「substrate interface」を含む例文一覧(1149)
＜前へ 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 .... 22 23 次へ＞- The planarity between the surface of a testing system (20) such as a bottom face of a chuck (16) (or substrate 17) and an interface (28) or an inspection head (22) is checked before testing a substrate.
チャック（１６）（または基板（１７））と、インターフェース（２８）または検査ヘッド（２２）の底面のような、試験システム（２０）の表面との間の平面性をチェックした後、基板を試験する。 - 特許庁 - The group III nitride light emitting device is grown on a textured substrate to reduce the amount of total internal reflection at the interface between the substrate and a group III nitride layer.
ＩＩＩ族窒化物発光素子はテクスチャ形成された基板上で成長し、基板とＩＩＩ族窒化物層との間の境界面における内部全反射量を低減するようにする。 - 特許庁 - To remove an etching product adsorbed onto a semiconductor substrate substantially thoroughly in an interface cleaning process for removing an oxide film on the semiconductor substrate by dry etching.
ドライエッチング処理により半導体基板上の酸化膜を除去する界面清浄化処理において、半導体基板上に吸着させたエッチング生成物をほぼ確実に除去可能にする。 - 特許庁 - To provide an optical interface socket for improving a yield of an optical substrate so as to reduce the member cost in a photo-electric hybrid circuit, and also to provide an optical substrate mounted with the same.
光電気混成回路において、光基板の歩留まりを改善し部材費を軽減することができる光インタフェースソケット、及び光インタフェースソケットを実装した光基板を提供する。 - 特許庁 - An intermediate material layer 28 generating a bonding strength is formed at an interface 27 between a first substrate 11 and a second substrate 12, and a plurality of metal elements are included in this intermediate material layer.
第１基板１１と第２基板１２との界面２７には、接合強度を生起する中間材層２８が形成され、この中間材層に複数の金属元素が内在している。 - 特許庁 - To provide an interface substrate, an inspection system, and an inspecting method, for making it possible to inspect a nonstandard memory element mounted on a standard substrate for inspection in an actual operating environment.
標準検査基板に非標準メモリ素子を装着して実際の動作環境で実装検査できるようにするインタフェース基板、検査システム及び検査方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing an SOI substrate, which effectively and efficiently makes an interface of an ion-implanted layer brittle without bringing about exfoliation of surfaces bonded to each other and breakage of the substrate.
貼り合わせ面の剥離や、基板の破損を生じることなく、イオン注入界面を効果的かつ効率的に脆化することができるＳＯＩ基板の製造方法を提供する。 - 特許庁 - The diffusion of Ga in the active layer 15 is suppressed in the ZnO substrate to obtain a steep interface between the ZnO substrate and active layer, thus enabling the system to get excellent crystal in the active layer composed of InGaN.
ZnO基板中に活性層１５のGaが拡散するのが抑制され、ZnO基板と活性層の間の急峻な界面が得られ、InGaNからなる活性層の良好な結晶が得られる。 - 特許庁 - By the method, a gallium nitride single crystal comprising only a hexagonal crystal can be grown on the substrate 13, in which tetragonal gallium nitride is not mixed on the interface between the crystal and the substrate 13.
これにより、基板１３との界面において正方晶の窒化ガリウムが混在されていない、六方晶のみの窒化ガリウム単結晶を基板１３上において生成することができる。 - 特許庁 - An interface print wiring board 20 is disposed under the Y-print wiring board 19 to the position under the projected part of the matrix array substrate 14, which is partly projecting from the counter substrate 15.
Ｙ−プリント配線基板19の下側にインターフェイスプリント配線基板20が一部がマトリクスアレイ基板14の対向基板15より突出している部分の下部にまで位置して配設する。 - 特許庁 - To provide means for forming a gate oxide film consisting of a thermal oxide film on a silicon carbide substrate, while ensuring the planarity of an interface of the gate oxide film and the silicon carbide substrate.
ゲート酸化膜と炭化珪素基板との界面の平坦性を確保しながら、炭化珪素基板上に熱酸化膜からなるゲート酸化膜を形成する手段を提供する。 - 特許庁 - This cell is provided with the first substrate 101, the second substrate 102, and a cavity 103 provided between the first substrate 101 and the second substrate 102, and capable of injecting the liquid sample, and the first substrate 101 forms a photo-waveguide of total-reflecting light on an interface with respect to the liquid sample in the cavity 103.
第１の基板１０１と、第２の基板１０２と、第１の基板１０１と第２の基板１０２の間に設けられた、液体試料を注入可能な空隙１０３を備え、第１の基板１０１は、空隙１０３内の液体試料との界面で光を全反射する光導波路を形成する。 - 特許庁 - In the decorative material 100, a fine uneven part 40 is formed in the interface of a transparent substrate 10 and a colored transparent layer 20.
加飾材１００においては、透明基材１０と着色透明層２０との界面に微細凹凸部４０が形成されている。 - 特許庁 - The micro- processed silicon substrate is used for a contact sealing member to uniformize the size of the gap in a contact interface.
この微細加工されたシリコン基板を接触シール部材にもちいることにより、接触界面の隙間の大きさが均一化される。 - 特許庁 - Thus, the base film of good quality for improving a property of the insulating film is obtained in the interface between the insulating film and the substrate for the electronic device.
絶縁膜と、電子デバイス用基材との間の界面に、該絶縁膜の特性を向上させるべき良質な下地膜が得られる。 - 特許庁 - To provide a method of measuring the mobility of inverted charge carrier at the interface between a dielectric layer and a substrate rapidly, at low cost.
誘電体層と基板との界面に位置する反転電荷キャリアの移動度を、迅速で安価に測定する方法を提供する。 - 特許庁 - A substrate processing apparatus 100 includes: an indexer block 11; a first processing block 12; a second processing block 13; and an interface block 14.
基板処理装置１００は、インデクサブロック１１、第１の処理ブロック１２、第２の処理ブロック１３およびインターフェイスブロック１４を備える。 - 特許庁 - To provide a method of creating a thin layer, comprising a step in which an interface is created between a layer used to create the thin layer and a substrate.
薄層の形成に使用される層と基板との間の界面を形成する工程を含む薄層形成方法を提供する。 - 特許庁 - In a gap 12 between the substrate 4 and cap 5, an interface airtight member 9 is disposed which is composed of a Ag nanoparticle paste becoming a bulk after curing.
基板４とキャップ５との隙間１２に硬化後バルクとなるＡｇナノ粒子ペーストから成る界面気密部材９が配置される。 - 特許庁 - Thereby, formation of a high resistance layer is prevented in the interface between the epitaxial layer 22 and the group III nitride semiconductor substrate 10.
これにより、エピタキシャル層２２とＩＩＩ族窒化物半導体基板１０との界面における高抵抗層の形成が抑制される。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing a laminated silicon substrate by suppressing the occurrence of a void in a wafer laminating interface due to etching.
エッチングを原因としたウェーハ張り合わせ界面でのボイドの発生が抑えられる張り合わせシリコン基板の製造方法を提供する。 - 特許庁 - The printed wiring board 1 is processed to permit a current to flow to an interface between the metal substrate 2 and the conductive paste 7.
そして、プリント配線板１において、金属基板２と導電性ペースト７との界面に対して、電流を流す処理がなされている。 - 特許庁 - To provide an organic electric field luminous element which can prevent generation of peel-off and cracks at an interface between a substrate and a functional part.
基板と機能部との界面における剥離やクラックの発生を防止することができる有機電界発光素子を提供する。 - 特許庁 - A reinforcing insulating part 39 of the same material as that of the insulating film 30c is thickly deposited in an interface surface between the substrate 32 and the diaphragm 2.
基板３２とダイヤフラム２の境界面において絶縁膜３０ｃと同じ材質の補強絶縁部３９が厚く堆積している。 - 特許庁 - This substrate processing apparatus comprises an incoming/ departure unit ID, a removing unit 5, an interface IF, and a drying unit 9 which are arranged adjacent to each other in one line.
搬入搬出部ＩＤ、除去処理部５、インターフェイスＩＦ、乾燥処理部９が一列に相互に隣接して並べられている。 - 特許庁 - To decrease concentration of nitrogen in an interface between a silicon substrate and a silicon oxidizing and nitriding film and increase concentration of nitrogen in the surface of the silicon oxidizing and nitriding film.
シリコン基板とシリコン酸窒化膜との界面の窒素濃度を低くし、かつ、シリコン酸窒化膜表面の窒素濃度を高くする。 - 特許庁 - The MOS transistor includes a gate oxide layer that forms a planar and stress free interface with a substrate.
本発明のＭＯＳトランジスタはゲート酸化物層を含み、この層は基板との間で平面状でかつストレスのないインタフェースを形成する。 - 特許庁 - Accordingly, outflow of the connecting electrode 10 from the interface separated between the sealing resin 11 and the substrate 8 can be suppressed.
この為、接続電極１０が封止樹脂１１と基板８の界面を剥離させて流出することを抑制することができる。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing a semiconductor device which prevents an interface from developing dry areas when oxidizing a silicon substrate having an off angle.
オフ角を有するシリコン基板を酸化する際に界面荒れを抑制することができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁 - The film-forming process makes the semiconductor film 4 grow while spaces 24 scatter on the interface between a substrate 20 and the semiconductor film 4.
成膜工程では、基板２０と半導体膜４の界面に空間２４が散在している状態で半導体膜４を成長させる。 - 特許庁 - To form a gate insulating film of high permittivity which is high in an average nitrogen concentration and low in the nitrogen concentration near the interface of a silicon substrate.
平均窒素濃度が高くかつシリコン基板界面近傍の窒素濃度が低い高誘電率のゲート絶縁膜を形成する。 - 特許庁 - A liquid crystal drive controller (10) has a host interface circuit (20), a driving circuit (21), and an output port (22) on one semiconductor substrate.
液晶駆動制御装置（１０）は、ホストインタフェース回路（２０）、駆動回路（２１）及び出力ポート（２２）を１個半導体基板に有する。 - 特許庁 - To provide a manufacturing method of a semiconductor device capable of reducing nitrogen concentration on the interface between a semiconductor substrate and a gate insulation film.
半導体基板とゲート絶縁膜との界面の窒素濃度の低減が可能な半導体装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing a nitride semiconductor which is capable of effectively reducing the state density of the interface between a sapphire substrate and a nitride semiconductor.
サファイアと窒化物半導体の間の界面準位を有効に低減させる窒化物半導体の製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a semiconductor device having a low resistance silicide layer deposited on a substrate while having a planar interface on atomic level.
原子レベルで平坦な界面をもって基板上に堆積され、しかも低抵抗のシリサイド層を有する半導体装置を提供する。 - 特許庁 - The connector of the interface substrate 200 for connection with the HDD caddy 100 is arranged in the side of the front side of the casing 810.
また、ＨＤＤキャディ１００と接続するインタフェース基板２００のコネクタは、筐体８１０のフロント側の側面に配置されている。 - 特許庁 - To provide an interface device using a dielectrically isolated substrate that sufficiently suppresses malfunction and characteristic degradation due to noise.
ノイズによる誤動作と特性の劣化が充分に抑えられるようにした誘電体分離基板によるインターフェース装置を提供すること。 - 特許庁 - The microchannel 24 and the microchannel 25 are formed so as to be symmetrical with respect to the interface between both faces of the substrate 22.
基板２２の両面の間の中間面に関し、マイクロ流路２４とマイクロ流路２５が互いに面対称に形成されている。 - 特許庁 - To provide an organic electroluminescent device in which guided mode loss at the interface of a support substrate and an interlayer insulating film is reduced.
支持基板と層間絶縁膜との界面における導波モード損失を低減する有機エレクトロルミネセンスデバイスを提供すること。 - 特許庁 - To provide means for removing a stain due to n-type impurities such as Si and S, which form in an interface between a substrate and a buffer layer.
基板とバッファ層の界面に発生するＳｉやＳなどのｎ型不純物による汚染を除去する手段を提供すること。 - 特許庁 - A display mode selection terminal FCK is provided on a timing converter TCON that is to be mounted onto an interface substrate of the liquid crystal display device.
液晶表示装置のインターフェース基板に搭載されるタイミングコンバータＴＣＯＮに表示モード選択端子ＦＣＫを設けた。 - 特許庁 - To provide a polyamideimide resin composition with heat resistance provided with the excellent adhesion with a substrate capable of restraining interface exfoliation from the substrate at the time of deformation of the substrate, a cured product using the same, a paint for protection coating, and a sliding part.
基材が変形した際に基材から界面剥離を抑制できる基材との密着性に優れ、耐熱性を有するポリアミドイミド樹脂組成物と、それを用いた硬化物、保護コート用塗料、摺動用部品を提供する。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing a photovoltaic device capable of effectively repairing a defect inside a crystalline silicon substrate and at an interface between the crystalline silicon substrate and a silicon semiconductor layer, with no damage on the crystalline silicon substrate.
結晶シリコン基板内部および結晶シリコン基板とシリコン半導体層との界面における欠陥を、結晶シリコン基板にダメージを与えることなく、有効に修復することができる光起電力装置の製造方法を得ること。 - 特許庁 - To provide a wallpaper having a surface layer peelable from the wallpaper substrate such as a backing paper at the interface without causing the delamination of the substrate in contrast with conventional wallpaper and enabling the application of a new wallpaper (secondary wallpaper) without applying a treatment on the substrate.
従来の壁紙のように裏打紙のような壁紙基材が層間剥離せず、表面層が、基材との界面から剥離でき、下地処理することなく、新しい壁紙（２次壁紙）を貼ることができる壁紙を提供する。 - 特許庁 - To minimize lowering of the conversion efficiency of a solar cell due to reflection of the incident light to a transparent substrate on the interface of the transparent substrate and a transparent electrode film, in a solar cell where sunlight enters from the transparent substrate side.
透明基板側から太陽光が入射する太陽電池において、透明基板に入射した光が、透明基板と透明電極膜の界面で反射することによる太陽電池の変換効率の低下を抑制する。 - 特許庁 - Hydrogen or halogen is contained on an interface between the Ge substrate 10 and the protection film 30, alternatively a semiconductor layer which is higher in the impurity concentration than the Ge substrate 10 is provided between the Ge substrate 10 and the protection film 30.
そして、Ｇｅ基板１０と保護膜３０との界面に水素又はハロゲンが含有され、または、Ｇｅ基板１０と保護膜３０との間にＧｅ基板１０よりも不純物濃度が高い半導体層が設けられる。 - 特許庁 - To provide a substrate which simultaneously satisfies the formation of a seed crystal for crystal growth and the formation of random recesses in the interface of a substrate and a crystal layer, when a crystal for an LED (Light Emitting Diode) is grown on the substrate by CVD (Chemical Vapor Deposition).
基板の上にＣＶＤでＬＥＤのための結晶成長させるとき、結晶成長の種結晶を形成することと、基板と結晶層の界面にランダムな凹みを設けることを同時に満たす基板を提供する。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing a silicon LSI device having an insulating film which is at most 15 Å in terms of SiO2 by a method wherein physical film thickness of an interface buffer layer which is used for holding excellent interface characteristic with a silicon substrate is reduced with superior controllability while practical existence of the interface buffer layer is maintained.
シリコン基板との界面特性を良好に保つための界面バッファ層の実質的な存在を維持しつつ、その物理膜厚を制御性良く低減させ、ＳｉＯ_2換算１５オングストローム以下の絶縁膜を有するシリコンＬＳＩデバイスの製造方法を提供することにある。 - 特許庁 - The optical information recording medium which has a substrate, a recording layer, a protective layer containing sulfur, an interface layer adjacent to the protective layer, and a reflection layer adjacent to the interface layer and consisting essentially of Ag, and which is characterized in that the interface layer consists essentially of Nb and/or Mo, is used.
基板、記録層、硫黄を含有する保護層、前記保護層に接する界面層、及び前記界面層に接するＡｇを主成分とする反射層を有し、前記界面層がＮｂ及び／又はＭｏを主成分とすることを特徴とする光学的情報記録媒体を用いる。 - 特許庁 - In communication equipment 1 having the back wired board on the back face of a shelf 2, INF units (interface substrate) INF1 to INF16 are arranged on both sides of ADM units (add/drop substrate) ADM1 to ADM8 such that substrate surfaces of the INF units become perpendicular to substrate surfaces of the ADM units, being mounted on the back wired board.
シェルフ２の背面にバックワイヤードボードを有する通信装置１において、ＩＮＦユニット（インターフェース基板）ＩＮＦ１〜ＩＮＦ１６を、ＡＤＭユニット（アッドドロップ基板）ＡＤＭ１〜ＡＤＭ８の両側に、互いの基板面が垂直となるように配置してバックワイヤードボードに実装する。 - 特許庁
- 特許庁
- Copyright © Japan Patent office. All Rights Reserved.
