「Flash memory」を含む例文一覧(4423)
＜前へ 1 2 .... 56 57 58 59 60 61 62 63 64 .... 88 89 次へ＞- A shift cell detecting circuit 6 is provided between a circuit 3 for latching a write data and a latch control circuit 4 of an NAND type flash memory.
ＮＡＮＤ型フラッシュメモリにおいて、書き込みデータを保持するラッチ回路３と、ラッチ制御回路４との間にシフトセル検出回路６を設ける。 - 特許庁 - To provide a manufacturing method of a flash memory element which can prevent generation of voids in formation of an element isolation film or in formation of an interlayer dielectric.
素子分離膜の形成時または層間絶縁膜の形成時にボイドの発生を防止することができるフラッシュメモリー素子の製造方法を提供する。 - 特許庁 - The flash memory device outputs the sensing result once the data is sensed, without waiting for the recovery of the word line and the bit line to the original state.
フラッシュメモリ装置は、ワードライン及びビットラインが元来の状態にリカバリーされるときまで待たず、データが感知されるとすぐ感知結果を直ちに出力する。 - 特許庁 - To provide a flash memory device in which the time and power con sumption in cell erasing operation can be reduced and a method for erasing the same.
セルの消去動作における時間及び電力の消費を減少させることが可能なフラッシュメモリ素子及びその消去方法を提供すること。 - 特許庁 - A CPU 21 determines whether or not a product program is stored in flash memory 12 by executing a boot program stored in boot ROM 23.
ＣＰＵ２１は、ブートＲＯＭ２３に格納されるブートプログラムを実行することによって、フラッシュメモリ１２に製品プログラムが格納されているか否かを判定する。 - 特許庁 - To provide a sense amplifier circuit of a flash memory device in which the time required for pre-charging voltage necessary for a data line (or bit line) can be shortened.
データライン（又はビットライン）を要求される電圧にプリチャージするのにかかる時間を短縮できるフラッシュメモリ装置の感知増幅回路を提供する。 - 特許庁 - An HDD 1 creates a segment table in which addresses of user data in a flash memory 25 are associated with LBAs of a magnetic disk 11.
本発明の一形態において、ＨＤＤ１は、ユーザ・データのフラッシュ・メモリ２５のアドレスと磁気ディスク１１のＬＢＡとを対応づけるセグメント・テーブルを作成する。 - 特許庁 - By rotating the cover with respect to the flash memory body, the USB terminal piece can be housed in a space of a cover interior or protruded from the space.
フラッシュメモリ本体に対して蓋を回転させることによってＵＳＢ端子片を蓋内部の空間に収納したり露出させることが出来る。 - 特許庁 - Thus, the increase in a writing-in level of arbitrary writing-in data is eliminated for an arbitrary write-in data by the physical characteristics of a flash memory in sigular or plural steps of repeated writing-ins.
このような繰返書込の単数、複数・ステップで、フラッシュメモリの物理的特性により、任意の書き込みデータについて書込レベルが上がることがない。 - 特許庁 - By a method for programming the flash memory device, program voltage is supplied to the selected word line in a state in which a channel region of the string is made floating.
本発明のプログラム方法によれば、前記ストリングのチャンネル領域がフローティングされた状態で、選択されたワードラインにプログラム電圧が供給される。 - 特許庁 - The slave unit 200 that receives the signal displays telephone directory data stored in a flash memory 240 of its own unit on the LCD display part 239 (S309).
該信号を受信した子機２００は自機のフラッシュメモリ２４０に記憶されている電話帳データをＬＣＤ表示部２３９に表示する（Ｓ３０９）。 - 特許庁 - A photographed image, which is transferred from a digital camera and stored in a flash memory, is read out (step S131) to display it on a display part (step S132).
デジタルカメラから転送されてフラッシュメモリに格納されている撮像画像を読み出し（ステップＳ１３１）、表示部に一覧表示する（ステップＳ１３２）。 - 特許庁 - To provide a flash memory element in which the manufacturing cost can be reduced by preventing increment of chip size though a self-convergence erasing system is used.
自己収斂消去方式を使用しながらもチップサイズを増加させないため、製品の製造コストを減らすことが可能なフラッシュメモリ素子を提供すること。 - 特許庁 - In the method of fabricating a flash memory device, an insulating layer 118 having an overhang shape is used to form an air-gap 122 within an oxide layer 120 between subsequent word lines 110a.
オーバーハング形状を有する絶縁膜１１８を用いて後続のワードライン１１０ａ間の酸化膜１２０の内部にエアーギャップ(air-gap)１２２を形成する。 - 特許庁 - To provide a floating-gate forming method for flash memory elements, whereby a space between floating gates can be minimized, using a comparably large design rule.
比較的大きいデザインルールを用いてフローティングゲート間の間隔を最小化することができるフラッシュメモリ素子のフローティングゲート形成方法を提供すること。 - 特許庁 - When fingerprint authentication is successful and a detected heart rate is determined to be within a predetermined range, access to a flash memory 24 is permitted.
そして、指紋認証に成功し、かつ、検出した心拍数が所定の範囲内であると判定した場合に、フラッシュメモリ２４へのアクセスが許可される。 - 特許庁 - The control part 4 confirms whether or not a device key for CPPM, a device key for CPRM and a device key for HDCP are recorded in a flash memory in a device key inspection mode.
制御部４は、デバイスキー検査モードで、ＣＰＰＭ用デバイスキー、ＣＰＲＭ用デバイスキー、ＨＤＣＰ用デバイスキーがフラッシュメモリに記録されているか確認する。 - 特許庁 - The control section 5 is constituted so as to read the other channel tuning data when the present channel tuning data are read from the flash memory 6 at the time of activation.
また、制御部５は、起動時に、フラッシュメモリ６から現在チャンネルチューニング用データを読み出した後、他チャンネルチューニング用データを読み出すように構成されている。 - 特許庁 - To suppress a leak of electric charge accumulated in a charge storage layer to a word line in a flash memory having the charge storage layer separated in a channel direction.
チャネル方向で分離された電荷蓄積層を有するフラッシュメモリにおいて、電荷蓄積層に蓄積された電荷のワードラインへの漏洩を抑制すること。 - 特許庁 - Each flash memory module 14 is provided with a plurality of flash memories 32, 32, ... having parallel interfaces 34, and a serial-parallel conversion circuit 30 for performing signal format conversion between the serial interface 16 and the parallel interface 34 to be configured as one module or one package with the number of flash memories 32, 32, ... fixed.
各フラッシュメモリモジュール１４は、パラレルインタフェース３４をもつ複数個のフラッシュメモリ３２、３２、…と、シリアルインタフェース１６とパラレルインタフェース３４との間の信号形式変換を行うシリアル・パラレル変換回路３０とを備え、フラッシュメモリ３２、３２、…の個数が固定された１個のモジュール又は１個のパッケージとして構成される。 - 特許庁 - In the present flash memory, a plurality of memory blocks MB0-MB3 is provided on one on the end of four P type wells PW arranged in a Y direction, and three memory blocks MB10-MB12 are provided on each of the remaining three P type wells PW.
このフラッシュメモリでは、Ｙ方向に配列された４つのＰ型ウェルＰＷのうちの端の１つのＰ型ウェルＰＷに複数のメモリブロックＭＢ０〜ＭＢ３を設け、残りの３つのＰ型ウェルＰＷにそれぞれ３つのメモリブロックＭＢ１０〜ＭＢ１２を設ける。 - 特許庁 - To provide a compact, large capacity and inexpensive memory device without needing any driving body for a rotation system and a transfer system or the like such as an optical disk and a hard disk and also without needing any complicated and expensive manufacturing process for a semiconductor memory represented by a flash memory.
光ディスクやハードディスクのような回転系や移動系などの駆動体が不要で、かつフラッシュメモリに代表される半導体メモリのような煩雑で高価な製造工程が不要になるような、小型で大容量でしかも安価なメモリ装置を提供する。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing a semiconductor memory element such as a NAND flash memory element for removing any factor disturbing the high charge transmission of metallic wiring, and for preventing the damage of the surface of metallic wiring, and for achieving the high speed operation of a semiconductor memory element.
金属配線の速い電荷伝達を妨げる要因を除去し、また、金属配線の表面の損傷を防止し、半導体メモリ素子の高速動作を実現することができるＮＡＮＤフラッシュメモリ素子等の半導体メモリ素子の製造方法を提供する。 - 特許庁 - To prevent system trouble from being generated caused by damage of a data such as a command code transferred to a memory pool, and to easily monitor a rearing-out frequency of the data such as the command code from a NAND type flash memory, as to a data transfer method and device to the memory pool.
メモリプールへのデータ転送方法及び装置に関し、メモリプールへ転送する命令コード等のデータの破壊によるシステムの不具合の発生を防ぎ、また、命令コード等のデータのＮＡＮＤ型フラッシュメモリからの読み出し回数を容易に監視可能にする。 - 特許庁 - In this flash memory, an address is sequentially designated by a predetermined number of times Nmax at every supply of a power supply voltage, the retention checking of the memory cell transistor MC of each address is carried out, and a memory cell transistor MC where a threshold voltage is reduced is reprogrammed.
このフラッシュメモリでは、電源電圧が投入される毎に所定回数Ｎｍａｘだけアドレスを順次指定し、各アドレスのメモリセルトランジスタＭＣのリテンションチェックを行ない、しきい値電圧が低下しているメモリセルトランジスタＭＣの再プログラムを行なう。 - 特許庁 - The detector comprises a first flash memory cell driven by a ground voltage for maintaining the potential of a first node to a prescribed potential, a second flash memory cell driven by a power source voltage for controlling the potential of a second node, and a comparator for comparing the potential of the first node with the potential of the second node.
接地電圧によって駆動され、第１ノードの電位を所定の電位に維持するための第１フラッシュメモリセルと、電源電圧によって駆動され、第２ノードの電位を調節するための第２フラッシュメモリセルと、前記第１ノードと前記第２ノードとの電位を比較するための比較器とを含んでなる。 - 特許庁 - A ROM 21 for booting stores a control code for transferring a device driver stored in a NAND type flash memory 5 to an area 31 for instruction storage, and a controlling part 1 reads the device driver from the flash memory 5 by reading the control code and performing the control code and stores the device driver in the area 31 for instruction storage.
ブート用ＲＯＭ２１は、ＮＡＮＤ型のフラッシュメモリ５に格納されているデバイスドライバを命令格納用領域３１に転送するための制御コードを格納し、制御部１は、当該制御コードを読み出して実行することにより、デバイスドライバをフラッシュメモリ５から読み出して命令格納用領域３１に格納する。 - 特許庁 - The system part 4, if an operation mode signal supplied from the host device becomes a high level, executes the application program rewriting program to receive a new application program sent from the host device and write it into the flash memory core 3, or otherwise, executes the application program recorded on the flash memory core 3.
システム部４は、ホスト機器から供給される動作モード信号がハイレベルとなった場合に、アプリケーションプログラム書換プログラムを実行することにより、ホスト機器から送信される新たなアプリケーションプログラムを受信してフラッシュメモリコア３に書き込み、そうでない場合に、フラッシュメモリコア３に記録されているアプリケーションプログラムを実行する。 - 特許庁 - By referring to the first table 31 and the second table 32, correspondence between respective physical block addresses xPBA or logical block addresses xLBA expected by the host 20 and included in a predetermined address range in the flash memory and a physical address PBA on the actually used flash memory can be derived.
これら第１のテーブル３１及び第２のテーブル３２を参照することにより、ホスト２０が想定しているフラッシュメモリにおける所定のアドレス範囲に含まれる個々の物理ブロックアドレスxPBAもしくは論理ブロックアドレスxLBAが、実際に使用するフラッシュメモリ上のどの物理アドレスPBAに対応するのかを導き出すことができるようになっている。 - 特許庁 - When an update frequency value is equal to or more than a reference value, the SSD1 writes the data in a block whose data rewrite frequency is less than a prescribed frequency in a flash memory 7, and when the update frequency value is less than the reference value, writes the data in a block whose data rewrite frequency is equal to or more than the prescribed frequency in the flash memory 7.
ＳＳＤ１は、更新頻度値が基準値以上であれば、フラッシュメモリ７におけるデータ書換回数が所定回数未満のブロックに当該データを書き込み、更新頻度値が基準値未満であれば、フラッシュメモリ７におけるデータ書換回数が所定回数以上のブロックに当該データを書き込む。 - 特許庁 - A flash memory device has an error correction circuit and a block management means, and after the remaining count of reserved blocks reaches a threshold set for the block management means, the flash memory device corrects error data having bit errors below a bad block threshold, sends out the error-corrected data to a host, and refreshes a block in which the error has occurred.
フラッシュメモリデバイスにエラー訂正回路とブロック管理手段とを設け、予備ブロックの残数が前記ブロック管理手段に設定された閾値に至った後は、ｂｉｔエラーがｂａｄブロック閾値未満であったデータをエラー訂正してホストに送出するとともに、該エラーを生起したブロックをリフレッシュする。 - 特許庁 - This memory system includes the flash memory, a central processing unit, and a flash controller provided with an address set by the central processing unit when operating a copy-back program, and a control register, and for controlling hardware-likely the operation of the copy-back program, in response to information stored in the register without break-in of a firmware.
フラッシュメモリと、中央処理装置と、コピーバックプログラムの動作時に中央処理装置によって設定されるアドレス及び制御レジスタを具備し、ファームウエアの介入なしにレジスタに格納された情報に応じてフラッシュメモリのコピーバックプログラムの動作をハードウェア的に制御するフラッシュコントローラと、を備える。 - 特許庁 - When a power monitor circuit 109 detects the abnormality of power during down loading and down loading is interrupted, for example, the communication coprocessor compulsorily resets the main processor, sets a bus connecting the communication coprocessor and a flash memory to be an active state and down-loads the program on the flash memory 104 without the aid of the main processor.
このダウンロード中に、例えば、電源監視回路１０９が電源異常を検知してダウンロードが中断されたとき、通信コプロセッサは、メインプロセッサを強制リセットするとともに、通信コプロセッサとフラッシュメモリとを接続するバスを活性状態として、プログラムをメインプロセッサを介さずにフラッシュメモリ１０４にダウンロードする。 - 特許庁 - In a facsimile equipment, when a font rewriting instruction operation is performed from an operation display part, the CPU of the operation display part sets the leading address of the font data of the memory card loaded into a memory card inserting part and the leading address of the font data storing place of a target write-in flash ROM based on the font data rewriting program of the flash ROM.
ファクシミリ装置は、操作表示部からフォント書換指示操作が行われると、操作表示部のＣＰＵが、フラッシュＲＯＭのフォントデータ書換プログラムに基づいて、メモリカード挿入部に装着されたメモリカードのフォントデータの先頭アドレスと、書込先のフラッシュＲＯＭのフォントデータ格納場所の先頭アドレスとを設定する。 - 特許庁 - A program starting device is provided with a boot controller 16 so as to perform direct operation from the NAND type flash memory 18 from which internal data can be read only sequentially, and a boot program of the NAND type flash memory 18 previously recorded on the basis of an instruction of the CPU 10 can be read from a start address after resetting the CPU 10.
内部のデータをシーケンシャルにしか読み出せないＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１８からは直接動作させるために、ブートコントローラ１６を設け、ＣＰＵ１０のリセット後の起動アドレスからＣＰＵ１０の命令に基づき予め記録されたＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１８のブートプログラムを読み出せるようにする。 - 特許庁 - The client PC3 checks whether or not the flash memory is replaced by referring to the flash memory management information, obtains the kind of the resource data from the resource data management information and the resource data according to information on the location where the entity of the resource data is held, and registers them so that they can be used on the client PC.
クライアントＰＣ３は、フラッシュメモリ管理情報を参照しフラッシュメモリが交換された否かチェックし、リソースデータ管理情報からリソースデータの種別を取得し、リソースデータの実体が保持されている場所の情報からリソースデータを取得し、クライアントＰＣ上で使用可能な状態に登録を行う。 - 特許庁 - Then, whether a control program is being stored in the SDRAM is decided, based on the instruction program (114); and when data are not stored in the predetermined address of the SDRAM, the read signal is outputted to the NAND-type flash memory, and the control program or the control data are transferred from the NAND-type flash memory to the SDRAM (116).
そして、命令プログラムに基づいて、ＳＤＲＡＭに制御プログラムが記憶されているか否かを判定し（１１４）、ＳＤＲＡＭの所定のアドレスにデータが記憶されていないと、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリへ読出し信号を出力し、制御プログラムや制御データをＮＡＮＤ型フラッシュメモリからＳＤＲＡＭへ転送する（１１６）。 - 特許庁 - In this information processor, when a USB flash memory 5 is connected to a USB port of a PC body 2, a CPU loads a device driver 24b for the USB flash memory and software of a recordable file system 23 common to the case of a DVD-R/RW medium 3 on basic software to form a recordable file management system.
ＰＣ本体２のＵＳＢポートにＵＳＢフラッシュメモリ５が接続されると、ＣＰＵは、基本のソフトウェア上でＵＳＢフラッシュメモリ用デバイスドライバ２４ｂと、ＤＶＤ−Ｒ／ＲＷメディア３の場合と共通の追記型ファイルシステム２３のソフトウェアとをロードし、追記型ファイル管理システムを形成する。 - 特許庁 - The identical substrate flash memory/DRAM hybrid semiconductor device obtain a DRAM by (1) floating a gate near a substrate and (2) connecting the flash memory to the drain of a write/read pass transistor in a two-layer stack gate structure MOS transistor, storing charges corresponding to data '0', '1', and then turning off the pass transistor.
２層スタックゲート構造ＭＯＳトランジスタにおいて、基板に近いゲートを（１）フローテングにする事によりフラッシュメモリを、（２）書き込み・読み出し用パストランジスタのドレインに接続して０，１のデータに対応した電荷を蓄積した後、パストランジスタをオフにする事によりＤＲＡＭを実現した同一基板フラッシュ・ＤＲＡＭ混載半導体装置。 - 特許庁 - The downloaded date and hour indicated by a calendar function part 104, the period of validity, and a name of the registration data are stored in the flash memory 105 as a record of a registration data table and the registration data passing the period of the validity from the downloaded time are deleted from the flash memory 105 by the control of a CPU 101.
カレンダ機能部１０４によって示されるダウンロードされた日時と、有効期間と、登録データ名が登録データテーブルのレコードとしてフラッシュメモリ１０５に記憶され、ダウンロードされたときから有効期間が経過した登録データはＣＰＵ１０１の制御によってフラッシュメモリ１０５から削除される。 - 特許庁 - At the time of rewriting, the interface circuit IF1 selectively outputs a light enable signal in an active state to either of the flash memories FC1 and FC2, and the flash memory FC1 or FC2 into which the light enable signal in an active state has been inputted rewrites the data in the memory cell specified by the address information into data of input data groups.
書き換え時には、インターフェース回路ＩＦ１が、フラッシュメモリＦＣ１〜ＦＣ２のいずれかに選択的にアクティブ状態のライトイネーブル信号を出力し、アクティブ状態のライトイネーブル信号が入力されたフラッシュメモリＦＣ１又はＦＣ２が、アドレス情報で特定されたメモリセルのデータを入力データ群のデータに書き換える。 - 特許庁 - In a USB security device 17, a storage function by a flash memory 25 is added in addition to an encryption module 27, an authentication module 29, a virtual CD-ROM area 25b only for reading data to the flash memory 25 and a removable disk area 25a for freely reading, writing and deleting the data are set.
ＵＳＢセキュリティデバイス１７は、暗号化モジュール２７、認証モジュール２９に加えてフラッシュメモリ２５によるストレージ機能を付加するとともに、当該フラッシュメモリ２５にデータを読み出すことのみ可能な仮想ＣＤ−ＲＯＭ領域２５ｂと自由にデータの読み出し、書込み、削除が可能なリムーバブルディスク領域２５ａを設定する。 - 特許庁 - A control unit 10 formats a NAND type flash memory 12 in a form suited to the DVD 30 when imaged moving image data is stored in the DVD 30, and formats the NAND type flash memory 12 in a form suited to the SD card 40 when imaged still image data is stored in the SD card 40.
制御部１０は、撮像した動画データをＤＶＤ３０に記憶する場合、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１２をＤＶＤ３０に適合した形式でフォーマットし、撮像した静止画データをＳＤカード４０に記憶する場合、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１２をＳＤカード４０に適合した形式でフォーマットする。 - 特許庁 - A personal computer connected through an external part I/F133 and an input and output terminal 134 reads out software of a flash memory 120 of an IC recorder 1, and carries out, and information signal such as audio data held by the personal computer is transferred from the personal computer to the flash memory 120 of the IC recorder 1.
外部Ｉ／Ｆ１３３、入出力端子１３４を通じて接続されたパーソナルコンピュータにより、ＩＣレコーダ１のフラッシュメモリー１２０のソフトウェアを読み出してパーソナルコンピュータにおいて実行し、当該パーソナルコンピュータが保持するオーディオデータなどの情報信号を、パーソナルコンピュータからＩＣレコーダ１のフラッシュメモリー１２０に転送する。 - 特許庁 - A mask ROM 4 is provided with areas 41 to 44 in which a first operating system to make access to an AND type flash memory 5 and a first driver, etc., are stored and the AND type flash memory 5 is provided with areas 51 to 53 in which a second operating system used when a graphic operation panel is normally operated and other systems are stored.
マスクＲＯＭ４は、ＡＮＤ型フラッシュメモリ５へアクセスするための第１オペレーティングシステムや第１ドライバなどが格納された領域４１〜４４を備えており、ＡＮＤ型フラッシュメモリ５は、グラフィック操作パネルが通常動作する際の第２オペレーティングシステムなどが格納された領域５１〜５３を備えている。 - 特許庁 - The file managing program 15 increments, when started on the PC 2, a start counter 16 and then deletes a data file 17 whose deletion counter value 18 is equal to or below the value of the start counter 16 among the data files 17 stored in a management area 13b of the flash memory 13 of the USB storage 1 from the flash memory 13.
ファイル管理プログラム１５は、ＰＣ２上で起動すると、起動回数カウンタ１６をインクリメントした後、ＵＳＢストレージ１のフラッシュメモリ１３の管理領域１３ｂに記憶されているデータファイル１７の中から、削除カウンタ値１８が起動回数カウンタ１６の値以下のデータファイル１７をフラッシュメモリ１３から削除する。 - 特許庁 - When overwriting new data in a flash memory 1 with prerecorded data, a controller 5 pre-reads the data from the flash memory 1 with prerecorded data while recording the new data received from an external device on a buffer 2 or a buffer 3, and transfers the data to a refuge buffer 10.
既にデータが記録されているフラッシュメモリ１に、新しいデータを上書きする場合、コントローラ５は、外部装置から受け取った新しいデータがバッファ２，またはバッファ３に記録されている間に、既にデータが記録されているフラッシュメモリ１から該データを先読みし、退避用バッファ１０に転送するようにした。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing flash memory element by which the reliability of a flash memory element can be improved by securing the stability of a process by improving the EFH differences induced among a cell region, a high-voltage transistor region, and a low-voltage transistor region by the projecting sections of the field oxide films of the regions.
セル領域、高電圧トランジスタ領域及び低電圧トランジスタ領域それぞれのフィールド酸化膜の突出部によってこれらの領域間に誘発されるＥＦＨ差を改善させて工程の安定性を確保し、素子の信頼性を向上させることが可能なフラッシュメモリ素子の製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a programming method of a flash memory cell by which read-out defect caused by over-program can be improved, a threshold voltage target can be set freely at the time of programming of a cell, and which can be used also as a programming method of a multi-level cell, and a programming method of a NAND type flash memory using this.
オーバプログラムに起因する読出し欠陥を改善することができ、セルのプログラム時にしきい値電圧ターゲットを自由に設定することができ、マルチレベルセルのプログラム方法としても使用可能なフラッシュメモリセルのプログラム方法及びこれを用いたＮＡＮＤ型フラッシュメモリのプログラム方法を提供する。 - 特許庁 - This device is an ATAPI DVD-ROM drive device mounting a microcomputer with built-in flash memory, and when the size of the reboot program to be housed in the flash memory exceeds the prescribed capacity, the reboot program is bisected to arrange the reboot program 1 to the reloading inhibit area and the reboot program 2 to the reloadable are respectively.
フラッシュメモリ内蔵マイコンを搭載したＡＴＡＰＩ ＤＶＤ−ＲＯＭドライブ装置であって、フラッシュメモリに格納するリブートプログラムのサイズが規定容量を越えた場合は、リブートプログラムを２分割して、リブートプログラム１は書き換え禁止領域に、リブートプログラム２は書き換え可能領域にそれぞれ配置する。 - 特許庁
- 特許庁
- Copyright © Japan Patent office. All Rights Reserved.
