is not lowered because another layer of the hydrogen permeation membranes 14 inhibits foreign gases from passing through.
    １層の水素透過膜１４に欠陥が発生しても、別の水素透過膜１４が不純物気体の通過を阻むから、得られる水素ガスの純度が低下しない。 - 特許庁
  • Thereby, production of glass powder, produced in cutting the glass substrate 1 which causes a defect of the PDP, can be restrained in manufacturing the plasma display panel.
    このことにより、ガラス基板１を割断する際に発生する、ＰＤＰの不良の原因となるガラス粉が、プラズマディスプレイパネル製造時に発生することを抑制することができる。 - 特許庁
  • To efficiently and easily obtain a substrate for epitaxial growth of a GaN compound semiconductor monocrystal membrane which has little crystal defect and favorable surface morphology.
    結晶欠陥が少なく、表面モフォロジーが良好な、ＧａＮ系化合物半導体単結晶薄膜エピタキシャル成長用の基板を、効率よく、且つ簡単に得る。 - 特許庁
  • This semiconductor laminated structure is utilized for obtaining a nitride semiconductor crystal layer, the nitride semiconductor crystal substrate and the nitride semiconductor element of low defect and high quality.
    上記半導体積層構造物は、低欠陥高品質の窒化物半導体結晶層、窒化物半導体結晶基板及び窒化物半導体素子を得ることに利用される。 - 特許庁
  • A line defect correcting part 33 obtains pixels of the same phase as line defective pixels in the moire pattern, and corrects the line defective pixels using the value of the pixels.
    ライン欠損補正部３３は、その画素数から、モアレパターン中でライン欠損画素と同じ位相の画素を求め、その画素の値を用いてライン欠損画素を補正する。 - 特許庁
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