「substrate interface」を含む例文一覧(1149)
＜前へ 1 2 .... 12 13 14 15 16 17 18 19 20 .... 22 23 次へ＞- This image forming method is for using the photosensitive transfer material, sticking the transfer material to a substrate as an object to be transferred, peeling and removing the temporary support from the thermoplastic resin layer at the interface between them and thereafter, exposing and developing the photosensitive transfer material to form the objective image on the substrate.
上記の感光性転写材料を用い、この感光性転写材料を被転写体である基体上に密着させ、仮支持体を熱可塑性樹脂層との界面で剥離除去した後に、露光、現像して基体上に画像形成する画像形成方法。 - 特許庁 - The laminate is composed of an insulating substrate, the insulating resin layer formed on the insulating substrate and the metal lamellar formed on the insulating resin layer and a metal oxide is provided to the contact interface of the insulating resin layer and the metal lamella and the surface roughness of the contact interface of the insulating resin layer and the metal lamella is below 100 nm.
絶縁基板と、前記絶縁基板上に形成された絶縁性樹脂層と、前記絶縁性樹脂層上に形成された金属薄膜層とからなる積層体であり、前記絶縁性樹脂層と前記金属薄膜層の接触界面に金属酸化物が存在し、かつ、絶縁性樹脂層と前記金属薄膜層の接触界面の表面粗さが１００ｎｍ未満であることを特徴とする積層体。 - 特許庁 - To prevent occurrences of air bubbles on an adhesion interface between a double-side adhesive material and a rotating roller, and prevent a defect such as an adhesion failure and a display failure of a rubbing material, in a rubbing apparatus of a substrate for a liquid crystal display device.
液晶表示装置用基板のラビング装置において、両面粘着材と回転ローラーの接着界面に発生する気泡を防止し、ラビング材の接着不良や表示不良といった不具合を防止する。 - 特許庁 - To solve the problem that a substrate leakage current increases due to an interface level formed by plasma damage and thereby the image clarity of a CMOS image sensor declines in the case of omitting a high temperature heat treatment process.
高温熱処理工程を省いた場合に、プラズマダメージによって発生した界面準位が原因で基板リーク電流が増大し、それによってＣＭＯＳイメージセンサの画像鮮明度が落ちることが課題である。 - 特許庁 - There is almost no difference of refractive index on the interface between the surface part 12-2 of optical waveguide substrate and the sealing material 18, therefore, there is no polarization dependence of the reflectance and, as a result, the PDL of light can be avoided.
光導波路基板表面部１２−２と封止剤１８との界面において、屈折率差が実質的にほとんど無いため、反射率の偏波依存性が無く、光のＰＤＬを回避することが可能となる。 - 特許庁 - To obtain a coating material which can decompose pollutants having soaked into the coating film, prevent the occurrence of peeling or blistering at the interface with a substrate coated therewith and decrease the pollutant- soaking phenomenon itself.
塗膜内部に染み込んだ汚れを分解し、被塗装材である下地との界面で剥がれやふくれが発生するのを防止するとともに、汚れが染み込む現象自体を低減することが可能な塗膜材を提供する。 - 特許庁 - To provide an interface device suitable for use in a clearance between a resist applying development device and an EUV exposure device capable of decreasing contamination in the EUV (extreme ultraviolet) exposure device with improved throughput, and to provide a substrate conveyance method.
ＥＵＶ露光装置内の汚染を低減するとともに、スループットの向上を可能とする、レジスト塗布現像装置とＥＵＶ露光装置との間に好適なインターフェイス装置及び基板搬送方法を提供する。 - 特許庁 - To provide an SIMOX substrate wherein strained stress caused in an interface between a partially buried insulation film and a bulk layer is reduced to suppress the occurrence of dislocation due to the strained stress, and also to provide a method of manufacturing the same.
部分的な埋め込み絶縁膜とバルク層との界面に生じた歪み応力を低減し、この歪み応力による転位の発生を抑制するＳＩＭＯＸ基板およびその製造方法を提供する。 - 特許庁 - The LDD region 12LD has an impurity concentration profile where impurity concentration becomes lower from the interface to the gate insulating film 14 to that to the support substrate 10 in the thickness direction of the semiconductor thin film 12.
ＬＤＤ領域１２ＬＤは不純物濃度が半導体薄膜１２の厚さ方向においてゲート絶縁膜１４との界面から支持基板１０との界面に向かって低くなる不純物濃度プロファイルを有する。 - 特許庁 - To provide an optical module of a parallel optical transmission device such that the optical module itself can be made compact by simplifying design and constitution of an interface outside the optical module and lowering the manufacturing cost for an electric substrate outside the optical module.
光モジュール外部のインターフェース設計／構成を簡単にし、光モジュール外部の電気基板の製造コストを低減し、かつ光モジュール自体の小型化を図れる並列光伝送装置の光モジュールを提供する。 - 特許庁 - To provide a method for producing a substrate for a power module with a heat sink wherein the heat sink and a second metal plate can be tightly bonded with each other while void formation on a bonding interface between the heat sink and second metal plate is suppressed.
ヒートシンクと第二の金属板との接合界面におけるボイドの発生を抑制してヒートシンクと第二の金属板とを強固に接合できるヒートシンク付パワーモジュール用基板の製造方法を提供する。 - 特許庁 - The bus of a computer device can be connected through an SIMM socket into which the extended memory module of a CPU is inserted with a general interface such as a PCI bus or an ISA bus, and an extended substrate 200 is inserted into this socket.
ＣＰＵの拡張メモリモジュールを挿入するＳＩＭＭソケット１３５を介して、ＰＣＩバスやＩＳＡバス等の汎用インタフェースバスに接続し、このソケット１３５に拡張基板２００を挿入するように構成する。 - 特許庁 - To provide a method for modeling a semiconductor in which impurity pile up on the Si/SiO2 interface can be simulated and electric characteristics dependent on the impurity concentration (e.g. substrate bias dependence) can be analyzed through high speed calculation.
Ｓｉ／ＳｉＯ_２界面での不純物パイルアップをシミュレーション可能であり，不純物濃度に依存する電気特性（例えば，基板バイアス依存性）を高速計算のもとに解析可能な半導体モデリング方法を提供する。 - 特許庁 - A first nitride layer 3a is formed in the vicinity of an interface between the internal wall oxide film 3 and the silicon substrate 1 with the thermal nitriding, and a second nitride layer 3b is formed on the surface of the internal wall oxide film 3 with the radical nitriding process.
熱窒化処理によって内壁酸化膜３とシリコン基板１との界面近傍に第１窒化層３ａが形成され、ラジカル窒化法によって内壁酸化膜３の表面に第２窒化層３ｂが形成される。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing a semiconductor device which can suppress the penetration of boron into a substrate while suppressing an increase in thickness of a base interface layer and can reduce dopants in a gate insulation film.
下地界面層の膜厚増加を抑制しつつ、ホウ素の基板への突き抜けを防止するとともに、ゲート絶縁膜中の不純物を低減させることのできる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁 - In the present invention, strong adsorption on the interface between the stamp and the substrate is reduced by injecting the vapor of small molecule material, so that the accuracy of pattern transfer is increased, the operations are simplified, and the cost is reduced.
本発明は、小分子物質の蒸気を注入することによって、圧模と基体との界面の強い吸着力を減らすようにして、パターン転写の高精度化、操作の簡単化、低コスト化が実現できる。 - 特許庁 - To provide a film forming method and a substrate processing apparatus for effectively forming a barrier layer including a high quality Ti film even under a low temperature and forming also a TiSi_x film, in a self-aligning manner, in an interface region between the Ti film and an underlayer thereof.
低温下であっても，良質なＴｉ膜を含むバリア層を効率よく形成することができ，そのＴｉ膜と下地との界面領域に自己整合的にＴｉＳｉ_ｘ膜を形成することができる。 - 特許庁 - To provide a node device, a communication module packaging unit, a packaging method for a plurality of subsystems, and an information transmission system in which density of an interface substrate is improved without sacrificing functions provided in the subsystems.
各サブシステムの備える機能を犠牲にすること無くインタフェース基板の高密度化を図ったノード装置、通信モジュール実装ユニット、複数のサブシステムの実装方法および情報伝送システムを提供する。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing a laminated material for an insulating substrate, which has excellent solder bondability, and can prevent generation of a crack and peeling at a junction interface and generation of deformation on a surface of a Ni layer.
はんだ接合性が良好であり、接合界面での割れや剥離の発生及びＮｉ層の表面の変形の発生を防止することができる絶縁基板用積層材の製造方法を提供する。 - 特許庁 - Since the front surface of the Al film 3 is coated and protected by the Ti thin film 2, 4 and 5, the risk that impurities and water content penetrate along the interface between the substrate 1 and the film 3 to contaminate and corrode the Al is removed.
また、Ａｌ膜３がＴｉ薄膜２、４、５で前面が被覆保護されているので、基板１との界面に沿って不純物や水分が侵入してＡｌを汚染腐食するというようなおそれが解消された。 - 特許庁 - To provide a solid-state image pickup device, having a small loss in the quantity of incident light and superior sensitivity characteristics, by reducing the reflection of the light at a substrate surface and on a film interface, where the refractive index differs at the inside and on the surface.
基板表面及び内部の屈折率が異なる膜界面で起きる光の反射を極く小さくして入射光量の損失が小さく感度特性に優れた固体撮像装置を提供する。 - 特許庁 - A concentration distribution of the impurity varies in the vicinity of the surface of the substrate at the time of oxidation according to a size of a segregation coefficient of the impurity, a diffusion speed in an Si and an SiO_2 of the impurity, or the like, in an Si-SiO_2 interface.
Ｓｉ−ＳｉＯ_2界面においては、不純物の偏析係数、不純物のＳｉ及びＳｉＯ_2中の拡散速度の大小等によって、酸化時に基板表面近くで不純物の濃度分布が変化する。 - 特許庁 - The light reflected at the interface of the surface side is reflected at the reflecting face of the substrate 10 of high reflectivity, and emitted also from the surface of the light translucent sealing resin between the LED tips 11 as the reflected light.
表面側の界面で反射した光は、基板１０表面の高反射率の反射面で反射し、ＬＥＤチップ１１間の透光性封止樹脂の表面からも反射光として出射される。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing an electrochemical display element in which an electrochemical display medium and a substrate are favorably stuck to each other, and consequently air bubbles do not remain at all on an interface and a display defect is hardly produced in the energized state.
電気化学型表示媒体と基板とが良好に密着していて界面に気泡がまったく残存せず、通電時の表示欠陥のほとんどない電気化学型表示素子を製造する方法を提供。 - 特許庁 - The substrate processing equipment 500 comprises an indexer block 9, an anti-reflection film processing block 10, a resist film processing block 11, a development processing block 12, a liquid immersion processing block 13, and an interface block 14.
基板処理装置５００は、インデクサブロック９、反射防止膜用処理ブロック１０、レジスト膜用処理ブロック１１、現像処理ブロック１２、液浸露光用処理ブロック１３およびインターフェースブロック１４を備える。 - 特許庁 - In the semiconductor device 10 as described above, the other side 16 of the Si substrate 12 is provided with an electrode pad 24 via an insulating film 20, and the inclined plane 23 is formed on an interface with the insulating film 20.
このような半導体装置１０においてＳｉ基板１２の他方の面１６には絶縁膜２０を介して電極パッド２４が設けられ、傾斜面２３は絶縁膜２０との境界面に形成されるようにした。 - 特許庁 - The temperature maintained in the area from the solidification interface to 300 mm is preferably 1,280°C or above since a higher conversion efficiency can be expected when the polycrystal silicon is used as a substrate to constitute a solar cell.
凝固界面から３００ｍｍまでの領域の保持温度が１２８０℃以上であれば、当該多結晶シリコンを基板として太陽電池を構成したときにより高い変換効率が期待できるので、望ましい。 - 特許庁 - A method of providing a hybrid substrate, equipped with semiconductor layers having different crystal orientations that are isolated by a conductive or an insulating interface formed by employing semiconductor-to-semiconductor direct wafer bonding, is disclosed.
半導体−半導体直接ウェハ・ボンディングを使用して導電性または絶縁性界面によって分離された、相異なる結晶方位の半導体層を備える混成基板を提供する方法が提供される。 - 特許庁 - The substrate processing apparatus 500 includes an indexer block 9, a processing block 10 for reflection prevention films, a processing block 11 for resist films, a development/cleaning/drying block 12, a cleaning/drying block 13, and an interface block 14.
基板処理装置５００は、インデクサブロック９、反射防止膜用処理ブロック１０、レジスト膜用処理ブロック１１、現像／洗浄／乾燥処理ブロック１２、洗浄／乾燥処理ブロック１３およびインターフェースブロック１４を含む。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing a semiconductor device which makes a gate insulation film of a material having a lower dielectric constant without increasing the interfacial level in an interface between a semiconductor substrate and the gate insulation film.
半導体基板とゲート絶縁膜との界面における界面準位を増大させることなく、より誘電率が低い材料でゲート絶縁膜を形成することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁 - To prevent punch through of boron while ensuring a substrate interface excellently, and prevent current deterioration or Vth variation when hot carriers are generated, regarding an insulated gate semiconductor device and its manufacturing method.
絶縁ゲート型半導体装置及びその製造方法に関し、基板界面を良好に確保しつつボロンの突き抜けを防止するとともに、ホットキャリアが発生した場合にも電流劣化或いはＶ_th変動を防止する。 - 特許庁 - A source electrode 151 is buried in a semiconductor substrate in which a two-dimensional electron gas layer 137 at a hetero interface 135 is formed, down to a depth in which a contact part 171 with the two-dimensional electron gas layer 137 is formed.
ヘテロ界面１３５において２次元電子ガス層１３７を生じている半導体基体に、ソース電極１５１を、２次元電子ガス層１３７との接触部１７１が生じる深さまで埋め込む。 - 特許庁 - To provide epitaxial growth template substrate pseudo aligned by cutting out of crystal main axis for inhibiting strain generating in interface in crystal growth and method thereof.
結晶成長による界面に発生する歪みの発生を抑制するためのテンプレート基板に関し、結晶主軸から傾けて切断した疑似整合させたエピタキシャル成長テンプレート基板及びその製造方法の提供 - 特許庁 - To manage the characteristics of a semiconductor substrate in the fabrication process using a fabrication apparatus clustered in an environment isolated from the atmosphere and the thickness of a film formed thereon on the interface, in the film and on the surface.
大気と絶縁された雰囲気でクラスタリングされた製造装置を用いた製造工程中における半導体基板と、その上に形成された膜の界面、膜中、表面及び膜厚の特性管理に関する。 - 特許庁 - The element isolation structure 40 comprises a silicon oxide nitride film (SiON film) 10 formed on a surface of the substrate 1 through an interface oxide film 20 and a ground insulating film 30 formed on the silicon oxide nitride film 10.
その素子分離構造４０は、界面酸化膜２０を介して基板１の表面上に形成されたシリコン酸窒化膜（ＳｉＯＮ膜）１０と、シリコン酸窒化膜１０上に形成された埋設絶縁膜３０とを有する。 - 特許庁 - To provide a semiconductor device which is improved in resistance to breaking of a wire resulting from peeling caused on an interface between a wiring pattern of a wiring substrate and a sealing pattern due to thermal stress generated in soldering packaging.
はんだ付け実装での熱ストレスにより、配線基板の配線パターンと封止樹脂との界面で剥離が発生し、ワイヤーが切断することに対する耐性を向上せしめた半導体装置を提供する。 - 特許庁 - To suppress a formation of a silicon oxide in an interface between a titanium oxide and a silicon substrate and to suppress an increase in a leakage current in a semiconductor device having MOS transistors each having a titanium oxide gate insulating film.
酸化チタンゲート絶縁膜を有するMOSトランジスタが形成された半導体装置において、酸化チタンとシリコン基板との界面における酸化シリコンの形成を抑制し、かつリーク電流の増加を抑制する。 - 特許庁 - An additional circuit 25 provided with a user interface 26 is provided in a sub substrate 23 provided to be attendant on an LCD panel 21 provided with a backlight 22 having an LED as a light source and provided with a backlight power circuit 24.
ＬＥＤを光源とするバックライト２２を備えたＬＣＤパネル２１に付随して設けられる、バックライト電源回路２４を備えたサブ基板２３に、ユーザインタフェース２６を具備する付加回路２５を設ける。 - 特許庁 - The power circuit section includes a second MOSFET on the SOI substrate having a back gate connected to a source, and generates an on potential higher than the potential of a power supply supplied to the interface section.
前記電源回路部は、ソースに接続されたバックゲートを有し前記ＳＯＩ基板上に設けられた第２のＭＯＳＦＥＴを含み、前記インタフェース部に供給される電源の電位よりも高いオン電位を生成する。 - 特許庁 - One substrate of the panel type display device is manufactured by forming a pixel part thin film transistor to the film 103, and a driving circuit or an interface circuit to the regions 105, 106, 107.
均一な微細多結晶シリコン膜１０３に画素部薄膜トランジスタと作り込み、周辺回路領域１０５、１０６、１０７に駆動回路やインターフェース回路を作り込んでパネル型表示装置の一方の基板とする。 - 特許庁 - The thermal oxide film 13 of a substrate prevents a structural defect in an interface level, or the like, and a CVD oxide film 14 formed on the thermal oxide film can adjust the thickness of the gate oxide film.
下地の熱酸化膜１３により界面準位等の構造的欠陥が抑制されるとともに、当該熱酸化膜上に形成されたＣＶＤ酸化膜１４によってゲート酸化膜の厚み調整が可能となる。 - 特許庁 - A bottom wall layer 2a of a mounting substrate 2 formed of laminated ceramic has a 2-layered construction, which is constructed of a first layer 2a1 and a second layer 2a2, and an intermediate layer 14 formed of a metal film is provided to a lamination interface of the layers 2a1, 2a2.
積層セラミックからなる実装基板２の底壁層２ａを第１の層２ａ１と第２の層２ａ２の２層構成としてこれら層２ａ１，２ａ２の積層面に金属膜からなる中間層１４を設ける。 - 特許庁 - Alternatively, a pn junction interface of the first impurity adding part 1a of the movable element of the electron supply source and the semiconductor substrate part 1a of the movable element is formed as a high concentration pn junction, and a potential barrier is enhanced.
あるいは、電子の供給源である可動体の第１の不純物添加部１ｂと可動体の半導体基板部１ａとのｐｎ接合界面を高濃度のｐｎ接合とし電位障壁を高くする。 - 特許庁 - A plurality of external terminals (output terminals) of a semiconductor substrate in which a plurality of transistors having gate oxide film thickness of different two kinds or more are formed are connected to an internal circuit through an interface circuit.
異なる２種類以上のゲート酸化膜厚を有する複数のトランジスタが形成された半導体基板の複数の外部端子（出力端子）は、インターフェース回路を介して内部回路に接続されている。 - 特許庁 - To provide a photoreceptor which resists deterioration of photoconductive layers, particularly a photoreceptor which maintains the integrity of an interface between a substrate and photoconductive layers over a long period of time and can extend the lifetime thereof.
光導電層の劣化に抵抗するフォトレセプタ、特に長期にわたり基板と光導電層との間の界面の完全性を維持し、フォトレセプタの寿命を延長することができるフォトレセプタを提供する。 - 特許庁 - The concentration of the hydrogen atom (about 6×10^21cm^-3) of an interface between the n-type single crystal silicon substrate 1 and the undoped amorphous silicon film 2a is higher than the concentration of hydrogen atom in the undoped amorphous silicon film 2a.
そして、ｎ型単結晶シリコン基板１とノンドープ非晶質シリコン膜２ａとの界面の水素原子濃度（約６×１０^２１ｃｍ^−３）が、ノンドープ非晶質シリコン膜２ａ中の水素原子濃度よりも高い。 - 特許庁 - To provide a process for manufacturing a semiconductor device in which hydrogen can be supplied sufficiently to the interface of the gate insulating film and the semiconductor substrate of a transistor, without having to elevate the processing temperature, while shortening the processing time.
処理時間が短く、かつ処理温度を高温にしなくてもトランジスタのゲート絶縁膜と半導体基板の界面に水素を十分に供給することができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁 - Oxygen atoms are distributed uniformly or gently in concentration in the gate insulating film 12 within a certain range in the thickness direction of the film continuously from its interface with the silicon substrate to the top surface.
酸素原子は、シリコン基板１１の界面からシリコン酸化窒化膜１７の表面まで途切れること無く、且つ、その濃度が膜厚方向に対し一定範囲内でほぼ均一に或いは緩やかに分布している。 - 特許庁 - To provide an antireflection coating using an immersion lithography technology, capable of sufficiently reducing reflectivity at the interface between a resist layer and a silicon semiconductor substrate even if exposure light diagonally enters one layer.
液浸リソグラフィ技術において、露光光一層斜めに入射する場合であっても、レジスト層とシリコン半導体基板との界面における反射率を充分に低減することができる反射防止膜を提供する。 - 特許庁 - The method for forming the structure includes forming the transition layer using a remote nitridation reactor at a sufficiently low temperature such that virtually no nitrogen reaches the interface formed between the oxide layer and the substrate.
この構造を形成する方法は、遠隔窒化リアクタを使用して、酸化層と基板の間に形成された界面に窒素が実質的に到達しないよう十分に低い温度で遷移層を形成することを含む。 - 特許庁
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