「substrate interface」を含む例文一覧(1149)
＜前へ 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 .... 22 23 次へ＞- The method for forming an interface layer on a substrate surface, for which the hydrogen passivation is carried out, is provided.
水素パッシベーションした表面上に界面層を形成する方法が提供される。 - 特許庁 - A host computer 7 for transmitting various data, e.g. record data, to an ink jet recorder 1 is connected with the interface substrate 3 using an interface cable 6 through an interface connector 5.
記録データ等の各種データをインクジェット記録装置１に伝送するためのホストコンピュータ７と、インターフェイス基板３とは、インターフェイスコネクタ５を介してインターフェイスケーブル６で接続されている。 - 特許庁 - A substrate rinse drying device forms an air/fluid interface line by linear fluid blown along the surface of the substrate and linear steam is supplied to the interface line to achieve Marangoni drying by the linear steam.
線状の流体が基板表面に沿って吹き付けられて空気／流体境界線を形成し、線状の蒸気がマランゴニ乾燥を達成するためにこの境界線に供給される。 - 特許庁 - Receiving light at the interface between the Si substrate 1 and the GaN layer 2 generates a photocurrent which flows along the interface between the Si substrate 1 and the GaN layer 2 as a two-dimensional carrier.
また、Ｓｉ基板１とＧａＮ層２との界面で光を受光すると、光電流が発生するが、光電流は、ＧａＮとＳｉの界面を２次元性キャリアとして流れる。 - 特許庁 - To solve the problem that when a semiconductor mount substrate drops or has other troubles, a delamination occurs in an interface 2e between a silicon substrate 2a and a resin film 2b.
半導体実装基板において、落下時などにシリコン基板２ａと樹脂膜２ｂとの界面２ｅ部分で剥離が発生。 - 特許庁 - To provide a semiconductor device that has no developing residue in an interface of a metal electrode on a semiconductor substrate and the semiconductor substrate.
半導体基板上の金属電極と半導体基板の界面に、現像残渣のない半導体装置を提供すること。 - 特許庁 - An aligner 17 is disposed adjacent to the interface block 16 of the substrate processor 500.
基板処理装置５００のインターフェースブロック１６に隣接するように露光装置１７が配置される。 - 特許庁 - COMPUTER DEVICE AND CONNECTING MECHANISM OF INTERFACE BUS FOR THE DEVICE AND EXTENDED SUBSTRATE FOR THE DEVICE
コンピュータ装置、該コンピュータ装置のインタフェースバスの接続機構および該コンピュータ装置の拡張基板 - 特許庁 - Thus, occurrence of stress is suppressed in the interface of the thermal oxide film and the semiconductor substrate.
このため、熱酸化膜と半導体基板の界面において、応力の発生が抑制される。 - 特許庁 - The distance from the interface between the retaining substrate and the buffer layer to the active layer is at least 2 μm.
支持基板とバッファ層との界面から活性層までの距離が２μｍ以上である。 - 特許庁 - METHOD OF CONNECTING IC WAFER TO SUBSTRATE FOR SEMICONDUCTOR INSPECTION, AND INTERFACE FOR CONNECTING IC WAFER
ＩＣウエハーと半導体検査基板との接続方法およびＩＣウエハー接続用インターフェイス - 特許庁 - To reduce the stress on an interface between a crystal and a seed crystal when a GaN substrate is obtained by a flux method.
フラックス法によりＧａＮ基板を得る際に種結晶との界面の応力を低減する。 - 特許庁 - An aligner 17 is disposed adjacently to the interface block 16 of the substrate processor 500.
基板処理装置５００のインターフェースブロック１６に隣接するように露光装置１７が配置される。 - 特許庁 - An oxide-based interface is provided between the high-K dielectric material and the underlying substrate.
この高Ｋ誘電材料とその下の基板の間に酸化物ベースの界面が提供される。 - 特許庁 - A barrier layer (h) is provided to an interface between the semiconductor substrate (a) and the solid electrolyte secondary cell.
半導体基板ａと固体電解質二次電池の接する部分にバリア層ｈを有する。 - 特許庁 - The fixing member includes: a substrate; an elastic layer disposed on the substrate; an interface layer disposed on the elastic layer, the interface layer containing a plurality of diamond-containing particles dispersed in a polymer matrix; and a surface layer disposed on the interface layer.
基材と、前記基材の上に配置された弾性層と、前記弾性層の上に配置された、ポリマーマトリックス内に分散された複数のダイヤモンド含有粒子を含む界面層と、前記界面層の上に配置された表面層と、を含む定着部材。 - 特許庁 - The particulate layers 51 operate as antireflection bodies preventing interface reflection due to refractive index differences on the interface between the MLA substrate 31 and junction surface 47 and the interface between the junction layer 47 and counter substrate 32 to prevent a decrease in contrast caused by stray light.
微粒子層５１は、ＭＬＡ基板３１と接合層４７の界面、接合層４７と対向基板３２の界面における屈折率差に起因した界面反射を防止する反射防止体として作用し、迷光によるコントラスト低下を防止する。 - 特許庁 - In addition, since the interface on the substrate 5 side of the transparent electrode layer 3 (interface with the layer 4 having the low refractive index) is made to be a rugged surface, the total reflection on this interface reduces, and the light extraction efficiency can be enhanced.
透明電極層３の基板５側の界面（低屈折率層４との界面）を凹凸面としており、この界面での全反射も減少し、光取り出し効率が向上する。 - 特許庁 - A ZnO-based crystal layer having grown on a substrate of a sapphire (Al_2O_3) single crystal has a solid solution layer formed by solidly solving aluminum (Al) of the substrate in an interface with the substrate.
サファイア（Ａｌ_2Ｏ_3）単結晶の基板上に成長したＺｎＯ系結晶層は、基板との界面に基板のアルミニウム（Ａｌ）が固溶された固溶層を有している。 - 特許庁 - The substrate handler SH may be a substrate robot or interface unit or any other device suitable to transfer substrates between the lithographic apparatus LA and the substrate track ST.
基板ハンドラＳＨは、リソグラフィ装置ＬＡと基板トラックＳＴとの間で基板を移動するのに適切な基板ロボットまたはインタフェースユニットまたはその他のデバイスであってよい。 - 特許庁 - In the image forming apparatus, cut faces of the photoreceptor sheet 12 are heat-treated to thermally modify the interface between the substrate layer 12a and the conductive layer 12b and the interface between the conductive layer 12b and the photosensitive layer 12c.
感光体シート１２の裁断面を加熱処理して基体層１２ａ、導電層１２ｂ及び感光層１２ｃの界面を熱変性する。 - 特許庁 - To provide improved ultra high-speed optical technology for testing the characteristics of an interface between two materials, such as the interface between a substrate and an overlapping thin film.
基板と重畳する薄膜との間の界面等の２つの材料の間の界面の特性を調べる改善された超高速光技術を提供する。 - 特許庁 - To provide an interface apparatus, for which a test whether an interface device pin is connected to a substrate terminal normally or not is easily carried out.
インターフェースデバイスのピンと基板端子との間が正常に接続されているか否かを容易に試験することのできるインターフェース装置を提供すること。 - 特許庁 - This suppresses the leakage from the device layer to an interface between the substrate 21 and the buffer layer and the storage of leaking electrons on such interface.
これにより、低抵抗基板とバッファー層との間の界面へのデバイス層からのリーク、およびかかる界面におけるリークした電子の蓄積を抑制できる。 - 特許庁 - In the semiconductor device 6, deuterium D5 is segregated in a crystal interface of a semiconductor substrate 1 and dangling bond of semiconductor atom of a crystal interface is terminated by deuterium.
半導体基板の結晶界面に重水素が偏析しており、結晶界面の半導体原子のダングリングボンドが重水素により終端されている。 - 特許庁 - To realize a substrate mounting recognition system which can confirm the sure mounting including the case that the longitudinal size of an interface substrate is long.
インタフェース基板の縦寸法が長い場合等を含め、確実な実装の確認が行える基板実装認識システムを実現する。 - 特許庁 - A substrate processing method is used for processing substrates in a substrate processing apparatus including an indexer part, a processing part, and an interface part.
基板処理方法は、インデクサ部と処理部とインターフェイス部を備えた基板処理装置において基板に処理を行う方法である。 - 特許庁 - The electrooptical device 1 has the plastic and bendable interface substrate 60 for the display for the purpose of delivering a drive signal to a substrate 10 for a display and the plastic and bendable interface substrate for the light source disposed on the side lower than the interface substrate 60 for the display for the purpose of delivering the drive signal to the light source.
電気光学装置１は、画像を表示するための表示用基板１０に駆動信号を送出するための可塑性の折り曲げ可能な表示用インターフェイス基板６０と、表示用インターフェイス基板６０より下側に配され、光源に駆動信号を送出するための可塑性の折り曲げ可能な光源用インターフェイス基板とを有する。 - 特許庁 - The insulating layer includes regions 8 containing fixed charge, which adjoin the silicon substrate 1 and the source region 10 and also adjoin the silicon substrate 1 and the drain region 11 in such a fashion as to straddle an interface between the silicon substrate 1 and the source region 10 and an interface between the silicon substrate 1 and the drain region 11.
上記絶縁層は、シリコン基板１とソース領域１０との境界およびシリコン基板１とドレイン領域１１との境界を跨ぐように、シリコン基板１とソース領域１０に接すると共にシリコン基板１とドレイン領域１１に接する固定電荷を含む領域８を有する。 - 特許庁 - To provide an electrooptical device which can prevent the deflection of an interface substrate for a light source when an interface substrate for a display and an interface for a light source are bent to an inner side and an electronic apparatus which is equipped with the electrooptical device.
表示用インターフェイス基板と光源用インターフェイスとを内側に折り曲げた場合に、光源用インターフェイス基板のその撓みを防止することが可能な電気光学装置、およびこの電気光学装置を備えた電子機器を提供することを目的とする。 - 特許庁 - To provide a power module substrate with a heat sink and a power module with a heat sink, which can prevent the occurrence of a warp and the occurrence of peeling at an interface between a circuit layer and an insulating substrate and an interface between a metal layer and the insulating substrate under the load of a thermal cycle.
反りの発生や熱サイクル負荷時の回路層と絶縁基板の界面及び金属層と絶縁基板の界面での剥離を防止することができるヒートシンク付パワーモジュール用基板及びヒートシンク付パワーモジュールを提供する。 - 特許庁 - The light emitting device contains an n-type β-Ga_2O_3 substrate or n-type (AlGa)_2O_3 substrate, an interface control layer formed on the substrate, and a light emitter arranged with an AlGaN semiconductor layer formed on the interface control layer.
ｎ型β−Ｇａ_２Ｏ_３基板あるいはｎ型（ＡｌＧａ）_２Ｏ_３基板と、前記基板上に形成された界面制御層と、前記界面制御層上に形成されたＡｌＧａＮ半導体層によって構成された発光部とを含む発光素子。 - 特許庁 - To provide an image input system capable of individually identifying an image input interface substrate.
画像入力インターフェース基板を個別に識別することができる画像入力システムを提供する。 - 特許庁 - The aligner 17 is arranged while being adjacent to the interface block 16 in the substrate treating device 500.
基板処理装置５００のインターフェースブロック１６に隣接するように露光装置１７が配置される。 - 特許庁 - To convert the interface of an LSI without having to newly add conversion logic on a substrate.
基板上に変換ロジックを新たに追加せず、ＬＳＩのインターフェースを変換することを目的とする。 - 特許庁 - To provide a secondary ion mass spectrometry capable of specifying the position of a compound film/substrate interface by measuring the concentration and the distribution of a trace element highly sensitively and highly quantitatively, and specifying the position of a compound film/substrate interface, concerning material having information of an elemental composition of the polar surface of a sample and an interface such as the compound film/substrate or the like.
本発明は、試料の極表面の元素組成の情報や化合物膜／基板のような界面を有する材料において、微量元素の濃度および分布を高感度でかつ高定量的に測定し、化合物膜／基板界面の位置を特定することが可能である二次イオン質量分析(SIMS)法を提供する。 - 特許庁 - The exposing device 17 is arranged adjacent to the interface block 16 in the substrate-treating device 500.
基板処理装置５００のインターフェースブロック１６に隣接するように露光装置１７が配置される。 - 特許庁 - The interface board 24 is composed of a main substrate 30, and first and second auxiliary substrates 32A, 32B.
インターフェースボード２４は、主基板３０、第１および第２補助基板３２Ａ、３２Ｂから構成される。 - 特許庁 - An exposure apparatus 17 is arranged so as to be adjacent to the interface block 16 of the substrate processing apparatus 500.
基板処理装置５００のインターフェースブロック１６に隣接するように露光装置１７が配置される。 - 特許庁 - To provide a fine particle containing body, having a uniform fine-particle density near the interface with a substrate.
基板との界面近傍に均一な微粒子密度を有する微粒子含有体を提供すること。 - 特許庁 - Consequently, the interfacial level density in the interface between the insulating film 4 and semiconductor substrate 1 falls.
これにより、ゲート絶縁膜４と半導体基板１との界面での界面準位密度が低下する。 - 特許庁 - An exposure system 17 is disposed to be adjacent to the interface block 16 of the substrate processing apparatus 500.
基板処理装置５００のインターフェースブロック１６に隣接するように露光装置１７が配置される。 - 特許庁 - A reaction between the TiN film and the interface of the silicon substrate 100 occurs, resulting in the reduction of the natural oxide film.
ＴｉＮ膜と半導体基板１００界面との反応を起こさせて自然酸化膜を還元する。 - 特許庁 - MANUFACTURE OF SEMICONDUCTOR SUBSTRATE HAVING CRYSTALLINE ALKALINE EARTH METALLIC OXIDE INTERFACE HAVING SILICON
シリコンを有する結晶性アルカリ土類金属酸化物インターフェースを有する半導体基板の製造方法 - 特許庁 - A substrate supports a master integrated circuit (IC) card having a second integrated circuit (IC) and a contact interface.
基板は第２集積回路（ＩＣ）と接点インターフェースを含むマスター集積回路（ＩＣ）カードを支えている。 - 特許庁 - SiO_2 or a metal may be also deposited on the interface between the sapphire substrate 10 and the GaN layer 14.
サファイア基板１０とＧａＮ層１４との界面にＳｉＯ_２あるいは金属を蒸着してもよい。 - 特許庁 - To achieve a semiconductor device which reduces contact resistance of the interface between an electrode and a semiconductor substrate.
電極と半導体基板との界面のコンタクト抵抗を低減した半導体装置を実現する。 - 特許庁 - To obtain an electronic device in which warp of a substrate is suppressed when a chip is mounted by reducing a stress on the interface between an electronic device chip and a thin mounting substrate.
電子デバイスに関し、電子デバイスチップと薄型実装基板との界面の応力を低減し、チップ実装時の基板反りを抑制する。 - 特許庁 - As compared with a case that memory interface circuits are collectively arranged on one side of the semiconductor substrate, the semiconductor substrate is hardly restricted by size reduction.
半導体基板の一辺にメモリインタフェース回路を集中させる場合に比べて半導体基板はサイズ縮小の制約を受け難い。 - 特許庁 - To provide a semiconductor substrate wherein a level of an interface between a semiconductor and an insulating material is reduced, a method for manufacturing the semiconductor substrate, and a semiconductor device.
半導体−絶縁体界面の界面準位が低減した半導体基板とその製造方法および半導体装置を提供する。 - 特許庁
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