「Flash memory」を含む例文一覧(4423)
＜前へ 1 2 .... 59 60 61 62 63 64 65 66 67 .... 88 89 次へ＞- A controller 46 for controlling the carrier supplying unit 27 counts interruption due to failures in the image-forming processing, and stores the frequency of interruption in a nonvolatile flash memory 73.
キャリア補給ユニット２７を制御するコントローラ４６は、画像形成処理の異状中断をカウントし、異状中断回数を不揮発性のフラッシュメモリ７３に格納する。 - 特許庁 - The converting device comprises a control unit, a device for signal conversion, and a NOR type flash memory, and performs conversion in accordance with an IDE interface.
本発明は、コントロール装置と、信号変換用装置と、ＮＯＲ型フラッシュメモリの構成により、ＩＤＥインターフェース対応して変換することを特徴とするものである。 - 特許庁 - To provide a NAND flash memory device capable of improving the resistance of select lines and capable of simplifying a manufacturing process, and to provide a method of manufacturing the same.
セレクトラインの抵抗を改善すると同時にナンドフラッシュメモリ素子の製造工程を単純化することができるナンドフラッシュメモリ素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁 - The flash memory 13 of this USB storage 10 stores a file management program 15 operating on a PC 2 by an AUTORUN file 14 in addition to the data file 16.
ＵＳＢストレージ１０のフラッシュメモリ１３には、データファイル１６に加え、ＡＵＴＯＲＵＮファイル１４によってＰＣ２上で動作するファイル管理プログラム１５が記憶されている。 - 特許庁 - The maintenance insertion slot 27 is disposed at a position where the compact flash memory 25 projects from the apparatus main body 2 while loaded in the maintenance insertion slot 27.
メンテ差込スロット２７が、コンパクトフラッシュ２５のメンテ差込スロット２７に対する装着状態で、コンパクトフラッシュ２５が装置本体２から飛び出し状態となる位置に配置される。 - 特許庁 - An instruction for display is input by pressing a key 32 of the operation unit 3 and then the image data saved in the flash memory 3 is displayed on an LCD 34.
そして、操作ユニット３のキー３２を介して表示の指示を入力することにより、そのフラッシュメモリ３６に保存された画像データがＬＣＤ３４に表示される。 - 特許庁 - To provide a method, a device and a computer-readable code for reading data out of one or more flash memory cells and for restoration from a reading error.
一つ以上のフラッシュメモリ・セルからデータを読み取るための、そして読み取りエラーから復旧するための、方法、デバイスおよびコンピュータで読み込み可能なコードを提供する。 - 特許庁 - To shorten the whole processing time, while improving reliability of data read from a NAND flash memory or the like by using hard-decision decoding and soft-decision decoding.
硬判定復号と軟判定復号の併用により、ＮＡＮＤフラッシュメモリ等の読み出しデータの信頼性を向上させると共に、全体としての処理時間の短縮をはかる。 - 特許庁 - To provide a storage apparatus and its control method capable of performing power saving operations while covering the shortcomings of a flash memory having short life and requiring much time for rewriting data.
寿命が短く、データ書き換えに時間のかかるフラッシュメモリの欠点を補いながら、省電力運転を行い得るストレージ装置及びその制御方法を提案する。 - 特許庁 - When a flash memory 22 performs read operation, a selector 26 selects a reference voltage VREF1 in response to a selection signal SEL inputted from a logic circuit 30.
フラッシュメモリ２２がリード動作を実行する場合は、セレクタ２６は、ロジック回路３０から入力された選択信号ＳＥＬに応じて基準電圧ＶＲＥＦ１を選択する。 - 特許庁 - The character ROM 191 is equipped with a NAND flash memory 191a where the image data and all of the programs are stored.
キャラクタＲＯＭ１９１には、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１９１ａが設けられており、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１９１ａに画像データと全てのプログラムが記憶されている。 - 特許庁 - To provide an integrated circuit device including an unauthorized read/write operation prevention function to data written in a flash memory, and to provide a control method for the same.
フラッシュメモリーに書き込まれたデータに対して不正リード／ライト動作防止機能を要した集積回路装置及び集積回路装置の制御方法を提供する。 - 特許庁 - A buffer 9 of a controller 3 is used for data exchange operation between the host computer 4 and the controller 3, and data exchange operation between a flash memory 2 and the controller 3.
コントローラ３のバッファ９は、ホストコンピュータ４とコントローラ３との間のデータ交換動作及びフラッシュメモリ２とコントローラ３との間のデータ交換動作に用いられる。 - 特許庁 - To provide a manufacturing method of a flash memory element which can prevent a control gate from forming a stringer and secure the electrostatic capacity of an inter-layer dielectric film without causing any loss.
コントロールゲートのストリンガーの形成を防ぐと共に、層間誘電膜の静電容量を損失無しに確保することのできるフラッシュメモリ素子の製造方法を提供する。 - 特許庁 - Thus, the flash memory device reduces its power consumption and improves noise characteristics due to pumping by reducing the number of times of pumping for generating the next program voltage.
これにより、フラッシュメモリ装置は、次のプログラム電圧の発生のためのポンピング回数を減らすことによって、消費電力を減らし、ポンピングによるノイズ特性を向上させる。 - 特許庁 - To obtain a stable reference current, by suppressing variations in the threshold with time in a reference cell in an electrically rewritable flash memory for integrating MONOS-type transistors.
ＭＯＮＯＳ型トランジスタを集積した電気的に書き換え可能なフラッシュメモリにおいて、リファレンスセルの経時的なしきい値の変動を抑制し、安定した基準電流を得る。 - 特許庁 - A DRAM 12 and a flash memory 13 store, as an answering machine video image, the image data received by the WAN communication circuit 14 from a video telephone of the other party.
ＤＲＡＭ１２およびフラッシュメモリ１３は、ＷＡＮ通信回路１４によって相手側のテレビ電話機から受信された映像データを留守電映像として記憶する。 - 特許庁 - The NW voltage control circuit 13 changes the potential of an N type well which constitutes the diode connected in the forward direction 14a depending on the driving state of the flash memory cell 11.
ＮＷ電圧制御回路１３は、順方向接続ダイオード１４ａを構成するＮ型ウェルの電位をフラッシュメモリセル１１の駆動状態に応じて変更する。 - 特許庁 - The data bus 107 is shared in time-sharing, and the other control lines are individually connected to the SRAM 122, the NOR type flash memory 123 and the SDRAM 124.
そして、データバス１０７を時分割で共用する構成とし、その他の制御線をＳＲＡＭ１２２、ＮＯＲ型フラッシュメモリ１２３とＳＤＲＡＭ１２４とに個別に接続する。 - 特許庁 - The conversion module 1 relays a surface-mount type semiconductor package 4 mounting a flash memory over board to convert to a DIP type package.
本発明の変換モジュール１は、フラッシュメモリーを搭載した表面実装タイプの半導体パッケージ４を基板中継し、ＤＩＰタイプのパッケージに変換するものとした。 - 特許庁 - IMPROVED SPLIT GATE TYPE NON-VOLATILE FLASH MEMORY CELL AND ARRAY WHICH HAVE FLOATING GATE, CONTROL GATE, SELECTION GATE, AND ERASE GATE WITH OVERHANG ON FLOATING GATE, AND METHOD FOR MANUFACTURING
浮遊ゲート、制御ゲート、選択ゲート、及び浮遊ゲートの上にオーバーハングをもつ消去ゲートを有する、改善されたスプリット・ゲート型不揮発性フラッシュメモリ・セル、アレイ、及び製造方法 - 特許庁 - The method for manufacturing a flash memory device comprises defining a plurality of parallel active regions, by forming element isolation films in a semiconductor substrate in an embodiment.
本発明のフラッシュメモリ素子の製造方法は、一実施形態で、半導体基板内に素子分離膜を形成して複数の平行な活性領域を限定することを具備する。 - 特許庁 - It is decided whether or not the start-up program is stored in the flash memory to store the start-up program for a host system and a backup program therefor when starting up the host system.
ホストシステムの起動時に、前記ホストシステムの起動プログラムとそのバックアッププログラムとを記憶すべきフラッシュメモリに、起動プログラムが格納されているか否かを判定する。 - 特許庁 - A writing starting position of the data for writing is set at the head of a physical block in a storage area of the flash memory 2 by adding offset to the logical block address.
論理ブロックアドレスにオフセットを加算することにより、書込み用データの書き込み開始位置を、フラッシュメモリ２の記憶領域における物理ブロックの先頭に設定する。 - 特許庁 - Flash memory array 11 is provided on the same chip as each SRAM0 and SRAM1 so as to be able to operate independent of the SRAM0 and the SRAM1.
各ＳＲＡＭ０およびＳＲＡＭ１と同一チップ上に、フラッシュメモリアレイ１１が、各ＳＲＡＭ０およびＳＲＡＭ１とは独立して動作可能に設けられている。 - 特許庁 - The controlling part 1 randomly accesses the area 31 for instruction storage, executes the device driver and substantially realizes random access in one-byte unit to the flash memory 5.
ついで、制御部１は、命令格納用領域３１にランダムアクセスしてデバイスドライバを実行し、フラッシュメモリ５への１バイト単位のランダムアクセスを実質的に実現する。 - 特許庁 - As the write voltage of the flash memory 100, an output voltage of a boosting circuit 30 provided to secure the control voltage of voltage-controlled oscillation is appropriated.
このフラッシュメモリ１００の書き込み電圧としては、電圧制御発振の制御電圧を確保するために設けられた昇圧回路３０の出力電圧が流用される。 - 特許庁 - Even if cranking occurs when the user drives a starter, the data stored in the SRAM6 has been already copied and stored in the flash memory 7.
ユーザがスタータを駆動させたことに伴ってクランキングが発生したとしても、ＳＲＡＭ６に保存されているデータは既にフラッシュメモリ７にコピーされて保存されている。 - 特許庁 - To reduce layout area of an internal voltage generating circuit generating voltage required for writing and erasing in a flash memory which can be operated by a background operation mode.
バックグラウンド・オペレーション・モードで動作可能なフラッシュメモリにおいて書込および消去に必要な電圧を生成する内部電圧生成回路のレイアウト面積を低減する。 - 特許庁 - To provide a manufacturing method of a flash memory and a transistor in which the concentration gradient of dopant at a joint part is gentle in a source region while steep in a drain region.
接合部におけるドーパントの濃度勾配が、ソース領域では緩やかでドレイン領域では急峻なトランジスタ及びフラッシュメモリの製造方法を提供すること。 - 特許庁 - To provide a flash memory element which reduces a programmed threshold voltage variation by preventing coupling and securing uniformity, and to provide its driving method and a manufacturing method.
カップリングを防止し且つ均一性を確保することにより、プログラムしきい値電圧変動を減らすことが可能なフラッシュメモリ素子、その駆動方法および製造方法の提供。 - 特許庁 - In this image information acquisition device having a reader unit and a controller unit 40, the reader unit is provided with a flash memory for recording peculiar information and prescribed correction information.
リーダユニットと、コントローラユニット４０とを備える画像情報取得装置において、リーダユニットは、その固有情報や所定の補正情報を記録させるフラッシュメモリを備える。 - 特許庁 - The data recovery apparatus and method used for the flash memory guarantees recovery of data by power interruption during consecutive performance of operations to one or more pieces of data.
一つ以上のデータに対する連続的な演算実行中に電源遮断によるデータの復旧を保証できるフラッシュメモリのデータ復旧装置及び方法。 - 特許庁 - Consequently the application can be registered in the flash memory 4 built in the terminal 1 without newly preparing an interface mechanism dedicated for registering applications.
これにより、新たに、アプリケーションを登録する専用のインターフェース機構を設けなくても、携帯端末１のフラッシュメモリ４にアプリケーションを登録することが可能になる。 - 特許庁 - A first flash memory 60 is a semiconductor storage part having a prescribed limit value about the number of times of update and is suitable for storing data having a low frequency in update.
第１フラッシュメモリ６０は、更新回数について所定の制限値を有する半導体記憶部であり、更新頻度の低いデータを格納することに適している。 - 特許庁 - A correspondence relation between the data of the logical address space with the local space in which the data are stored is set by logical address by the driver software of the flash memory in advance.
論理アドレス空間のデータと、そのデータが格納される局所空間との対応関係は、予めフラッシュメモリのドライバソフトウェアによって、論理アドレスごとに設定されている。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing the dielectric film of a flash memory element to form the dielectric film being excellent in charge retention property and uniform and having a thin thickness.
電荷保持特性に優れ且つ均一で薄い厚さを有する誘電体膜を形成するためのフラッシュメモリ素子の誘電体膜製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a semiconductor circuit device which can effectively use a once-developed flash memory by previously arranging preliminary input/output pads and by only adding a metal wiring layer.
予め予備の入出力パッドを配置し、メタル配線層の追加のみで一度開発したフラッシュメモリを有効に使用することができる半導体回路装置を提供する。 - 特許庁 - A communication LSI itself executes decoding by a specified command of the communication to make data hereinafter serve as a writing data for a CPU, and a writing voltage of a flash memory is controlled at the same time.
通信の特殊コマンドで通信ＬＳＩ自体がこれを解読し以降のデータをＣＰＵの書き込みデータとし同時にフラッシュメモリーの書き込み電圧を制御する。 - 特許庁 - To provide a remote program renewal system capable of increasing efficiency of renewal processing, and capable of securing flexibility of a system program stored in a flash memory on an incorporated apparatus.
組み込み機器上のフラッシュメモリに格納されたシステムプログラムの更新処理の効率化と柔軟性の確保が可能な遠隔プログラム更新システムを提供する。 - 特許庁 - This television broadcast receiver includes a digital broadcast receiving unit 19, an analog broadcast receiving unit 20, a CPU 12 and a flash memory 14 having a simultaneous channel table DB 16.
テレビジョン放送受信装置は、デジタル放送受信部１９と、アナログ放送受信部２０と、ＣＰＵ１２と、サイマルチャンネルテーブルＤＢ１６を有するフラッシュメモリ１４とを具備する。 - 特許庁 - A flash memory (a storage means) 2 conducts reading and writing of display data so that various information is displayed by a display (a display means) 4.
フラッシュメモリ（記憶手段）２は、表示器（表示手段）４によって各種情報を表示させるための表示データの読み出し及び書き込みを行うことができる。 - 特許庁 - To provide a rewriting device capable of reducing the possibility of interruption of refreshing processing of data stored in a storage medium such as a flash memory.
フラッシュメモリ等の記憶媒体に記憶されているデータのリフレッシュ処理が中断してしまう可能性を低減することが可能な再書き込み装置を提供する。 - 特許庁 - When the finger print identification succeeds, the flash memory built in the UFD1 or the removable medium 2 inserted into the removable media adapter 12 can be accessed from a PC.
指紋の照合が成功したとき、UFD１に内蔵されるフラッシュメモリや、リムーバブルメディアアダプタ１２に挿入されたリムーバブルメディア２に対してPCからアクセスすることが可能となる。 - 特許庁 - Packages A130-F160 are started by reading the program file and the data file of the flash memory 112 in response to information of a management table on the RAM 113.
パッケージＡ１３０〜パッケージＦ１６０は、ＲＡＭ１１３上の管理テーブルの情報に従い、フラッシュメモリ１１２のプログラムファイル及びデータファイルを読み込んで起動する。 - 特許庁 - To carry out the optimization processing of a flash memory without giving a strange feeling to a user and to prevent a burden from getting heavy in preparing an application program.
使用者に変な感じを与えることなく、フラッシュメモリの最適化処理を実行し、また、アプリケーションプログラムを作成する際の負担が大きくなることを防止する。 - 特許庁 - The flash memory 20 has a control program area 101 where a control program is written, and a backup data area 102 for writing backup data, such as operation conditions.
フラッシュメモリ２０は、制御プログラムが書き込まれた制御プログラム領域１０１と、運転条件等のバックアップデータが書き込まれるバックアップデータ領域１０２とを有している。 - 特許庁 - To provide an optical disk recording/reproducing device capable of accelerating version-up processing by omitting erasing processing for erasing the contents of a flash memory to zero at the time of version-up grading.
バージョンアップ時においてはフラッシュメモリの内容をゼロにする消去処理を省き、バージョンアップの高速化を図ることができる光ディスク記録再生装置を提供する。 - 特許庁 - Thus, even when writing is consecutively requested to the same page, the writing can be processed in one log block so that the efficiency of flash memory resources can be improved.
これにより、同じページに連続的に書込みが要請される場合にも１つのログブロック内で処理できるためにフラッシュメモリ資源の効率性を向上しうる。 - 特許庁 - Threshold voltage is decided based on applied voltage at the time of fail of read-out about a bit in which a value read out from a flash memory is initially different from a discriminated value.
フラッシュメモリから読出した値が初めて判定値と異なっているビットについては、読み出し失敗時の印可電圧に基づいてしきい値電圧が確定する。 - 特許庁
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