「electron microscope」を含む例文一覧(1821)
＜前へ 1 2 .... 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 次へ＞- When an operator instructs a point near the inclined axis of the inclined axis pattern by an input device 23, the display control device 22 sets a focusing position on the inclined axis J, which is closest in distance from the instructed point and informs the electron microscope body control part 30 of focusing position information.
入力装置２３によりオペレータが傾斜軸パターンの傾斜軸近傍の点を指示すると、表示制御装置２２は指示点から距離が最も近い傾斜軸Ｊ上に焦点合わせ位置を設定し、その焦点合わせ位置の情報を電子顕微鏡本体制御部３０に通知する。 - 特許庁 - The obtained hollow particle is comprised of a dense silica shell which has a diameter of a primary particle of 30-300 nm as measured by the transmission electron microscope method, and a particle size of 30-800 nm by the dynamic light scattering method, and which can not detect pores of 2-20 nm in a pore distribution measured by the mercury porosimetry.
得られた中空粒子は透過型電子顕微鏡法による一次粒子径が３０〜３００ｎｍ、動的光散乱法による粒子径が３０〜８００ｎｍ、水銀圧入法により測定される細孔分布において２〜２０ｎｍの細孔が検出されない緻密なシリカ殻からなる。 - 特許庁 - To provide a transmission electron microscope apparatus capable of acquiring a spectral image simultaneously from a plurality of samples and measuring a highly accurate chemical shift form an electronic energy loss spectrum extracted from the spectral image, a sample holder, a sample stage, and a method of acquiring the spectral image.
複数個の試料から同時にスペクトル像を取得し、スペクトル像より抽出された電子エネルギー損失スペクトルから、高精度のケミカルシフトを測定することが可能な透過型電子顕微鏡装置，試料ホルダ，試料台及びスペクトル像の取得方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a CDSEM (Scanning Electron Microscope) capable of highly accurately evaluating and presenting the length measurement reproducibility of the device without being affected by fluctuations of a fine shape, which tend to increase with the miniaturization of semiconductor patterns, and provide a reproducibility evaluation method as a device.
半導体パターンの微細化に伴なって増加傾向にある微細形状揺らぎに影響されずに、装置の測長再現性能を高精度で評価して提示することができるＣＤＳＥＭ（走査型電子顕微鏡装置）及び装置としての再現性能評価方法を提供することにある。 - 特許庁 - As a result, the operator of the scanning electron microscope can find out the occurrence of the abnormality of the device by the mail of the PC1, while the service center for the device can immediately find out the occurrence of the abnormality of the device, the type of the abnormality, the occurrence time of the abnormality and the like by the mail of the PC2.
この結果、走査電子顕微鏡のオペレータは、ＰＣ１のメールによって装置の異常の発生を知ることができ、一方、装置のサービスサイトでは、ＰＣ２のメールによって装置の異常の発生、その異常の種類、異常の発生時刻等をただちに知ることができる。 - 特許庁 - The method for evaluating the fatigue of a solder junction containing Sn as a main component includes the steps of enlarging a cut section of the junction by an electron microscope, measuring a phase size (d) of an Sn phase 20 and an Ag_3Sn phase 22, and biquadrating the measured value (d) to a phase growth evaluating parameter S.
Ｓｎを主成分とするはんだの接合部の疲労評価方法において、はんだ接合部の切断面を電子顕微鏡により拡大して、Ｓｎ相２０やＡｇ_３Ｓｎ相２２の相寸法ｄを測定し、この測定値ｄを４乗して相成長評価パラメータＳとする。 - 特許庁 - The electron microscope is provided with a maintenance mode consisting of a plurality of steps including an adjustment item setting step capable of setting adjustment items by selecting from a plurality of items to be adjusted necessary at the time of maintenance and inducing works necessary for adjustment for each step.
電子顕微鏡は、メンテナンス時に必要な複数の調整項目から調整する調整項目を選択して設定可能な調整項目設定ステップを含む複数のステップからなり、各ステップ毎に調整に必要な作業を行うよう誘導するメンテナンスモードを備える。 - 特許庁 - A height measurement function using a laser beam is provided by using a part of components of an optical microscope equipped in the electron beam analyzer, and consequently, the unevenness image of the sample surface can be simultaneously measured in the same visual field as the EPMA analysis image and the SEM observation image.
レーザーを用いた高さ測定機能を、電子線分析装置が備える光学顕微鏡の構成要素の一部を兼用することによって設け、これによって、試料面の凹凸像をＥＰＭＡ分析像やＳＥＭ観察像と同一視野で同時測定を可能とする。 - 特許庁 - To provide a method for efficiently cleaning a desired cleaning spot on the inner surface of a vacuum device without giving damage to the inner surface of a vacuum chamber nor heating resin components disposed outside the vacuum chamber more than required, with respect to the vacuum device represented by an electron microscope.
電子顕微鏡などに代表される真空装置に対して、真空チャンバ内面にダメージを与えず、また真空装置外部に配置された樹脂部品を必要以上に加熱せず、真空装置内面のクリーニングしたい箇所を効率的にクリーニングする方法を提供する。 - 特許庁 - To provide an apparatus difference control apparatus capable of reducing a measured dimension difference among a plurality of apparatuses by simply estimating generation factors of the apparatus difference to calibrate a scanning electron microscope apparatus based on the estimation result, and allowing further accurate dimension control of a wiring pattern.
機差の発生要因を簡便に推定し、この推定結果を元に走査電子顕微鏡装置を較正することで、複数台の装置間における計測寸法差を低減させ、より高精度な配線パターンの寸法管理を可能とする機差管理装置を提供することにある。 - 特許庁 - The electron microscope includes a signal processing part which calculates a deterioration function of images based on the detection signal obtained by scanning charged particle beams with two kinds of scanning speeds of a scanning speed in the band width of a detector and its amplifying circuit and a scanning speed exceeding the upper limit of the band width.
検出器およびその増幅回路の帯域幅内の走査速度と、上記帯域幅の上限を超える走査速度の２種の走査速度で荷電粒子線を走査して得られる検出信号に基づき、画像の劣化関数を算出する信号処理部を設ける。 - 特許庁 - A device 140 for adjusting classification classifies defects into a first class group according to the feature amount of the defects that are obtained from image data obtained from an electron microscope 110, and also classifies the defects into a second class group according to the feature amount of the defects classified into the first class group.
分類調整装置１４０は、電子顕微鏡１１０から得られた画像データよりより得られる欠陥の特徴量より、当該欠陥を第一のクラス群に分類し、当該第一のクラス群に分類された前記欠陥の前記特徴量より、前記欠陥を第二のクラス群に分類する。 - 特許庁 - In this detector suitable for a scanning electron microscope or the like, which is a PIN photodiode having a thin layer of pure boron connected to the p^+-diffusion layer, the boron layer is connected to an electrode having an aluminum grid to form a path of low electrical resistance on each position between the boron layer and the electrode.
走査型電子顕微鏡等に適した検出器は、p^＋‐拡散層に接続された純ホウ素の薄い層をもつPINフォトダイオードで、そのホウ素層は、アルミニウム・グリッドをもつ電極に接続され、そのホウ素層と電極との間の各々の位置において低い電気抵抗の経路を形成する。 - 特許庁 - To provide a size analysis program accurately determining parameters such as a correlation distance and variance required to evaluate the roughness of a pattern of a semiconductor device by using a size measurement apparatus such as a scanning electron microscope or the like, and a size measurement apparatus.
本発明は、走査電子顕微鏡等の寸法測定装置を用いて、半導体デバイスのパターンのラフネスを評価する際に要する相関距離や分散といったようなパラメータを、正確に決定することが可能な寸法解析プログラム、寸法計測装置の提供を目的とする。 - 特許庁 - The ruthenium tetroxide reducing material according to this invention effectively reduces the ruthenium tetroxide having high degree of risk, occurring from atomic power plants, in utilization of radioactive rays or from the catalysts for organic synthetic reactions and in dyed samples for electron microscope or the like to ruthenium dioxide that is made insoluble with the risk reduced.
本発明の四酸化ルテニウム還元材は、原子力、放射線利用、有機合成反応に用いる触媒、電子顕微鏡用の染色等で発生する、危険度の高い四酸化ルテニウムを危険度の低い二酸化ルテニウムに還元し、不溶化するのに有効である。 - 特許庁 - To provide an electron microscope with a magnetic image forming energy filter suitable for forming an energy-filtered object image or a diffraction image in a detector plane and suitable for forming a dispersion plane image in the detector plane for the parallel registration positioning of the energy spectrum.
エネルギフィルタリングされた対象物像又は回析像を検出器平面内に結像するのに適しているのみならず、エネルギスペクトルのパラレルレジストレーション位置合せのため検出器平面内へ分散平面を結像するのにも適する磁気形結像エネルギフィルタを有する電子顕微鏡を提供すること。 - 特許庁 - To provide an image forming method and an electron microscope capable of accurately or effectively acquiring information required for comparison regarding an image forming method accompanying with comparison among images such as three-dimensional image construction and a device for forming such images.
本発明の目的は、３次元像構築等の画像間の比較を伴う画像形成方法、及び当該画像を形成する装置について、比較に要する情報を、高精度、或いは効率よく取得することが可能な画像形成方法、及び電子顕微鏡の提供にある。 - 特許庁 - The scalpel for fabricating slices of various samples and/or for creating a surface of the highest quality, particularly the scalpel for fabricating laminas or sub-laminas using a microtome or ultramicrotome with a blade and a blade holder, preferably for electron microscope inspection, has its blade fabricated from synthetic diamond.
種々の試料の切片製造用及び／又は最高品質の表面生成用メス、とりわけ、好ましくは電子顕微鏡検査のための、刃及び刃ホルダを有するミクロトーム又はウルトラミクロトームによる薄片ないし亜薄片製造用メスは、刃が、合成ダイヤモンドから製造されている。 - 特許庁 - Besides, by using an optical observation apparatus utilizing the interference and refraction of light, without shrinking the resist pattern like the conventional case of recognizing the resist pattern by using an electron microscope, the line width can be precisely measured in a nondestructive manner.
また、光の干渉、回折を利用した光学観察装置を用いることにより、従来において電子顕微鏡を用いてレジストパターンの認識を行った場合のようにレジストパターンの収縮を発生させることはなく、非破壊で精密に線幅を測定することができる。 - 特許庁 - To enhance processing speed in an analysis method of an energy loss spectroscopic device and a transmission electron microscope, equipped with the energy loss spectroscopic device.
本発明はエネルギー損失分光装置の分析方法及びエネルギー損失分光装置を備えた透過電子顕微鏡に関し、処理速度を向上させることができるエネルギー損失分光装置の分析方法及びエネルギー損失分光装置を備えた透過電子顕微鏡を提供することを目的としている。 - 特許庁 - To provide a sample stage for a focused ion beam processing device, using an easy method for inexpensively making a plane-observed semiconductor thin sample, and to provide a method using the same for making the transmission type electron microscope plane-observed semiconductor thin sample.
簡易な方法で安価に平面観察用半導体薄片試料を作製することを可能にする集束イオンビーム加工装置の試料ステージおよびこの試料ステージを用いた透過型電子顕微鏡平面観察用半導体薄片試料の作製方法の提供。 - 特許庁 - To provide a semiconductor process simulation device which adopts an impurity diffusion model under the consideration of a dislocation loop for reducing a time and labor required for extracting the physical quantity of the dislocation loop from a transmission electron microscope picture.
転位の輪を考慮に入れた不純物拡散モデルを取り入れた半導体プロセスシミュレーション装置において、転位の輪の物理量を透過電子顕微鏡写真から抽出する時間と労力を低減した半導体プロセスシミュレーション装置を提供することを目的とする。 - 特許庁 - In this method of preparing the sample for direct observation in the transmission electron microscope, of an interface between the iron oxide and solid carbon for analyzing the reduction process of the iron oxide by the solid carbon, the iron oxide which is an observation object is broken and carbon is deposited on the broken face.
酸化鉄の固体炭素による還元過程を解析するために酸化鉄と固体炭素の界面を透過電子顕微鏡内で直接観察する試料の作製方法であって、観察対象物である酸化鉄を破断しその破断面に炭素を蒸着することとする。 - 特許庁 - To provide a scanning electron microscope device having a function to produce precisely and rapidly an imaging recipe having an equal or better performance than an imaging recipe produced manually by SEM operators based on their own unique know-how, and to provide an imaging method using the same.
ＳＥＭオペレータが独自のノウハウに基づきマニュアルで生成した撮像レシピと同等あるいはそれ以上の性能をもつ撮像レシピを正確にかつ高速に生成する機能を備えた走査型電子顕微鏡装置ならびにそれを用いた撮像方法を提供する。 - 特許庁 - With the help of a means of inputting a space size or a distance d an operator wishes to observe, and by calculating observation conditions alleviating influence of high contrast and superposed false images based on the values, desired modulation is applied on acceleration voltage or the like of the electron microscope.
操作者が観測を希望する空間的な大きさまたは距離dを入力する手段と、この値に基づく像が高いコントラスト、且つ重畳する偽像の影響を低減せしめる観察条件を算出し、それに基づき電子顕微鏡の加速電圧等に所望の変調をかける。 - 特許庁 - The composite electrolyte membrane consisting of polymer electrolyte and polymer nonelectrolyte, has a structure formed by dispersing the polymer electrolyte in the polymer nonelectrolyte granularly or a structure formed in layers respectively, when observing a section of the electrolyte membrane with a transmission electron microscope.
すなわち、プロトン伝導度を燃料電池用電解質膜として使用できるよう保ちつつ、メタノールなどの水素含有液体透過性（クロスオーバー）をできるだけ小さくした電解質膜であり、なおかつ電極とのプロトン伝導経路を十分に形成しうる電解質膜を提供することを課題とする。 - 特許庁 - The ceria-zirconia based compound oxide satisfies A/B<1.5 wherein A is an average particle diameter estimated from surface area and B is an average particle diameter ratio measured by observation with an electron microscope, and a specific surface area of the compound oxide after firing at 1,000°C for 3 h is ≥40 m^2/g.
セリア−ジルコニア系複合酸化物を表面積から推定される平均粒子径Ａと電子顕微鏡観察から測定される平均粒子径比Ｂの比Ａ／Ｂが＜１．５であり、かつ１０００℃で３時間焼成後の比表面積が４０ｍ^２／ｇ以上とする。 - 特許庁 - A space is thereby generated between a support film 7 for the mesh 6 for the transmission electron microscope and the observation area including the specified portion 2 desired to be observed, and reworking is allowed further from both sides of the specified portion 2 by the FIB 3, using the space, after the observation.
これにより、透過型顕微鏡用メッシュ６の支持膜７と観察したい特定箇所２を含む観察領域との間に空間ができることにより、この空間を用いて、観察した後に更に特定箇所２の両側からＦＩＢ３で再加工できることとなる。 - 特許庁 - By paying attention to the fact that film reduction of the resist pattern is accompanied by surface roughening (roughness) of a resist upper surface, a film reduction index value is calculated by quantifying the degree of roughness of a portion corresponding to the resist upper surface, on an electron microscope image of the resist pattern used in conventional line width measurement.
レジストパターンの膜減りがレジスト上面の面荒れ（ラフネス）を伴うことに着目し，従来の線幅計測に用いているレジストパターンの電子顕微鏡像上で，レジスト上面に相当する部位のラフネスの程度を定量化することによって膜減り指標値を算出する。 - 特許庁 - To provide a mask for manufacturing an observation sample of an electron microscope which surely controls the etching quantity of a member having an observed region or easily searches the observed region, and a manufacturing method and a manufacturing apparatus of the observation sample using the mask.
観察対象領域を有する部材のエッチング量を確実に制御でき、あるいは、観察対象領域を容易に探すことができる電子顕微鏡の観察用試料作製用マスク、並びに、このマスクを用いた観察用試料の作製方法および作製装置を提供すること。 - 特許庁 - On measuring length of the resist film having the above pattern formed thereon by using a CD-SEM (critical dimension scanning electron microscope), first an objective chip region 11a for length measurement is designated among a plurality of chip regions, and the position of the length measurement pattern 13a placed in the left side is identified.
このようなパターンの形成が行われたレジスト膜に対して、ＣＤ−ＳＥＭを用いて測長を行う場合には、複数のチップ領域のうちから測長対象チップ領域１１ａを指定した後、その左方に位置する測長パターン１３ａの位置を特定する。 - 特許庁 - This steel sheet has 80% or less of a ratio of Si-containing oxide occupying in 10 μm length of the steel sheet surface in an average measured on arbitrarily selected five places, when a cross section in the transversal direction to the steel sheet surface is observed with an electron microscope at a magnification of 50,000 times or higher.
鋼板表面と直交する方向の断面を電子顕微鏡にて倍率５００００倍以上で観察したときに、鋼板表面長さ１０μｍに占めるＳｉ含有酸化物の割合が、任意に選択される５箇所の平均で８０％以下となるようにする。 - 特許庁 - To provide an observation method of an FIB-processed sample by an electron microscope, which enables the identification of a processed part of the sample that is processed into a thin film for a short time by FIB (focused ion beam) and enables the reduction of the time duration from setting of the processed sample to observation of the processed position.
短時間にＦＩＢで薄膜状に加工された試料の加工部分を見出し、電子顕微鏡への加工済み試料のセットから加工位置の観察までの時間を短縮することができるＦＩＢによる加工試料の電子顕微鏡による観察方法を実現する。 - 特許庁 - In the transmission electron microscope provided with the sample holder having a side part holding member and a back surface holding member in a sample stand, the sample holder is provided with an abutment part, on which a surface of the sample abuts, between the side part holding member and the back surface holding member.
試料台に側部保持部材と裏面保持部材とを有する試料ホルダーを備える透過電子顕微鏡において、試料ホルダーの側部保持部材と裏面保持部材との間に、前記試料の表面が当接する当接部を備えることを特徴とする試料ホルダーを提供する。 - 特許庁 - At the cover part 6, a panel and open and close doors 11a, 11b and a window part 14 or the like are mounted on a frame part 29, and in the frame part 29, the rear part frame body surrounding the electron microscope main body part 1 and the rear part side of the pedestal cabinet 24 and the front part frame body surrounding the front part side are coupled.
カバー部６は、枠部２９にパネルや開閉扉１１ａ，１１ｂ，窓部１４などが取り付けられたものであり、枠部２９は、電子顕微鏡本体部１や架台筐体２４の後部側を囲む後部枠体と前部側を囲む前部枠体とが連結されたものである。 - 特許庁 - When pictures are taken of element distribution of a sample and spectrum using the transmission type electron microscope of a energy filtering type, photography time of spectrum data concerning the element distribution or the spectrum pictured through a spectrometer, is time-shared so that it can respond to a drift of the sample.
エネルギーフィルタ方式の透過型電子顕微鏡を用いて、試料の元素分布或いはスペクトルを撮影する場合に、分光計を通して撮影される元素分布或いはスペクトルに関する分光データの撮影時間を試料のドリフトに対応し得るように時分割する。 - 特許庁 - The iris device to be used for an electron microscope has a structure obtained by laminating a silicon oxide film and an independent thin film on a silicon substrate successively from the silicon substrate side, and the independent thin film has a Young's modulus larger than that of the silicon oxide film and tensile stress.
シリコン基板上に、前記シリコン基板側から順にシリコン酸化膜、自立薄膜が積層された構造であり、前記自立薄膜は前記シリコン酸化膜よりもヤング率が大きく、かつ引張応力を有することを特徴とする電子顕微鏡に用いる絞り装置。 - 特許庁 - To determine steps or unevenness formed on a sample by a simple technique or obtain three-dimensional information by using a charge particle beam device such as a scanning electron microscope, and particularly to provide a determination method or its device suitable for unevenness determination of a line and space pattern formed on a sample.
走査電子顕微鏡等の荷電粒子線装置で、簡単な手法で試料上に形成された段差及び凹凸の判定、或いは３次元情報を得ることにあり、特に試料上に形成されたライン＆スペースパターンの凹凸判定に好適な判定方法、及び装置を提供する。 - 特許庁 - To provide a reembedding method of a slice for microscopic observation capable of improving efficiency and allowing an organism cell to be observed quickly in a method for embedding a thick slice in resin again and then slicing it again to obtain a thin slice and observing it by an electron microscope.
厚切り切片を再び樹脂に包埋してから再びスライスして薄切切片とし、これを電子顕微鏡によって観察する方法で、効率の向上を図り、短時間で生物の細胞の観察ができる顕微鏡観察用切片の再包埋方法を提供する。 - 特許庁 - Filtration is made by using a polyvinylidene resin membrane formed by the integration of lamellas of ≥5 nm in the width of the membrane surface structure at a magnification 50000 times when either of the inside/outside surfaces of the membrane and the membrane section is observed by a scanning electron microscope and ≥2 in aspect ratio.
走査型電子顕微鏡で膜の内／外表面および膜断面のいずれかを観察した時の、倍率５万倍での膜面構造が幅が５ｎｍ以上でアスペクト比が２以上であるラメラの集積により形成されている、ポリフッ化ビニリデン系樹脂膜を用いてろ過を行う。 - 特許庁 - This new method for forming a MOS structure having a GaAs base 140 includes the steps of ion implanting after formation of an oxide and thereafter performing slow heating and cooling operations, in such a manner that an interface defect detectable by a high-resolution transmission electron microscope essentially will not be generated.
ＧａＡｓを基本とするＭＯＳ構造を形成する新しい方法は、酸化物形成後のイオン注入及び高分解透過電子顕微鏡によって検出できる界面欠陥が本質的に形成されないように行われるその後のゆっくりした加熱及び冷却を含む。 - 特許庁 - To provide: a method for highly precisely estimating a detection value of emitted electrons obtained by actual observation; a method for highly precisely simulating an SEM image obtained by actual observation; and a scanning electron microscope having an electronic optical system or the like set therein, so that a dummy SEM image is actually obtained.
走査電子顕微鏡において、実観察で得られる放出電子の検出値を高精度に推定する方法、実観察で得られるＳＥＭ像を高精度にシミュレーションする方法と模擬ＳＥＭ像が実際に得られるように電子光学系等が設定される装置を提供する。 - 特許庁 - To provide an apparatus and method of measuring crystallographic orientation relationship of adjacent crystal grains using the goniometer of a transmission electron microscope capable of accurately observing the orientation relationship of two crystal grains and characteristics of their grain boundary in real time.
２つの結晶の方位関係と結晶粒界の特性をリアルタイムで正確に確認できることを特徴とし、透過電子顕微鏡のゴニオメ−タを利用した隣り合う結晶粒の結晶学的方位関係と結晶粒界の特性を測定する測定装置及びその測定方法を提示する。 - 特許庁 - The silver paste comprises rod-like silver powders, a resin component, and an organic solvent, and a powder particle of the rod-like silver powders is needle-like, and has an average diameter L of primary particles of not more than 10 μm as measured with a scanning electron microscope.
ロッド状銀粉と樹脂成分と有機溶剤とからなる銀ペーストであって、前記ロッド状銀粉の粉粒は針状であり、走査型電子顕微鏡像から判断できる一次粒子の平均長径Ｌが１０μｍ以下であることを特徴とする銀ペースト等を採用する。 - 特許庁 - Similarly in correcting a black defect, an etching source material in a liquid state is supplied from the probe of a scanning probe microscope onto only the black defect region by a similar method to Dip-Pen Nanolithography, and an ion beam or an electron beam is supplied to etch to correct the black defect.
黒欠陥修正の場合も同様に、走査プローブ顕微鏡の探針から液体状のエッチング原料をＤｉｐ−Ｐｅｎ Ｎａｎｏｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙと同様な方法で黒欠陥領域上のみに供給し、イオンビームや電子ビームを供給してエッチングを行い黒欠陥を修正する。 - 特許庁 - The mask for manufacturing the observation mask of the electron microscope is provided with a first mask 13 formed on a semiconductor substrate 11 with the observed region 13A and having a width W1 corresponding to a thickness for transmitting an electron beam through the observed region 13 and a second mask 14 formed on the semiconductor substrate 11 and having a width W2 partially larger than the first mask 13.
電子顕微鏡の観察用試料作製用マスクは、観察対象領域１３Ａを有する半導体基板１１上に、観察対象領域１３を電子線が透過できる厚みに相当する幅Ｗ１で形成された第１マスク１３と、半導体基板１１上に、少なくともその一部が第１マスク１３よりも大きい幅Ｗ２で形成された第２マスク１４とを具備している。 - 特許庁 - In this electron microscope with a magnetic image forming energy filter, the energy filter is provided with direction change systems 11-14 arranged symmetrically with one center plane M and a hexapol provided between the direction change systems 11-14 and a projection system succeeding the energy filter in the beam direction.
磁気形結像エネルギフィルタを有する電子顕微鏡において、前記エネルギフィルタは、１つの中心平面（Ｍ）に対して対称的に配置された方向変換系（１１−１４）を有し、方向変換系と、ビーム方向でエネルギフィルタに後続する投影系との間に設けられたヘクサポール（Hexapol） を有すること。 - 特許庁 - The carbon black has ≤0.5% oxygen content, 150-250 ml/100 g DBP absorption measured based on JIS K 6217, 0.5-0.8 μm mode diameter in a size distribution curve drawn by using structure lengths measured by a transmission electron microscope, and ≥1 μm half width thereof.
酸素含有量が０．５％以下、ＪＩＳ Ｋ ６２１７によるＤＢＰ吸収量が１５０〜２５０ｍｌ／１００ｇ、透過型電子顕微鏡によって測定されたストラクチャー長さを用いて描かれた粒度分布曲線の最大頻度径が０．５〜０．８μｍで、その半値幅が１μｍ以上であることを特徴とするカーボンブラック。 - 特許庁 - The magnetic particles are reduction treatment products of hexagonal ferrite magnetic particles, and a ratio Dc/Dtem between a particle diameter Dtem in a direction perpendicular to a face (220) obtained with a transmission electron microscope and a crystallite size Dc obtained from a diffraction peak of the face (220) is within the range of 0.90-0.75.
前記磁性粒子は、六方晶フェライト磁性粒子の還元処理物であって、透過型電子顕微鏡により求められる（２２０）面に垂直な方向における粒子径Ｄｔｅｍと、（２２０）面の回折ピークから求められる結晶子サイズＤｃとの比Ｄｃ／Ｄｔｅｍが０．９０〜０．７５の範囲である。 - 特許庁 - The aluminum alloy sheet is subjected to cold rolling at a working ratio of 30 to 60%, the average crystal grain size obtained by a cutting method is ≤30 μm, and the area occupancy ratio of intermetallic compounds on the surface obtained by the image analysis of an observed picture in a scanning type electron microscope is 1.0 to 5.0%.
このアルミニウム合金板は、加工率が３０乃至６０％の冷間圧延が施され、切断法により求めた平均結晶粒径が３０μｍ以下であり、走査型電子顕微鏡の観察画面像の画像解析により求めた表面における金属間化合物の面積占有率が１．０乃至５．０％である。 - 特許庁
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