「substrate interface」を含む例文一覧(1149)
＜前へ 1 2 .... 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23- A nucleation acceleration layer, such as a monomolecular layer or a quasi-monomolecular layer, that contains metal, metal silicide, or metal silicate has a thickness of ≤10Å, and increases density of a nucleation section on the substrate or intentional interface layer to accelerate uniform chemical vapor phase growth of a high dielectric constant dielectric material.
金属、金属ケイ化物、又は金属ケイ酸塩を含む、単分子層又は準単分子層などの核形成促進層は、１０Å以下の厚さを有し、基板上又は意図的な界面層上の核形成部位の密度を増加させることによって、高誘電率誘電体材料の均一な化学気相成長が促進される。 - 特許庁 - The method for manufacturing the semiconductor device comprises the steps of forming the gate insulating film 101 on the semiconductor substrate 100, forming a thin silicon layer 102 on the gate insulating film, and forming the metal film 103, having the value of the work function at an interface of the gate insulating film that becomes within a predetermined range on the thin silicon layer.
半導体装置の製造方法は、半導体基板１００上にゲート絶縁膜１０１を形成する工程と、ゲート絶縁膜上に薄いシリコン層１０２を形成する工程と、この薄いシリコン層上にゲート絶縁膜界面での仕事関数が所定範囲内の値となる金属膜１０３を形成する工程と、を備えたものである。 - 特許庁 - The distribution of nitrogen concentration possessed by the side wall 9 in a cross section perpendicular to the one main surface of the semiconductor substrate 1 has a peak at an interface between a polysilicon 9b and an oxide film 9a, and nitrogen is more introduced so as to enable another concentration peak to be located above the above peak and close to the surface of the polysilicon 9b.
そのサイドウォール９において、半導体基板１の一主面に垂直な方向の断面における濃度分布がポリシリコン９ｂと酸化膜９ａとの界面にピークを有するとともに、このピークの位置より上の位置でポリシリコン９ｂの表面に近傍にさらに濃度のピークを有するように窒素が導入されている。 - 特許庁 - This thin film silicon solar battery where at least a transparent electrode film, p-type, i-type, and n-type microcrystal silicon layers, and a back electrode film are laminated on a transparent insulating substrate is provided with a silicon layer containing carbon on a p/i interface between the p-type microcrystal silicon layer and the i-type microcrystal silicon layer and the neighborhood site.
透明な絶縁性基板上に、少なくとも透明電極膜、ｐ型、ｉ型、ｎ型の微結晶シリコン層および裏面電極膜が積層形成された薄膜シリコン太陽電池において、ｐ型微結晶シリコン層とｉ型微結晶シリコン層との間のｐ／ｉ界面およびその近傍部位に炭素を含有するシリコン層を有する。 - 特許庁 - The phase shift mask blank has, at least on a substrate, one or more layers of a phase shift film essentially comprising a metal silicide compound and one or more layers of a metal-containing film, and further has a buffer layer having a continuously varied composition of the film on the interface between the phase shift film and the metal-containing film.
位相シフトマスクブランクであって、少なくとも、基板上に、金属シリサイド化合物を主成分とする１層以上の位相シフト膜と、１層以上のメタル含有膜を具備し、前記位相シフト膜と前記メタル含有膜との界面に、膜の組成が連続的に変化したバッファ層を有するものであることを特徴とする位相シフトマスクブランク。 - 特許庁 - To provide a printer control apparatus capable of automatically recognizing a connected printer without changing the specifications of inter-printer interface in printers of which the control methods and printing page data transfer methods are respectively different, capable of sending printing page data to the printer and inputting/outputting control signals on the basis of the automatically recognized result and capable of using a common control substrate.
制御方法及び印刷ページデータの転送方法が異なるプリンタに対し、プリンタ間インターフェースの仕様を変更せず、接続されているプリンタを自動認識し、自動認識した結果を元にプリンタに印刷ページデータの送出及び制御信号の入出力を可能にし、共通の制御基板を使用できるようにする。 - 特許庁 - To provide a nitride semiconductor element having a nitride semiconductor formed on a hexagonal system SiC substrate, in which nitride semiconductor carrier depletion caused by spontaneous polarization and piezopolarization occurring on the interface between semiconductor layers is reduced to stabilize a drive voltage, and to allow a flat nitride semiconductor layer to grow.
六方晶系のＳｉＣ基板上に形成された窒化物半導体において、半導体層間の界面に発生する自発分極やピエゾ分極によるキャリア空乏化を低減させて、駆動電圧を安定させることができるとともに、平坦な窒化物半導体層を成長させることができる窒化物半導体素子を提供する。 - 特許庁 - A device comprises the capacity element 18 composed of the capacitive insulating film 16 which is formed on a semiconductor substrate 10 made of silicon and composed of a bottom electrode 15 and top electrode 17 made of platinum and the insulating metal oxide sandwiched between them, and a barrier layer 21B which is made of titanium oxide having an interface with the top electrode 17.
シリコンからなる半導体基板１０の上に形成され、白金からなる下部電極１５及び上部電極１７並びにそれらの間に挟まれた絶縁性の金属酸化物からなる容量絶縁膜１６により構成された容量素子１８と、上部電極１７と界面を持つ窒化チタンからなるバリア層２１Ｂとを備えている。 - 特許庁 - Since the crystal thin film 16 has a degree of freedom of deformation due to an oblong three-dimensional structure, even when stress takes place on an interface 16B between the substrate 10 and the crystal thin film 16 due to a lattice mismatch or a difference from coefficients of thermal expansion or the like, almost no residual stress exists on an upper face 16A.
該結晶薄膜１６は、縦長の３次元構造による変形の自由度を有するため、格子不整合や熱膨張係数差などに起因して基板１０と結晶薄膜１６との界面１６Ｂに応力が発生する場合であっても、上面１６Ａ側においては残留応力がほぼ存在しない状態となる。 - 特許庁 - To provide a polishing liquid capable of reducing the polishing speed for conductive metal wirings (particularly copper oxide formed in an interface) represented by copper wirings on a substrate consisting of a barrier layer containing manganese and manganese alloy on its surface, and an insulating layer, and reducing a step between conductive metal wirings and the insulating layer, and to provide a polishing method using the same.
表面にマンガン及びマンガン合金を含むバリア層と絶縁層から成る基板上の銅配線に代表される導電性金属配線（特に界面に生成する酸化銅）に対する研磨速度を低下させ、導電性金属配線と絶縁層との間の段差が小さい研磨液、及び、これを用いた研磨方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a method of obtaining nitride semiconductor chips having excellent light emitting characteristics without deterioration of crystallinity while preventing occurrence of cracking or chipping in a cut surface or an interface when a nitride semiconductor wafer including a nitride semiconductor as a substrate and a light emitting active layer is cut into chips, the cut chips having a predetermined shape and size with good yield.
窒化物半導体を基板とする光を発する活性層を含む窒化物半導体ウエハーをチップ状に分割する際に、切断面、界面のクラック、チッピングの発生を防止し、結晶性を損なうことなく優れた発光性能を有する窒化物半導体チップを得ると共に、歩留良く所望の形とサイズに切断する方法を提供する。 - 特許庁 - To provide an ink for forming an adhesive-receiving layer capable of readily forming the adhesive-receiving layer having excellent printing ink suitability without problems in peeling in an adhesive interface during use of a product because excellent adhesion of the adhesive-receiving layer formed on a substrate to the adhesive and high adhesive strength are obtained and an adhesive sheet using the same.
基材に形成した接着剤受容層と接着剤との接着性に優れ、高い接着力が得られるので、製品の使用中に接着界面で剥離する問題がなく、印刷インク適性に優れる容易に接着剤受容層を形成できる接着剤受容層形成用インクおよびそれを用いた接着シートの提供。 - 特許庁 - To provide an ink for forming an adhesive-receiving layer which is excellent in adhesive properties between the adhesive-receiving layer formed on a substrate and an adhesive to exhibit high adhesivity thereby causing no troubles of peeling at the adhesion interface while a product is under services and possesses an excellent aptitude for a printing ink to readily form an adhesive-receiving layer, and an adhesive sheet obtained using the same.
基材に形成した接着剤受容層と接着剤との接着性に優れ、高い接着力が得られるので、製品の使用中に接着界面で剥離する問題がなく、印刷インク適性に優れる容易に接着剤受容層を形成できる接着剤受容層形成用インクおよびそれを用いた接着シートの提供。 - 特許庁 - The method of manufacturing the emitter includes a containing step of containing a metal substance in a carbon nanotube, and a cutting step of baking the carbon nanotube coated on a substrate in either of an air atmosphere, nitride atmosphere, and carbon monoxide atmosphere, and cutting the carbon nanotube by oxidation reaction of an interface between the carbon nanotube and the metal substance contained in the carbon nanotube.
本発明のエミッタ製造方法は、金属物質をカーボンナノチューブに内包させる内包ステップと、基板に塗布されたカーボンナノチューブを大気雰囲気、窒素雰囲気及び一酸化炭素雰囲気の何れかで焼成し、カーボンナノチューブとカーボンナノチューブに内包される金属物質との接面を酸化反応させ、カーボンナノチューブを切断する切断ステップと、を有している。 - 特許庁 - To obtain a black matrix forming material which allows curing reaction to proceed sufficiently up to the interface between the material and a substrate and has a wide development latitude even if the concn. of a black pigment is high by incorporating an alkali-soluble resin, an acid crosslinkable methylolated melamine compd., a photo-acid generating agent, a specified dispersant and the black pigment.
黒色顔料が高濃度であっても、基板界面まで充分硬化反応が進行し、現像の許容度が広く、成分の混合、塗布、乾燥工程だけでは硬化反応は進まず、露光部と未露光部の現像液に対する溶解性のコントラストが充分大きいカラー液晶表示装置用ブラックマトリックス形成材料を提供すること。 - 特許庁 - Since the transmitting/receiving circuit module is constituted of a combination of a main substrate and a plurality of smaller substrates 17 (17a to 17f), adaptation to all standards and all interface circuits can be realized by previously preparing small substrates 17 suited to various standards and individually exchanging these small substrates 17.
本発明に係る送受信回路モジュールは、メイン基板１６と小基板１７ａ〜１７ｆ（以下、小基板１７と記述する。）との組み合わせで構成しているので、様々な規格に適合した小基板１７をあらかじめ何種類も用意しておけば、あらゆる規格、あらゆるインターフェース回路との適合が、小基板１７を個別に交換するだけで実現できる。 - 特許庁 - To provide a light emitting element which is sufficiently reducible in element series resistance on a sticking interface and can improve its switching response even when a sticking surface side of a light emission layer part and a transparent conductive semiconductor substrate become (n) types and an InGaP intermediate layer formed on the sticking surface side is made into an (n) type through Si doping.
発光層部と透明導電性半導体基板との貼り合せ面側がｎ型となり、貼り合せ面側に形成するＩｎＧａＰ中間層がＳｉドーピングによりｎ型とされる場合においても、貼り合せ界面における素子直列抵抗を十分に低減でき、またそのスイッチング応答性も図ることができる発光素子を提供する。 - 特許庁 - Since the flow is efficiently convected in straightening like this, after nitrogen is dissolved in the melt liquid near the gas/liquid interface, the melt liquid can be rapidly supplied in the whole growing vessel, and a step-flow growth occurs on the growing surface of the seed crystal substrate and a flat and smooth nitride single crystal of good quality is formed.
このように、整流でかつ効率よく対流させることができるため、気液界面付近で窒素を融液に溶解させた後に、その融液を育成容器の全体にすみやかに供給することができ、種結晶基板の育成面にステップフロー成長がおこり、品質の良い平滑な窒化物単結晶が形成される。 - 特許庁 - A two-dimensional refractive grating formed by cyclically arranging at least two substances having different refractive indexes is formed in a joint interface region to the sticking layer 15, of at least either the main surface of the semiconductor layer 2 facing the sticking layer 15 or the main surface of the support substrate 11 facing the sticking layer 15.
半導体層２の貼付け層１５と対向する主表面または支持基板１１の貼付け層１５と対向する主表面の少なくともいずれか一方の、貼付け層１５との接合界面領域に、屈折率の異なる少なくとも２種類の物質が周期的に配置されることによる２次元回折格子が形成されている。 - 特許庁 - To provide a polymerizable liquid crystal composition which has an effect of decreasing a tilt angle on an air interface when coated on a substrate and which does not degrade a voltage holding ratio of a liquid crystal display when an optically anisotropic body of a cured product from the polymerizable liquid crystal composition is incorporated in a liquid crystal cell.
重合性液晶組成物を基板に塗布した場合、空気界面におけるチルト角を減じる効果を有し、かつ、重合性液晶組成物の硬化物である光学異方体が液晶セル内に組み込まれた場合において液晶ディスプレイの電圧保持率を悪化させることが無い重合性液晶組成物を提供する。 - 特許庁 - To provide a laminate suitable for a printed circuit board, which is excellent in adhesiveness to an insulating film and is easily capable of forming a conductive layer in an arbitrary solid surface with small irregularity in the interface with the insulating film, and to provide a printed circuit board on a substrate formed thereby, which has fine interconnections with excellent adhesiveness to the insulating film.
絶縁膜との密着性に優れ、絶縁膜との界面における凹凸が小さい導電性層を任意の固体表面に容易に形成しうるプリント配線板用として好適な積層体、及び、それを用いて形成した基板上に、絶縁膜との密着性に優れた高精細の配線を有するプリント配線板を提供する。 - 特許庁 - To compensate an oxygen defect in a Ta2O5 film and to minimize the formation of an oxide film at the interface between the Ta2O5 film and an Si substrate during a heat treatment process for crystallizing the Ta2O5 film, and to minimize the diffusion of impurity elements in a channel doped region in a semiconductor device having the Ta2O5 film as a gate insulating film.
Ｔａ_2 Ｏ_5 膜をゲート絶縁膜として有する半導体装置において、前記Ｔａ_2 Ｏ_5 膜中の酸素欠損を補償し、またこれを結晶化させる熱処理工程の際に前記Ｔａ_2 Ｏ_5 膜とＳｉ基板との界面において生じる酸化膜の形成を最小化し、またチャネルドープ領域中の不純物元素の拡散を最小化する。 - 特許庁 - Within a through-hole 31a not in contact with the insulative bodies 20A and 20B, trivalent iron ions merely diffuse into the plating interface and not forcibly fed there, the reduction reaction of trivalent iron ions is slow, and the electroplating film 36 grows to fill a through-hole conductor 42 and to form a thin electroplating film 36 on the surface of a core substrate.
絶縁体２０Ａ、２０Ｂが接触しない貫通孔３１ａ内では、めっき界面に３価の鉄イオンが濃度勾配により拡散するのみで強制的には供給されず、３価の鉄イオンの還元反応が低く、電解めっき膜３６が成長し、スルーホール導体４２を充填しながら、コア基板表面の電解めっき膜３６を薄く形成することができる。 - 特許庁 - The system includes a topography device for mapping in detail the irregularities and surface deviations of a cornea, and an interface system for receiving and manipulating topographical data and for providing directions to a laser system or the like to carry out a predetermined ablation profile on a substrate such as a corneal stroma and for providing a variety of actual and simulated pre and post operative visual depictions.
本発明の好適な実施例は、角膜の不整形と表面凹凸を詳細にマップするトポグラフィ装置と、トポグラフデータを受けて取扱い、角膜間質などの基体上の所定の除去プロフィ−ルを実行させる指示をレーザ装置等に与え、かつ処置前と処置後の実際のものと、シミュレートしたものとの、種々の視覚的表示を行うインタフェース装置とを含む。 - 特許庁 - An analog signal AO output by a CIS 231 of a second reading device 230 (second image reading part) is converted into a digital value by a sample/hold circuit 234 and an A/D conversion circuit 235, converted into a digital signal DO of a differential transmission system by an LVDS interface 238 and subsequently transmitted to the control substrate 450 via a connector 232 and a second harness 430.
第２読取デバイス２３０（第２画像読取部）のＣＩＳ２３１が出力するアナログ信号ＡＯは、サンプルホールド回路２３４，Ａ／Ｄ変換回路２３５によってデジタル値に変換され、ＬＶＤＳインタフェース２３８にて差動伝送方式のデジタル信号ＤＯに変換された上で、コネクタ２３２，第２ハーネス４３０を経由して制御基板４５０に伝達される。 - 特許庁 - A first insulating film 2 is formed on a semiconductor substrate 1, a wiring groove 3 is formed in the first insulating film 2, a first wiring 6 is formed by burying a metal film 5 in the wiring groove 3, a protection film 7 is formed on the first insulating film 2 and the first wiring 6, and a reaction layer 8 is formed on an interface between the first wiring 6 and the protective film 7.
半導体基板１の上に第１の絶縁膜２を形成し、第１の絶縁膜２に配線溝３を形成し、配線溝３の内部に金属膜５を埋め込んで第１の配線６を形成し、第１の絶縁膜２及び第１の配線６の上に保護膜７を形成し、第１の配線６と保護膜７との界面に反応層８を形成する。 - 特許庁 - To provide a microfabricated PN junction interface with good flatness by reducing low-frequency noise by solving problems of cooling within a range of, especially, 270 to 150°C during formation of a P-type region as a base before an N-type impurity is added such as a P-type wafer substrate of a MOS integrated circuit and a base region of an NPN transistor of a bipolar integrated circuit etc.
ＭＯＳ集積回路のＰ型ウェーハ基板やバイポーラ集積回路のＮＰＮトランジスタのベース領域など、Ｎ型不純物を添加する以前の下地となるＰ型領域形成時の特に２７０〜１５０℃の範囲の冷却には問題があり、それらの問題を解決し低周波雑音を低減し、平坦性の良い微細化ＰＮ接合界面を提供する。 - 特許庁 - A titanium compound including oxygen consists of needle-like crystal grains with an aspect ratio of 8-100 viewed from a cross section parallel to a substrate surface, and a complex area of a titanium compound phase including oxygen and a non-oxide phase exists in an area near an interface between the titanium compound phase including oxygen and the non-oxide phase on the upper layer.
酸素を含むチタン化合物は、前記基体表面に平行な断面視でのアスペクト比が８〜１００の範囲にある針状の結晶粒子から構成されているとともに、前記酸素を含むチタン化合物相とその上層の非酸化物相との界面近傍領域では、該酸素を含むチタン化合物相と該非酸化物相との錯綜領域が存在させる。 - 特許庁 - The manufacturing method comprises preparing each discharge liquid for the species to form a plurality of types of the catalysts, depicting each fine domains on the substrate by discharging each discharge liquid from an inkjet nozzle and regularly arranging a multiple number of fine domains, thereby forming the interface, formed a lot in the same planar state by neighboring the different types of the fine domains.
また、その製造方法は、複数種類の触媒となる活性種についてそれぞれ吐出液を調製し、各吐出液をインクジェットノズルから吐出させて基材上にそれぞれ微細ドメインを描画し、多数個の微細ドメインを規則的に配列して、異なる種類の微細ドメインが隣接することによって形成される界面を、同一平面状に多数形成することを特徴とする。 - 特許庁 - The mobile terminal determines whether a connector cover 40 and a battery cover 50 respectively cover an external interface connector 20 and a battery mounting part 30, from whether there is continuity between port terminals 61a and 61b of an LSI 60 via a substrate wiring 10, a connector cover wiring 41 provided at the connector cover 40; and a battery cover wiring 51 provided at the battery cover 50.
基板配線１０と、コネクタカバー４０に設けられたコネクタカバー配線４１と、バッテリーカバー５０に設けられたバッテリーカバー配線５１とを介してＬＳＩ６０のポート端子６１ａ，６１ｂが互いに導通しているかどうかにより、コネクタカバー４０及びバッテリーカバー５０が外部インターフェースコネクタ２０及びバッテリー装着部３０をそれぞれ覆っているかどうかを判断する。 - 特許庁 - To solve the problem of peel off between a crystal substrate and an Ni film, formed thereon and on an interface between the Ag film and Ni film, when a pad electrode formed by sequentially depositing the Ni film, Ag film, Ni film and Ag film on the surface of a crystal resonator and an outside connection electrode formed at the inner bottom face of the package of the oscillation element are jointed via an Au bump.
水晶振動子表面にＮｉ膜、Ａｕ膜、Ｎｉ膜、Ａｇ膜の順に蒸着されて形成したパッド電極と、この振動子のパッケージ内底面に形成された外部接続電極とをＡｕバンプを介して接続すると、加熱、加圧、超音波印加によって、水晶基板とその上に蒸着されたＮｉ膜、Ａｇ膜とＮｉ膜との界面において剥離が生じる。 - 特許庁 - The semiconductor device includes an interlayer insulation film 36 formed above a semiconductor substrate 10, the conductor 50 containing Cu formed in the interlayer insulation film 36, and a barrier metal film 46 formed between the interlayer insulation film 36 and the conductor 50 and formed of a multilayer film of a Ti film 42 and a Ta film 44, and an interface layer 54 containing Ti and Si is formed on the surface of the conductor 50.
半導体基板１０の上方に形成された層間絶縁膜３６と、層間絶縁膜３６内に形成されたＣｕより成る配線５０と、層間絶縁膜３６と配線５０の間に形成され、Ｔｉ膜４２とＴａ膜４４との積層膜より成るバリアメタル膜４６とを有し、配線５０表面に、ＴｉとＳｉとを含む界面層５４が形成されている。 - 特許庁 - To provide a semiconductor device of a transistor structure having a first interlayer insulating film, a first wiring layer, a second interlayer insulating film and a second wiring layer on a semiconductor substrate, which can prevent disconnection of electrode wiring at an interface between the first and second interlayer insulating films at the time of making a contact hole in the interlayer insulating films to form the transistor structure.
半導体基板上にトランジスタ構造、第１層間絶縁膜、第１配線層、第２層間絶縁膜、第２配線層を有する半導体装置において、第１及び第２層間絶縁膜にコンタクト孔を形成し電極構造を作成する際、層間絶縁膜界面での電極断線を防ぐ半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁 - The organic resin-coated steel sheet is constituted by providing an organic resin film, which contains a heterocyclic conjugated or hetero atom-containing conjugated type π conjugated polymer and a dopant for imparting conductivity to the π conjugated polymer, on the surface of a steel substrate through an interface layer comprising a silane coupling agent having at least one kind of an organic functional group selected from a cycloalkane and an atomic group having a π bond.
シクロアルカン，π結合を有する原子団から選ばれた一種又は二種を有機官能基とするシランカップリング剤からなる界面層を介し、複素環式共役系又はヘテロ原子含有共役系のπ共役高分子及び該π共役高分子に導電性を付与するドーパントを含む有機樹脂皮膜が下地表面に設けられた有機樹脂被覆鋼板である。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing a reflective mask for EUV lithography (EUVL) using a reflective mask blank for EUVL configured by forming a reflective layer which reflects EUV light, an absorber layer which absorbs the EUV light at least in this order on a substrate, and which prevents formation of a diffusion layer on a reflective layer interface and decline of EUV light reflectivity by the formation of the diffusion layer.
基板上に、ＥＵＶ光を反射する反射層、および、ＥＵＶ光を吸収する吸収体層が少なくともこの順に形成されたＥＵＶリソグラフィ（ＥＵＶＬ）用反射型マスクブランクを用いてＥＵＶＬ用反射型マスクを製造する方法であって、反射層界面での拡散層形成、およびそれによるＥＵＶ光線反射率の低下を防止する製造方法を提供する。 - 特許庁 - In the semiconductor device 100, a surface 10a has a specific plane orientation, and a sulfide of 30×10^10 to 2,000×10^10 pcs./cm^2 in terms of S conversion and an oxide of 2 to 20 at% in terms of O conversion exist in a surface layer 12, thereby preventing C from piling up in an interface between an epitaxial layer 22 and the group III nitride semiconductor substrate 10.
半導体デバイス１００では、表面１０ａが特定の面方位を有した上で、Ｓ換算で３０×１０^１０個／ｃｍ^２〜２０００×１０^１０個／ｃｍ^２の硫化物、及び、Ｏ換算で２ａｔ％〜２０ａｔ％の酸化物が表面層１２に存在することにより、エピタキシャル層２２とＩＩＩ族窒化物半導体基板１０との界面においてＣがパイルアップすることを抑制できる。 - 特許庁 - The semiconductor substrate has an insulating layer formed on a semiconductor wafer and a semiconductor single-crystal layer for forming a device formed on the insulating layer, wherein the interface between the semiconductor single-crystal layer and the insulating layer has a level difference (step) structure consisting of flat surfaces (terraces), each of which is a plane parallel to a crystal plane of the semiconductor single-crystal layer.
半導体ウェーハ上に絶縁層が形成され、絶縁層上にデバイス形成用の半導体単結晶層が形成された半導体基板であって、半導体単結晶層と絶縁層の界面が、平坦面（テラス）が半導体単結晶層の結晶面に平行な面で構成される段差（ステップ）構造を有することを特徴とする半導体基板および半導体基板の製造方法。 - 特許庁 - The semiconductor device 100 comprises a surface-mounted diode 100d which has an n conduction type impurity diffusion region 12 and a p conduction type impurity diffusion region 13 arranged adjacently to each other in the surface layer of a semiconductor substrate 11, and which is structured by forming a pn junction S at the interface between the n conduction type impurity diffusion region 12 and p conduction type impurity diffusion region 13.
半導体基板１１の表層部において、隣接して配置されるｎ導電型不純物拡散領域１２とｐ導電型不純物拡散領域１３とを有し、ｎ導電型不純物拡散領域１２とｐ導電型不純物拡散領域１３の界面でＰＮ接合部Ｓが形成されてなる表面型ダイオード１００ｄを備える半導体装置１００とする。 - 特許庁 - To provide a case for housing an electronic circuit substrate which inhibits introduction of a decrease in waterproofing and dustproofing by preventing an adhesive from being released, by preventing air from being retained between the adhesive and a coating (case body or cover) and preventing a stress operating in an interface between the adhesive and the coating from being concentrated at the specific part when the coating is deflected.
接着剤と被着体（ケース本体あるいはカバー）との間に空気が残留するのを防止すると共に、被着体に撓みが生じた際に接着剤と被着体との界面に作用する応力が特定の部位に集中するのを防止し、よって接着剤の剥離を防いで防水性および防塵性の低下を招くことがないようにした電子回路基板の収容ケースを提供する。 - 特許庁 - Then a hot plasma nitriding processing is coupled with a heating process in the atmosphere containing nitrogen monoxide so as to form an acid silicon nitride film SOX on the surface of the silicon oxide film OX1, with nitrogen N2 segregated on the interface between the silicon oxide film OX1 and a semiconductor substrate 1S.
第１電位障壁膜ＥＶ１の主要構成要素である酸化シリコン膜ＯＸ１をプラズマ成膜法により形成した後、高温のプラズマ窒化処理と、一酸化窒素を含む雰囲気中での加熱処理とを組み合わせて実施することにより、酸化シリコン膜ＯＸ１の表面に酸窒化シリコン膜ＳＯＸを形成し、かつ、酸化シリコン膜ＯＸ１と半導体基板１Ｓの界面に窒素Ｎ２を偏析させる。 - 特許庁 - The surface emission laser element 100 has an active layer 4 and an upper DBR mirror 7 as a dielectric multilayer film mirror 7 which are laminated on a substrate 1 wherein the upper DBR mirror 7 has a surface roughness exhibiting a predetermined reflectivity for a laser beam emitted from the surface emission laser element 100 at least on one interface in a dielectric multilayer film constituting the upper DBR mirror.
面発光レーザ素子１００は、基板１上に積層された活性層４と誘電体多層膜ミラーとしての上部ＤＢＲミラー７とを備え、上部ＤＢＲミラー７は、それを構成する誘電体多層膜内の少なくとも１つの界面に、面発光レーザ素子１００が射出するレーザ光に対して上部ＤＢＲミラー７が所定反射率となる表面粗さを有する。 - 特許庁 - The plastic container has a barrier layer on the inside face of the container, and this barrier layer contains a silicon oxide and at least one kind of compound consisting of at least one element selected from carbon, hydrogen, silicon, and oxygen, and the concentration of the compound in the barrier layer is continuously changed in the depth direction from the interface of a substrate composing the container to the surface of the barrier layer.
本発明は、容器の内面にバリアー層を有し、該バリアー層は珪素酸化物と、炭素、水素、珪素及び酸素の中から少なくとも１種あるいは２種以上の元素からなる化合物を少なくとも１種類含有し、前記バリアー層中の前記化合物濃度を、前記容器を構成する基材の界面からバリアー層表面への深さ方向において、連続的に変化させてなる。 - 特許庁 - To provide an electrode substrate for a fuel cell which comprises a carbon film structure where the surface other than an open hole is smooth, with a porous structure comprising a fine communicating hole, so that the gas is widely and evenly distributed with no short path while conductivity and heat transmission characteristics are high, with low contact resistance and heat loss at the interface when a battery cell is formed.
本発明の目的は、微細な連通孔を有する多孔質構造を持ち、開放孔以外の表面が平滑な炭素膜構造体からなり、ショートパスを起こさないでガスを広く均一に配流することができ、且つ、導電性、熱伝導性が高く、特に電池セルを形成したとき界面での接触抵抗や熱損失を小さくできる燃料電池用電極基材を提供することである。 - 特許庁 - In a heterojunction bipolar transistor, in which a GaAs base layer 14 and a GaAs emitter cap layer 12 are formed on a GaAs substrate 17 via an InGaP emitter layer 13, an interface between the InGaP emitter layer 13 is doped with a prescribed amount of Se; and the GaAs emitter cap layer 12 and GaAs base layer 14, whereby recombinations near the InGaP emitter layer 13 are decreased.
ＧａＡｓ基板１７上にＩｎＧａＰエミッタ層１３を介してＧａＡｓベース層１４およびＧａＡｓエミッタキャップ層１２を形成してなるヘテロ接合バイポーラトランジスタにおいて、ＩｎＧａＰエミッタ層１３とＧａＡｓエミッタキャップ層１２およびＧａＡｓベース層１４との界面に所定の量のＳｅをドープすることにより、ＩｎＧａＰエミッタ層１３近傍における再結合が減少する。 - 特許庁 - The method of evaluating the SOI wafer having an insulating layer and an active layer in this order on a support substrate comprises forming a pattern on the insulating layer after removing part of the active layer from the insulating layer by wet or dry etching; and evaluating the bonding interface between the active layer and insulating layer by observing whether the pattern peels and/or whether a bonding defect is caused.
支持基板上に絶縁層と活性層をこの順に有するＳＯＩウェーハの評価方法であって、前記活性層の一部を前記絶縁層上からウェットまたはドライエッチングを施すことによって除去した後、前記絶縁層上にパターンを形成し、前記パターンの剥離および／または接着不良の有無を観察することにより前記活性層と前記絶縁層との貼り合わせ界面を評価する。 - 特許庁 - In the semiconductor device including a first silicon nitride film, having a thickness of 200 to 500 nm formed on a glass substrate; a second silicon nitride film formed on the first silicon nitride film; and an amorphous semiconductor film which is formed on the second silicon nitride film and includes a region which serves as a channel formation region, the configuration includes boron at the interface between the first insulating film and the second insulating film.
上記目的を解決するため、ガラス基板上に２００ｎｍ〜５００ｎｍの膜厚の第１の窒化珪素膜と、前記第１の窒化珪素膜上に第２の窒化珪素膜と、前記第２の窒化珪素膜上にチャネル形成領域となる領域を含む非晶質半導体膜と、を有する構成において、前記第１の絶縁膜と前記第２の絶縁膜との界面において、ボロンを有する。 - 特許庁 - When a metal layer 11 is provided over a substrate, an oxide layer 12 is provided to be in contact with the metal layer 11, a layer to be peeled 13 is formed, and the metal layer 11 is irradiated with a laser beam to perform oxidization to form a metal oxide layer 16, complete separation can be achieved inside the metal oxide layer 12 or at an interface between the metal oxide layer 16 and the oxide layer 12 through a physical means.
基板上に金属層１１を設け、さらに前記金属層１１に接して酸化物層１２を設け、さらに被剥離層１３を形成し、前記金属層１１をレーザー光で照射することで酸化を行い、金属酸化物層１６を形成させれば、物理的手段で金属酸化物層１２の層内または金属酸化物層１６と酸化物層１２との界面において、きれいに分離することができる。 - 特許庁 - With the impurity distribution of the channel layer of a buried channel CCD, a part where impurity concentration is maxim is located at the deepest position in a semiconductor substrate, and potential gradient at an interface part with the insulation film in a depletion state is as gentle as potential gradient in the insulation film, thus achieving the charge transfer device having both high transfer efficiency and large amount of transfer charge.
埋め込みチャンネルＣＣＤのチャンネル層の不純物分布を、不純物濃度極大部が半導体基板内部の深い位置になり、かつ、前記半導体基板の表面領域での、空乏化状態における前記絶縁膜との界面部での電位勾配が、前記絶縁膜内の電位勾配と同程度で、ゆるやかになるようにすることによって、高い転送効率と大きな転送電荷量という機能を両立した電荷転送装置が実現される。 - 特許庁 - The non-shrinkage ceramic substrate includes: a ceramic laminate formed by laminating a plurality of green sheets; an electrode part including a via electrode penetratingly formed at the ceramic laminate and an outer electrode formed on a surface of the ceramic laminate and electrically connected with the via electrode; and an interface part formed between the ceramic laminate and the electrode part to prevent an electrical connection between the electrodes from weakening.
本発明による無収縮セラミック基板は、複数のグリーンシートを積層して形成されたセラミック積層体と、上記セラミック積層体に貫通形成されるビア電極及び、上記セラミック積層体の表面に形成され上記ビア電極と電気的に連結される外部電極を含む電極部と、及び上記セラミック積層体及び上記電極部の間に形成され上記電極同士に電気的な連結が弱くなることを防ぐための界面部と、を含む。 - 特許庁
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