「The second」を含む例文一覧(50000)

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  • The heat pipe comprises a first end part connected to a circuit part, and a second end part 31B provided near the second wall part 44 on the opposite side from the first end part and connected to the fin unit 28.
    ヒートパイプは、回路部品に接続された第1の端部と、第1の端部とは反対側で第2の壁部44の近傍に設けられるとともにフィンユニット28に接続された第2の端部31Bと、を有する。 - 特許庁
  • The heat-conducting plate 2 partitions a housing space 11 of the case 1 into a first housing chamber 111 and a second housing chamber 112, and the heat-conducting plate 2 isolates the first housing chamber 111 from the second housing chamber 112.
    導熱板2はケース1の収容空間11を第一収容室111と第二収容室112に区画し、導熱板2は第一収容室111と第二収容室112の間を阻隔する。 - 特許庁
  • The rotary tool 1 is formed of a disk-like first base metal 2, an annular second base metal 3 running along the outer peripheral surface of the first base metal 2, and an abrasive grain layer 5 arranged on the outer peripheral surface of the second base metal 3.
    回転工具1は、円盤状の第一台金2と、第一台金2の外周面に沿う円環状の第二台金3と、第二台金3の外周面に設けられた砥粒層5と、から構成されている。 - 特許庁
  • Further, the water heater 1 includes a controller for controlling the first mixing valve 51 and the second mixing valve 52 and a setting tool for setting temperature of supplied hot water in the hot water supply terminals A, B from the second mixing valve 52.
    さらに、給湯装置1は、第1混合弁51及び第2混合弁52を制御する制御手段と、第2混合弁52から給湯端末A、Bにおける給湯温度を設定する設定手段とを備える。 - 特許庁
  • The excess developer in the developing device 4d is discharged by an amount equivalent to an amount of the supplied second developer through a discharge port 40 arranged downstream of the second hopper 31b in the conveying direction.
    第2のホッパー31bよりも搬送方向下流側に配置された排出口40を通じて、補給した第2現像剤の量に相当する分量だけ、現像装置4d内の余剰の現像剤が排出される。 - 特許庁
  • Further, a first opening/closing valve control means 25 is disposed to control opening/closing of the first opening/closing valve 19 and the second opening/closing valve 21 according to the temperatures detected by the first temperature sensor 23 and the second temperature sensor 24.
    また、第1の温度センサー23と第2の温度センサー24の検知温度に応じて第1の開閉弁19と第2の開閉弁21の開閉を制御する第1の開閉弁制御手段25を有している。 - 特許庁
  • Particularly, the sum of thicknesses of both of regions of the first and second optical rotatory members superimposed when viewed in the optical axis direction is different from the sum of thicknesses of other regions of the first and second optical rotatory members.
    特に、光軸方向に沿ってみたときに重なる第1および第2旋光部材の領域双方の厚み合計は、第1および第2旋光部材の別の領域双方の厚み合計と異なっている。 - 特許庁
  • The semiconductor substrate 2 has a high-concentration layer 21 on the second principal surface side, and irregular unevenness 22 is formed at least on a region of the second principal surface facing the region immediately below the photogate electrode PG.
    半導体基板2は、第2主面側に高濃度層21を有し、第2主面における少なくともフォトゲート電極PG直下の領域に対向する領域には、不規則な凹凸22が形成されている。 - 特許庁
  • In the second zoom control mode, prescribed information that is not informed in the first zoom control mode is informed so as to be recognized that the mode is not the first zoom control mode but the second zoom control mode by an informing means.
    第2のズーム制御モードの場合、第1のズーム制御モードでなく第2のズーム制御モードであることを認識可能に、第1のズーム制御モードで報知しない所定情報を報知手段が報知する。 - 特許庁
  • Then, a step 7c for making the first electrode pair 9A side higher than the second electrode pair 9B side is formed on the first principal surface 7a between the first electrode pair 9A and the second electrode pair 9B.
    そして、第1主面7aには、第1電極対9Aと第2電極対9Bとの間に、第1電極対9A側が第2電極対9B側よりも高くなる段差7cが形成されている。 - 特許庁
  • The desalination facility 2 is provided with a seawater pump 19 for feeding second seawater of which temperature is lower than that of the first seawater to the condenser 14, and a reverse osmosis membrane device 22 to which the second seawater is fed from the condenser 14.
    淡水化設備2は、第1の海水よりも温度が低い第2の海水を凝縮器14に送る海水ポンプ19と、凝縮器14から第2の海水が送られる逆浸透膜装置22とを有している。 - 特許庁
  • Also, when it is determined to execute the second step-up notice performance, a mini character notice image (display of "insect" or "ship" in the sign on the image lower right) for the second step-up notice performance is determined at the high ratio.
    また、第2ステップアップ予告演出を実行すると決定しているときには、第2ステップアップ予告演出の予告用のミニキャラ予告画像(画面右下の看板の中に「虫」や「船」を表示。)を高い割合で決定する。 - 特許庁
  • A first air passage 23 for communicating a second space SP2 between the second heat exchanging portion 22 and the back portion 42 with the air suction opening 41a is formed between the first space SP1 and the side portion 43.
    第1空間SP1と側面部43との間に、第2熱交換部22と背面部42との間の第2空間SP2を空気吸い込み口41aに連通させる第1通風路23が形成されている。 - 特許庁
  • When the supply of power is started from the second input part E2, a CPU 9 recognizes the supply of power through a detecting means 13 and switches the switching means 12 to the second input part E2.
    第2の入力部E2から電力の供給が開始された場合には、CPU9は検知手段13を介して前記電力の供給を認識し、切換え手段12を第2の入力部E2に切り換える。 - 特許庁
  • A rivet member 20 passing through openings 12a, 13a of the first and the second external terminal 12, 13 is provided, and insulating plates 21, 22 are respectively interposed between the rivet member 20 and the first and the second external terminals 12, 13.
    第1,第2外部端子12,13の開口12a,13aを通るリベット部材20が設けられ、リベット部材20と第1,第2外部端子12,13との間には、それぞれ絶縁板21,22が介在している。 - 特許庁
  • To provide a terminal device having excellent design, in which the upper face of a first case and the upper face of a second case are arranged on an identical plane, without exposure of a connection portion between the first case and the second case on the side faces thereof.
    第1の筺体の上面と第2の筺体の上面とが同一平面上に並び、且つ第1の筺体と第2の筺体との接続部が側面に露出せずデザイン性が優れている端末装置を提供する。 - 特許庁
  • One insulation wall (11) is a part of the second housing element (1) and inserted into the recess (23) of the first housing element (2), and at least one of the second insulation walls (21, 22) is a part of the first housing element (2).
    1つの絶縁壁(11)はハウジングエレメント(1)のうちの第2の一部分であり、第1ハウジングエレメント(2)の凹部(23)に挿入され、絶縁壁(21,22)の少なくとも1つの第2は第1ハウジングエレメント(2)の一部分である。 - 特許庁
  • In a first mode, a control part 14 causes the first transistor M1 and the second transistor M2 to alternately perform switching operations so as to drop the external voltage Vext of the first terminal P1 to be output from the second terminal P2.
    制御部14は、第1モードにおいて、第1トランジスタM1および第2トランジスタM2を交互にスイッチング動作させ、第1端子P1の外部電圧Vextを降圧して第2端子P2から出力する。 - 特許庁
  • Heat generated in the diode 30a is conveyed to the adjacent first terminal 25a through the second lead terminal 33a with relatively good heat conductance, the second terminal 26a, and the heat dissipation relay terminal 40a, then is dissipated.
    ダイオード30aで生じた熱が、比較的熱伝導性に優れる第2リード端子33aから第2端子26a及び放熱中継端子40aを経由して隣の第1端子25aに伝わり放熱される。 - 特許庁
  • A distance (drying distance) L1 from the first pre-treatment liquid applicator group 30A to the first printing head group 20A is equal to the distance L2 from the second pre-treatment liquid applicator group 30B to the second printing head group 20B.
    第1の前処理液塗布器群30Aから第1の印字ヘッド群20Aまでの距離(乾燥距離)L1と、第2の前処理液塗布器群30Bから第2の印字ヘッド群20Bまでの距離L2とは等しい。 - 特許庁
  • This heat-insulating container comprises a first fiber layer 11 of a predetermined density and a second fiber layer 12 of the density lower than that of the first fiber layer 11, and the second fiber layer 12 is formed on the inner side of the first fiber layer 11.
    所定密度の第1繊維層11と、第1繊維層11よりも低密度の第2繊維層12とを備え、第2繊維層12が第1繊維層11の内側に形成された断熱容器である。 - 特許庁
  • To prevent decline in coverage of an insulating film by forming recessed sections on a first insulating film and, after forming a conductive film in accordance with the shapes of the recessed sections, burying second insulating films in the recessed sections, and etching the conductive film by isotropic etching by using the second insulating films as a mask.
    導電性を有するサイドウォールを除去する工程を削減することができるとともに、非晶質半導体層をエッチング除去する際に鋭角の部分が形成されないようにする。 - 特許庁
  • The electrical fuse 101 is configured so that the silicide layer 104, after disconnection, is excluded from a region right under the second metal contact 112 and from a region between the second metal contact 112 and the first metal contact 108.
    電気ヒューズ101は、切断後に、シリサイド層104が、第2の金属コンタクト112直下および第2の金属コンタクト112と第1の金属コンタクト108との間の領域に存在しない構成となる。 - 特許庁
  • In the polarity switching structure of the dot inversion system, a first transistor and a second transistor are disposed in a P-well while an N-well is arranged in the P-well, and located between the first transistor and the second transistor.
    ドット反転駆動システムの極性切換構造は、第一トランジスタと第二トランジスタがどちらもP型ウェルに設置され、N型ウェルはP型ウェル内に設置して第一トランジスタと第二トランジスタの間に位置する。 - 特許庁
  • The dimple 8 is provided with a first side wall face 14, a second side wall face 16 positioned in the bottom side of the first side wall face 14, and a bottom face 18 positioned in the bottom side of the second side wall face 16.
    ディンプル8は、第一側壁面14と、この第一側壁面14よりもボトム側に位置する第二側壁面16と、この第二側壁面16よりもボトム側に位置するボトム面18とを備えている。 - 特許庁
  • The second FPC part 10b is inserted and locked in a notched part 20a formed on the sidewall 19, and a force applied added to the first FPC part 10a, caused by the bending force of the second FPC part 10b, is suppressed.
    一側壁19に切欠部20を形成し、第二のFPC部10bを切欠部20aに嵌入して係止し、第二のFPC部10bの伸張力による、第一のFPC部10aに掛かる力を抑える。 - 特許庁
  • After the second and third tank accommodation parts 40, 50 are inserted into the first accommodation chamber 22a from the tank opening FTb, they are moved to the second accommodation chamber 22a or the third accommodation chamber 22c to be accommodated.
    第2および第3タンク収納部品40,50は、タンク開口FTbから第1収納室22aに挿入した後に、第2収納室22bまたは第3収納室22cに移動させて収納される。 - 特許庁
  • In addition, the first shield member 22 and the second shield member 23 are fixed to inside surfaces facing the first shield member 22 and the second shield member 23, and compensate strength of the first housing against external stress.
    さらに、第1のシールド部材22及び第2のシールド部材23は第1のシールド部材22、及び第2のシールド部材23に対向する内側面に固定されて、第1の筐体の外部応力に対する強度を補う。 - 特許庁
  • Accordingly, the mesh type electrodes 66, 68 of the first and second electrode members 61, 62 are fixed to the first and second cases 58, 59 under a condition that they are pinched between the spacers 63, 64 and the receiving recess 71 respectively.
    従って、第1及び第2電極部材61,62のメッシュ状電極66,68は、それぞれスペーサ63,64と収容凹部71とに挟持された状態で第1及び第2ケース58,59に固定される。 - 特許庁
  • Besides, light reflected and inputted from the side of the second connector 19 is photodetected from the beam splitting circuit 18 to the side of a second photodiode 26 and similarly inputted to the reflection alarm detection/automatic power control part 42.
    また、第2のコネクタ19側から反射されて入力される光は光分岐回路18から第2のフォトダイオード26側に受光され、同様に反射アラーム検出・自動パワー制御部42に入力される。 - 特許庁
  • The driving circuit receives the first potential and a second potential different from the first potential, and outputs at least either of the first potential and the second potential based on a terminal switching signal.
    前記駆動回路は、前記第1の電位と異なる第2の電位と前記第1の電位とが供給され、端子切替信号に基づいて前記第1の電位及び前記第2の電位の少なくとも一方を出力する。 - 特許庁
  • When a protective film 8 is adhered with a second adhesive 9 on a hologram 7, the adhesion strength is partly changed so that when the protective film 8 is peeled, a part of the second adhesive 9 remains on the hologram 7 to reveal that the film is peeled.
    ホログラム7上に保護フィルム8を第2粘着剤9で貼る際の接着強度を部分的に変え、保護フィルム8を剥がすと、第2粘着剤9の一部がホログラム7上に残り、剥がした事が分かる。 - 特許庁
  • On the working table 2, a first working region 31 and a second working region 32 are formed into which the air filtered by the first filter 41 is supplied and into which the air filtered by the second filter 42 is supplied, respectively.
    作業台2上には、第1フィルタ41により濾過された空気が送られる第1作業領域31と、第2フィルタ42により濾過された空気が送られる第2作業領域32とが形成されている。 - 特許庁
  • A second joint part 36 has a protruded portion 44 movable to the inward/outward direction of the diameter and a second protruded portion 50 and has an outer diameter smaller than the inner diameter of the first joint part 2, and it is fixed to the body part 26.
    径の内外方向に移動可能な突起部44と、第2突出部50とを有すると共に、外径が第1の継手部2の内径よりも小さくかつ本体部26に固定された第2継手部36を備える。 - 特許庁
  • When the second voltage appears on the synkline, it is indicated that any data of the sub-arrays does not coincide with input data, or an invalid state in a valid memory cell is indicated, and the synkline is kept at the second voltage.
    第2電圧がシンク線に現れる場合には、これが、サブアレイのいずれかのデータと入力データとの間の不一致または、有効メモリ・セル内の無効状況を示し、シンク線が第2電圧に維持される。 - 特許庁
  • The first inner conductor 10 is disposed in the same layer together with the second inner conductor 20, and a first portion 12 of the first terminal electrode 5 is narrower in width than a main electrode portion 21 of the second inner conductor 20.
    第1の内部導体10は第2の内部導体20と同じ層に配置され、第1の端子電極5の第1の部分12の幅は第2の内部導体20の主電極部21の幅よりも狭くなっている。 - 特許庁
  • An electrical pulse is applied to a uniform resistor portion to cause resistance heating, the uniform resistor portion of the first layer is thermally expanded with respect to the second layer and deflected in a second position, and the cantilevered element is restored to the first position when a temperature decreases.
    均一抵抗部に電気パルスを印加して抵抗加熱を発生させ、第一層の均一抵抗部が第二層に対して熱膨張し、第二の位置にたわみ、その後、温度が下がると、第一の位置に復帰する。 - 特許庁
  • After openings for the contact holes of the hard mask 107A are transferred to the second interlayer insulation film 106 and the etching stopper film, openings for interconnection trenches in second resist pattern 110 are transferred to the hard mask 107A.
    第2の層間絶縁膜106及びエッチングストッパー膜にハードマスク107Aの接続孔用開口部を転写した後、ハードマスク107Aに第2のレジストパターン110Aの配線溝用開口部を転写する。 - 特許庁
  • A propeller shaft 7 mounted between the first unit 13 and the second unit 14 is made to be a hollow pipe 31, and oil leaked from the oil pump 5 is discharged to the second unit 14 through the propeller shaft hollow pipe 31.
    第1ユニット13と第2ユニット14との間に架設したプロペラシャフト7を中空管31とし、オイルポンプ5から漏洩したオイルを、プロペラシャフト中空管31を経て第2ユニット14へ排出するよう構成した。 - 特許庁
  • The contamination preventing layer 45 is provided with a first part 45A on an upper surface of the convex structure 44 and a second part 45B on an upper surface of the heat shielding layer 43, and the first part 45A and the second part 45B are divided.
    汚染防止層45は、凸構造44の上面の第1部分45Aと、断熱層43の上面の第2部分45Bとを有しており、第1部分45Aと第2部分45Bとが分断されている。 - 特許庁
  • In top view, the bit line interval of the first paired bit line BM/BM is wider than that of the second paired bit line BS/BS, with the second paired bit line BS/BS provided between the first paired bit line BM/BM.
    平面視にて、第1のビット線対BM,/BMのビット線間隔が、第2のビット線対BS,/BSのビット線間隔よりも広く、第1のビット線対BM,/BMの間に第2のビット線対BS,/BSが配置される。 - 特許庁
  • Using engaging between a first connector guide groove 7 on the first connector 2 side and the second connector guide 6 on the second connector 4 side, the accumulated static electricity on a case 1 of an electronic apparatus is discharged before the connectors are engaged.
    第一のコネクタ2側の第一のコネクタガイド溝7と第二のコネクタ4側の第二のコネクタガイド6との嵌合を利用して、コネクタが嵌合する前に、電子機器の筐体1に蓄積された静電気を逃がす。 - 特許庁
  • When an insertion piece 52 arranged at the extremity end of the second flap 32 is inserted into an insertion cutting line 44 formed in the first flap 30 by folding the second flap 32, the sealing and closing work is completed.
    そして、第二フラップ32を折り曲げて、当該第二フラップ32の先端に設けられた差込片52を、第一フラップ30に形成された差込用切込線44に差し込めば、閉封作業が完了となる。 - 特許庁
  • Since the solder ball 44 is positioned lower than the second semiconductor structure 51 in this case, a pitch of locating the solder ball 44 can be set irrespective of the presence of the second structure 51.
    この場合、半田ボール44は第2の半導体構成体51の下面よりも下方に位置させられているので、第2の半導体構成体51の存在に関係なく、半田ボール44の配置ピッチを設定することができる。 - 特許庁
  • Further, an ion plantation of a different second impurity having the same type of conductivity as the first impurity is carried out by a dose amount selected between the dose amount of the first impurity and that of the second impurity.
    さらに、第1不純物領域内に、第1不純物と同じ導電型を有する別の第2不純物を、第1不純物のドーズ量と第2のドーズ量の間で選択されたドーズ量でイオン注入する。 - 特許庁
  • When the water temperature is lowered from the first preheating temperature HT to second preheating mode temperature YT, the temperature in the bedding is also lowered from the first preheating temperature band HTB to a second preheating temperature band YTB.
    そして次に、水温が第1予熱モード温度HTから第2予熱モード温度YTまで低下すると、前記寝具の温度もまた、第1予熱温度帯HTBから第2予熱温度帯YTBまで低下する。 - 特許庁
  • Namely, there is no information capable of specifying whom on the first server the user of the second server corresponds to except information given from the first server, and even a manager of the second server cannot know it.
    つまり、第一のサーバから与えられる情報以外に、第二のサーバのユーザが第一のサーバ上の誰なのかを特定できる情報がないのであり、これは第二のサーバの管理者でさえ知り得ないのである。 - 特許庁
  • The thickness of the first and second internal electrode layers 2 and 3 being in contact with a dielectric layer 6 are made larger in thickness than the thickness of the dielectric layer 6 between the first and second internal electrode layers 2 and 3.
    また、第一、第二の内部電極層2,3間に存在する誘電体層6の肉厚よりも、この誘電体層6に接する前記第一、第二の内部電極層2,3の肉厚を厚くしたものである。 - 特許庁
  • The first electrode 8 (partial electrodes 12 and 14) of first and second sensors 4 and 6 is arranged by having an interval at the perforation part of the film 102, and a second electrode 10 is arranged on the opposite side of the film 102.
    第1および第2のセンサ4、6の第1の電極8(部分電極12、14)は、フィルム102のパーフォレーション部に間隔をおいて配置され、フィルム102の反対側には第2の電極10が配置されている。 - 特許庁
  • A second control means 507 controls the hardware module and/or the software module corresponding to the operation subjected to the operation to change a state based on detection results of the second detection means.
    第2の制御手段507は、第2の検出手段の検出結果に基づいて、前記状態を変位させる操作がなされた操作キーに対応するハードウエアモジュールおよび/またはソフトウエアモジュールを実行状態に制御する。 - 特許庁
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