「substrate interface」を含む例文一覧(1149)
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誘電体基板４の一対の主面の辺に接して島状の入出力電極７、８が形成され、誘電体板４の積層界面には、結合用の開口６を有する内部アース電極５が設けられる。 - 特許庁 - The P-type semiconductor region 106 and the portion of the N-type semiconductor region 101 overlapping the transfer gate electrode 103 are disposed adjacent to each other in the direction parallel to the interface between the semiconductor substrate and the insulator.
Ｐ型半導体領域１０６と、Ｎ型半導体領域１０１の転送ゲート電極１０３と重なった部分とは、半導体基板と絶縁体との界面に平行な方向において互いに隣接して配される。 - 特許庁 - To provide a stable semiconductor device that does not cause Si substrate to be oxidized when a ferroelectric film is formed, can prevent an interface layer from being formed, and does not cause ferroelectric characteristics to deteriorate by the heat treatment of gas containing a hydrogen element.
強誘電体膜の形成時にSi基板が酸化されず、界面層の形成が防止でき、水素元素を含有したガスの熱処理にも強誘電体特性の劣化が少ない安定な半導体装置を提供する。 - 特許庁 - To provide a dielectric element which improves adhesiveness in an interface between a substrate formed of metal and an oxide dielectric layer, and has excellent leak characteristics, and to provide a method of easily manufacturing the dielectric element.
金属からなる基板と酸化物誘電体層との界面における密着性を高めると共にリーク特性が良好である誘電体素子と、当該誘電体素子をより簡易に作製することができる製造方法を提供する。 - 特許庁 - A thin film capacitor 10 comprises a substrate 12, a lower electrode 14, a dielectric thin film 16 and an upper electrode 18, and if necessary, an antireaction layer 20 is arranged at the interface between the dielectric thin film 16 and the upper electrode 18.
薄膜キャパシタ１０は、基板１２，下部電極１４，誘電体薄膜１６，上部電極１８からなり、必要に応じて誘電体薄膜１６と上部電極１８との界面に反応防止層２０が設けられる。 - 特許庁 - To provide a process for producing a semiconductor substrate by bonding two semiconductor wafers directly in which generation of voids in the bonding interface is suppressed effectively by optimizing the bonding heat treatment conditions.
２枚の半導体ウェーハが直接接合した半導体基板の製造方法であって、接合熱処理条件を最適化することにより、接合界面でのボイドの発生を効果的に抑制する半導体基板の製造方法を提供する。 - 特許庁 - An HfSiON gate insulating film 5 is formed through an interface layer 4 on a p-type Si substrate, and for example, SF_6 gas is sprayed to the surface to introduce F for introducing a halogen element so that a halogen element region 7 can be formed.
ｐ型Ｓｉ基板上に界面層４を介してＨｆＳｉＯＮゲート絶縁膜５を形成し、その表面に例えばＳＦ_6ガスを吹き付けてＦを導入する等してハロゲン元素を導入し、ハロゲン元素領域７を形成する。 - 特許庁 - Nitrogen peaks 3, 4 are formed in an interface between a gate oxide film 2 and a silicon substrate 1 and in the gate oxide film 2, by repeating alternately a thermal oxidation treatment process and a heat treatment process in gas containing NO or N2O.
熱酸化処理工程と、ＮＯ或いはＮ_2 Ｏを含むガス中での熱処理工程を交互に繰り返すことによって、ゲート酸化膜２とシリコン基板１との界面と、ゲート酸化膜２中の２か所に窒素ピーク３，４を設ける。 - 特許庁 - To provide a manufacturing method of a semiconductor device and a semiconductor device capable of repairing any crystal defect caused in the inner wall layer of a trench formed in a substrate and reducing an interface level of the inner wall layer.
基板に形成されたトレンチの内壁層に生じる結晶欠陥を修復するとともに、内壁層の界面準位を低減することが可能な半導体装置の製造方法および半導体装置を提供する。 - 特許庁 - A method for manufacturing the optical multilayer filter includes a step for forming a resin layer on the substrate, a step for forming a multilayer film on the resin layer, and a peeling step for peeling the multilayer film from the interface with the resin layer.
基板上に樹脂層を形成する工程と、前記樹脂層上に多層膜を形成する工程と、前記多層膜を樹脂層との界面から剥離する剥離工程とを有する光学多層膜フィルタの製造方法。 - 特許庁 - Next, laser beams are irradiated on an interface relative to the base material 11 in the semiconductor layer 13 and the semiconductor layer 13 is separated from the base material 11, thereby forming a nitride semiconductor substrate 13A from the semiconductor layer 13.
次に、半導体層１３における母材基板１１との界面にレーザ光を照射して、半導体層１３を母材基板１１から剥離することにより、半導体層１３から窒化物半導体基板１３Ａを形成する。 - 特許庁 - To increase the quality of an interface between a dielectric region and a semiconductor substrate, obtain a dielectric region impermeable to an impurity atom from a gate region, and obtain a thickness substantially equal to that of a stacked dielectric film.
誘電体領域と半導体基盤との界面を高品質化し、ゲート領域からの不純物原子に対して不浸透性のある誘電体領域を獲得し、堆積される誘電体膜に実質等しい厚さを得る。 - 特許庁 - The specific frequency or energy is so selected that the photons easily pass through the material and are absorbed by the material and then are reflected at the interface between the layer and the substrate, according to the material of the layer.
前記特定の周波数又はエネルギは、光子が前記材料を容易に通過して前記材料に吸収され、その後、前記層と前記基板との界面で反射されるように、前記層の材料に応じて選択される。 - 特許庁 - To prevent the flow-out of accumulated charges to the substrate side by enabling charges to be accumulated near the interface between a tunnel oxide film and a charge accumulation film and increasing a potential barrier between the tunnel oxide film and the charge accumulation film.
トンネル酸化膜と電荷蓄積膜との界面付近に電荷を蓄積することを可能にするとともに、トンネル酸化膜と電荷蓄積膜の電位障壁を高くすることにより、蓄積された電荷の基板側への流出を防ぐ。 - 特許庁 - To provide a charging member, a process cartridge and an electrophotographic apparatus, which can suppress the occurrence of a black haze-like image generated by peeling at the interface between a conductive substrate and an adhesion layer in a charging member of an electrophotographic apparatus.
電子写真装置の帯電部材において、導電性基体と接着層界面の剥離によって生じる黒もや状の画像の発生を抑制できる帯電部材、プロセスカートリッジ及び電子写真装置を提供する。 - 特許庁 - The substrate treating apparatus 500 includes an indexer block 9, a bevel treatment block 10, a treatment block 11 for an antireflection film, a treatment block 12 for a resist film, a development treatment block 13, a treatment block 14 for a resist cover film, and an interface block 15.
基板処理装置５００は、インデクサブロック９、ベベル処理ブロック１０、反射防止膜用処理ブロック１１、レジスト膜用処理ブロック１２、現像処理ブロック１３、レジストカバー膜用処理ブロック１４およびインターフェースブロック１５を含む。 - 特許庁 - The connection of the packet switches and TDM switches and connection of the ATM switches and TDM switches share same connection wirings between TDM interface processing units and TDM switches (for example, a wiring pattern with slots (connectors) in a packaging circuit substrate).
前記のパケットスイッチ及びＡＴＭスイッチと、ＴＤＭスイッチとの接続が、ＴＤＭ・Ｉ／Ｆ処理部とＴＤＭスイッチの間と同一の接続配線（例えば、スロット（コネクタ）を設けた実装回路基板における配線パターン）を共用する。 - 特許庁 - An n^+-buried impurity region 4 is formed in an interface between an n^--semiconductor layer 2 and a p^--semiconductor substrate 1 below an n^+-impurity region 7 connected to the drain electrode 14 of the nMOS transistor 103.
ｎＭＯＳトランジスタ１０３のドレイン電極１４に接続されるｎ^＋不純物領域７の下方においては、ｎ^−半導体層２とｐ^−半導体基板１との界面にｎ^＋埋め込み不純物領域４が形成されている。 - 特許庁 - When the projection 52 is detected in the first process, an interface part between the transparent substrate 54 and the opaque film 56 is observed from the opposite surface side opposite to the film-formation surface by the second camera 16.
第１工程で突起５２が検出された場合に、その突起５２の位置において、第２カメラ１６により、成膜表面とは反対の反対面側から透明な基板５４と不透明な膜５６との界面部を観察する。 - 特許庁 - Since chemical bond in an ion implantation layer 11 is cut easily when external impact is applied, exfoliation of silicon takes place along the ion implantation interface 12 and a strained silicon layer 13 is obtained on the supporting substrate 20.
したがって、外部衝撃を付与すると、イオン注入層１１中の化学結合の切断が容易に生じる結果、イオン注入界面１２に沿ってシリコンの剥離が生じ、支持基板２０上に歪シリコン層１３が得られる。 - 特許庁 - To provide a thermosetting adhesive composition that can improve flexibility and high temperature reliability by increasing the interface adherence between the substrate film and the adhesive and provide a thermosetting adhesive composition that is useful for a flexible printing circuit board.
基材フィルム及び接着剤間の界面密着性を増大させて耐屈曲性及び高温信頼性の物性を改善することが可能な、フレキシブルプリント回路基板に有用な熱硬化性接着剤用組成物を提供する。 - 特許庁 - To provide a wire-bonding connecting structure in which an interface between a substrate and metal being formed thereon can obtain sufficient strength without being destroyed by ultrasonic power in connecting an electrode drawing portion with wire-bonding.
電極取出部のワイヤボンディングによる接続において、基板とその上に形成された金属との界面が、超音波のパワーにより破壊されずに、十分な強度を得ることのできるワイヤボンディング接続構造を提供する。 - 特許庁 - Thereafter, the dangling bond of silicon is terminated with fluorine atoms by diffusing the fluorine contained in the source and drain regions 24 and 26 to the interface between the insulating film 14 and substrate 10 below the electrode layer 16 by performing heat treatment.
この後、ソース領域２４及びドレイン領域２６中のフッ素を熱処理により電極層１６の下方で絶縁膜１４と基板１０との界面に拡散させてシリコンのダングリングボンドをフッ素原子で終端させる。 - 特許庁 - To provide a high-speed nonvolatile semiconductor storage device where the rise of both of an interface property between a semiconductor substrate and an insulating layer and a ferroelectric property can be expected, and the dispersion of property is small, and the voltage is low.
半導体基板と絶縁体層間の界面特性と強誘電特性の両方の向上が望め、特性のばらつきが小さく低電圧で高速不揮発性の半導体記憶装置を提供することを目的とする。 - 特許庁 - To provide an interface substrate that can make an electro-optical device small-sized and reduce the manufacturing stages and manufacturing cost of the electro-optical device, and provide the electro-optical device, a manufacturing method, and electronic equipment.
電気光学装置の小型化を図ることができるとともに、電気光学装置の製造工程及び製造コストの削減を図ることができるインターフェース基板、電気光学装置及び製造方法、並びに電子機器を提供すること。 - 特許庁 - The method for producing laminate includes a process of heating the sapphire substrate at a temperature of 1,350 to 1,750°C in an atmosphere of a mixed gas of nitrogen-source gas having a nitrogen atom and hydrogen gas to form the aluminum nitride single crystal layer on the surface of the sapphire substrate, wherein, by adjusting conditions, the laminate having a gap on the interface between the sapphire substrate and the aluminum nitride single crystal layer can be produced.
窒素原子を有する窒素源ガスと水素ガスとの混合ガス雰囲気下において、サファイア基板を１３５０℃以上１７５０℃以下の温度で加熱することにより、サファイア基板の表面に窒化アルミニウム単結晶層が形成された積層体を製造する方法であり、条件を調整すれば、サファイア基板と窒化アルミニウム単結晶層との界面に空隙を有する積層体を製造することができる。 - 特許庁 - To provide an aluminum-ceramic joined substrate capable of suppressing generation of minute joining defects (voids) at an interface between a metal member and a ceramic substrate when joining the metal member formed of aluminum or aluminum alloy to the ceramic substrate in a melt joining method and capable of easily removing a step caused at a surface of a metal plate when the metal member is the metal plate, and also to provide a manufacturing method for the same.
溶湯接合法によってアルミニウムまたはアルミニウム合金からなる金属部材をセラミックス基板に接合する際に、金属部材とセラミックス基板との界面に微小な接合欠陥（ボイド）が生じるのを抑制することができるとともに、金属部材が金属板の場合に金属板の表面に生じる段差を容易に除去することができる、アルミニウム−セラミックス接合基板およびその製造方法を提供する。 - 特許庁 - The method for controlling the surface topography of an adhesion plane comprises a step in which a microreplicated topography is formed from contacting a microembossed pattern to a layer of an adhesive so that the topography of the adhesive surface controls the performance of the adhesion interface when the adhesion interface is established between the layer of an adhesive and a supporting substrate.
接着面の表面形態を制御する方法であって、接着剤層と支持基材との問に接着界面が確立されると、接着面の表面形態がその接着剤と前記支持基材との間の接着界面の性能を制御するように、微細エンボスパターンを接着剤層に接触させて、微細複製接着面を形成するステップを含む方法を開示する。 - 特許庁 - The concentration of nitrogen in the silicon oxynitride film has a distribution in the film thickness direction, and the concentration is low near the interface with the silicon substrate while high near the interface with the high dielectric insulating film, relative to the average value of the concentration of the nitrogen in the silicon oxynitride film.
シリコン基板の上に形成されたシリコン酸窒化膜と、このシリコン酸窒化膜の上に形成された高誘電率絶縁膜とを有する半導体装置において、シリコン酸窒化膜中の窒素濃度が膜厚方向に分布を持ち、このシリコン酸窒化膜中の窒素濃度の平均値に対してシリコン基板との界面付近で低く、高誘電率絶縁膜との界面付近で高くなることを特徴とする。 - 特許庁 - A semiconductor integrated device 10 includes a plurality of core chips CC0 to CC7, and an interface chip IF for controlling the core chips CC0 to CC7, and each of the core chips CC0 to CC7 and the interface chips CC0 to CC7 includes a plurality of through-electrodes TSV put through the semiconductor substrate and a plurality of pads P0 to P3 connected to the through-electrodes TSV.
半導体装置１０は、複数のコアチップＣＣ０〜ＣＣ７と、コアチップＣＣ０〜ＣＣ７を制御するインターフェースチップＩＦとを備えており、コアチップＣＣ０〜ＣＣ７及びインターフェースチップＣＣ０〜ＣＣ７の各々は、半導体基板を貫通する複数の貫通電極ＴＳＶと、貫通電極ＴＳＶとそれぞれ接続される複数のパッドＰ０〜Ｐ３とを備えている。 - 特許庁 - In the information recording medium, having a substrate and a recording layer for recording information by a phase change reaction by the application of laser beams, a first interface layer containing at least one element among Bi, Sn, and Pb is provided in contact with the recording layer, and a first protective layer containing Sn and oxygen is provided at a side opposite to the recording layer of the first interface layer.
基板と、レーザービームの照射による相変化反応により情報の記録が行われる記録層とを備えた情報記録媒体において、記録層と接してＢｉ、Ｓｎ、Ｐｂのうち少なくともいずれか一つの元素が含有された第１界面層を設けると共に、当該第１界面層の記録層とは反対側に、Ｓｎと酸素が含有された第１保護層を備える。 - 特許庁 - In the field effect transistor of a top gate type or a bottom gate type which has a gate electrode, a gate insulating layer, a source electrode, a drain electrode and an organic semiconductor layer on the surface of a substrate, an interface between the gate insulating layer and the organic semiconductor layer exists at a gate electrode side from an interface at the gate insulating layer, the source electrode, and the drain electrode.
基板の表面にゲート電極、ゲート絶縁層、ソース電極、ドレイン電極、有機半導体層を有するトップゲート型あるいはボトムゲート型の電界効果トランジスタにおいて、前記ゲート絶縁層と前記有機半導体層の界面が、前記ゲート絶縁層と前記ソース電極ならびにドレイン電極の界面よりもゲート電極側にあることを特徴とする。 - 特許庁 - A thin insulating layer are sandwiched between a substrate of semiconductor containing no impurity and a metal layer in contact with each other, a voltage is applied between the semiconductor and the metal layer so that the metal layer becomes negative, and a hole is induced in a thin layer just below an interface of the semiconductor on the interface of the insulating layer and semiconductor to produce the superconductivity by hole conduction due to hole inducement.
不純物を含まない半導体の基板と金属層との間に薄い絶縁層を接触挟持させ、更に半導体と金属層の間に金属層を負になるように電圧をかけ、絶縁層と半導体の境界面に於いて、半導体の境界面直下の薄い層内にホールを誘起させ、ホール誘起によるホール伝導で超伝導を出現させる。 - 特許庁 - This semiconductor memory using the flash(F) ROM being non-volatile and programmable semiconductor storage elements is provided with an interface means for forming an interface circuit between the storage elements and outside circuits by using an FPGA capable of loading of a program on a substrate and a program loading means for loading the program corresponding to the FROM to the FPGA at the time of power supply.
不揮発性でありかつプログラム可能な半導体記憶素子であるフラッシュ（Ｆ）ＲＯＭを使用した半導体記憶装置において、基板上においてプログラムのロードが可能なＦＰＧＡを使用し、前記記憶素子と外部回路とのインターフェイス回路を形成するインターフェイス手段と、電源投入時に、前記ＦＲＯＭと対応したプログラムをＦＰＧＡにロードするプログラムロード手段とを備える。 - 特許庁 - The circuit board 14 includes: a single-layer substrate 14a on which an analog circuit 20b and a digital circuit 20a are mounted; and multilayer substrates 14b and 14c which have connectors (an interface 30 for HDMI and a panel output interface 33) for communication with external devices at one end and wiring patterns 31 and 34 for electrically connecting the connectors with the digital circuit 20a.
回路基板１４において、アナログ回路２０ｂとデジタル回路２０ａとを実装する単層基板１４ａと、一端側に外部との交信を行うコネクタ（ＨＤＭＩ用インターフェース３０、パネル出力インターフェース３３）を実装すると共に、それらコネクタとデジタル回路２０ａとの間を電気的に接続する配線パターン３１、３４が形成された多層基板１４ｂ、１４ｃとを、備える。 - 特許庁 - To provide a method of reducing OH groups from a silicon oxide film containing OH groups at a low temperature by a simple method in order to ensure the performance of a TFT, i.e. interface characteristics and insulation, and to make a substrate inexpensive.
ＯＨ基を含有するシリコン酸化膜から、ＴＦＴの性能である界面特性や絶縁性のため、及び基板を安価なものにするため低温で作製するため、低温で簡便な方法でＯＨ基を減少させる方法を提供する。 - 特許庁 - The heating beam H is modulated by means of an acoustooptical modulation element 3, passed through an optical delaying path 5 having a variable length by moving a prism 4, and condensed to the interface 10 between a thin film 7 and a transparent substrate 8.
加熱ビームは音響光学変調素子３によって変調され、そのビームはプリズム４を移動することによりその長さを可変とした光学遅延路５を通し、加熱ビームＨとして薄膜７と透明な基板８の界面１０に集光する。 - 特許庁 - When such a high-refractive-index medium 13 is arranged, a refraction angle on an interface between the transparent substrate 11 and the high-refractive-index medium 13 is reduced relative to a conventional one, and exposure luminous energy shaded by the shading film 12 can be reduced.
このような高屈折率媒質１３を設けると、透明基板１１と高屈折率媒質１３との界面での屈折角が従来に比較して小さくなり、遮光性膜１２によって遮られる露光光量を低減させることができる。 - 特許庁 - The substrate processing apparatus 500 comprises an indexer block 9, a processing block 10 for antireflection film, a processing block 11 for resist film, a developing block 12, a processing block 13 for resist cover film, a block 14 for removing resist cover film and an interface block 15.
基板処理装置５００は、インデクサブロック９、反射防止膜用処理ブロック１０、レジスト膜用処理ブロック１１、現像処理ブロック１２、レジストカバー膜用処理ブロック１３、レジストカバー膜除去ブロック１４およびインターフェースブロック１５を備える。 - 特許庁 - A high dielectric insulating film is used as a gate insulating film of an n-channel type MOS transistor, and by directly forming this high dielectric insulating film on a semiconductor substrate not through an interface layer, a tensile distortion is given to a channel region.
ｎチャネル型ＭＯＳトランジスタのゲート絶縁膜として、高誘電率絶縁膜を使用し、この高誘電率絶縁膜を半導体基板上に界面層を介さず直接形成することにより、チャネル領域に引張り歪を与える。 - 特許庁 - To provide a tray type component supplying apparatus which is not required to provide an interface with the central controller, is very easily capable of realizing expansion using the existing facility of the substrate unit manufacturing line, and is also capable of simplifying a structure of the apparatus itself.
中央制御部とのインターフェースをとる必要がなく、基板ユニット製造ラインの既存設備を利用して極めて容易に増設することができ、装置本体の構成の簡単化を図ることができるトレイ式部品供給装置を提供する。 - 特許庁 - The bottom insulation film 12A is made of SiON, of which barrier height to the silicon substrate 11 in the channel area 11A is smaller than that between SiO_2 and Si, and an interface between SiON and Si has nitrogen with a composition ratio of ≥9%.
ボトム絶縁膜１２Ａは、チャネル形成領域１１Ａにおけるシリコン基板１１とのバリアハイトが、ＳｉＯ_２とＳｉとのバリアハイトより低いＳｉＯＮから形成され、このＳｉＯＮとＳｉとの界面は、窒素の組成比が９％以上である。 - 特許庁 - To introduce fluorine of full concentration into a film while damages to an insulating film and a substrate interface is avoided so as to obtain initial characteristics and the reliability of a transistor by introducing fluorine during film formation of a material of high dielectric constant.
高誘電率材料の成膜中にフッ素を導入することで、絶縁膜と基板界面へのダメージを避けながら、十分な濃度のフッ素を膜中に導入し、トランジスタの初期特性と信頼性を両立させることを可能とする。 - 特許庁 - To provide a method of forming an insulating film, an apparatus for forming an insulating film, and a plasma processing unit, those of which can successfully implement film quality control at an interface between a silicon substrate and an SiN film, and can form a high quality SiN film, in a short time.
シリコン基板とＳｉＮ膜との界面での膜質制御を首尾よく行うことができ、しかも、短時間で高品質のＳｉＮ膜を形成することのできる絶縁膜形成方法、絶縁膜形成装置及びプラズマ処理ユニットを提供する。 - 特許庁 - Interface oxide films 5 and 5a, a gate insulating film 6, a metal gate electrode 7 and a polysilicon gate electrode 8 are successively formed on an Si substrate 1 and are patterned, and a silicon oxide film 10 is formed on a side surface, and furthermore, a side wall 17 is formed.
Ｓｉ基板１上に、界面酸化膜５，５ａ、ゲート絶縁膜６、金属ゲート電極７およびポリシリコンゲート電極８を順次形成してパターニングし、側面にシリコン酸化膜１０を形成し、さらにサイドウォール１７を形成する。 - 特許庁 - For this copper clad silicon nitride substrate, a copper plate is brazed to the at least one side of itself, and the universal hardness at a position of 100 μm from the interface between the silicon nitride and the copper to the side of the above copper plate is 1,200 HU or lower.
本発明の銅貼り窒化珪素基板は、窒化珪素基板の少なくとも一方の面に銅板がろう接されたものであり、窒化珪素／銅界面から上記銅板側に１００μｍの位置におけるユニバーサル硬さが１２００ＨＵ以下のものである。 - 特許庁 - The interactive device in which the image processing circuit and the image sensor are integrated on the substrate includes a processing module and a control circuit which controls an operation of the interactive device by a static image parameter of an image object outputted to a transmission interface of the processing module.
画像処理回路と画像センサーを基板に統合したインタラクティブ装置は、処理モジュールと、処理モジュールの伝送インターフェイスに出力された画像物件の静的画像パラメーターでインタラクティブ装置の動作を制御する制御回路とを含む。 - 特許庁 - A signal transmitted from an infra-red remote control unit 500 or a bi-directional remote control unit 600 is converted to an extended command which follows the PS/2 interface, by the panel bridge driver, and the converted extended command is transmitted to the panel controller 111 of the panel substrate 110.
赤外線リモコン５００及び双方向リモコン６００から送信された信号は、パネルブリッジドライバにより、ＰＳ／２インタフェースに従う拡張コマンドに変換され、変換された拡張コマンドは、パネル基板１１０のパネルコントローラ１１１に送信される。 - 特許庁 - As for the endless belt constituted so that a belt-like elastic body is fixed on the inner surface of each edge by an adhesive layer, the ten- point average roughness (Rz) of the cross section curve of the endless belt substrate side interface of the elastic body is set to be 3 to 16 μm.
両側縁内面に帯状の弾性体を接着層により固定したエンドレスベルトにおいて、該弾性体のエンドレスベルト基体側界面の断面曲線の十点平均粗さ（Ｒｚ）が３〜１６μｍであるエンドレスベルトである。 - 特許庁 - A multilayer film is formed between a glass substrate 1 and a silicon film 3 as an impurity diffusion stop layer and the diffusion stop power of the multilayer film and the non-continuity of the interface between the layer 3 and the multilayer film are utilized to capture impurities, whereby diffusion of the impurities in glass is stopped.
ガラス基板１とシリコン膜３との間に不純物拡散阻止層２として多層膜を形成し、膜の拡散阻止能および膜界面の非連続性を利用して不純物を捕獲することによりガラス不純物の拡散を阻止する。 - 特許庁
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