「substrate interface」を含む例文一覧(1149)
＜前へ 1 2 .... 8 9 10 11 12 13 14 15 16 .... 22 23 次へ＞- The substrate 1 attached with a cubic silicon carbide film includes the cubic silicon carbide film 3 formed on the surface 2a of the silicon substrate 2, and many quadrangular pyramid-like vacancies 4 gradually contracting inward from the surface 2a of the silicon substrate 2 formed in the vicinity of the interface between the silicon substrate 2 and the cubic silicon carbide film 3.
本発明の立方晶炭化ケイ素膜付き基板１は、シリコン基板２の表面２ａに立方晶炭化ケイ素膜３が形成され、このシリコン基板２の立方晶炭化ケイ素膜３との界面近傍に、シリコン基板２の表面２ａから内部に向かって漸次縮小する略四角錐状の空孔４が多数形成されている。 - 特許庁 - In order to exfoliate the material layer from the substrate in the interface of the substrate 1 and the material layer 2, to a work 3 in which the material layer 2 is formed on the substrate 1, through the substrate 1, a pulse laser light is irradiated so that adjacent each irradiation region is overlapped in the work 3, while changing the irradiation region to the work 3 every second.
基板１と前記材料層２との界面で前記材料層を前記基板から剥離させるため、基板１上に材料層２が形成されたワーク３に対し、基板１を通して、パルスレーザ光をワーク３に対する照射領域を刻々と変えながら、前記ワーク３において隣接する各照射領域が重畳するように照射する。 - 特許庁 - This ceramic complex for transplantation includes an apatite substrate phase, a secondary phase positioning n the substrate phase and comprising a ceramic material as a reinforcement, and a barrier layer comprising a ceramic material coating on the secondary phase, positioning in between the substrate phase and the secondary phase and suppressing an interface reaction reacted between the substrate phase and the secondary phase.
アパタイト素地相と、該素地相内に位置する、補強材としてのセラミック材料からなる２次相と、該２次相をコーティングして、前記素地相と前記２次相間に位置し、前記素地相と前記２次相間との間で生じる界面反応を抑制するセラミック材からなる障壁層とを含んでなることを特徴とする生体移植用セラミック複合体。 - 特許庁 - The semiconductor device includes an interposer IP to which a substrate power supply terminal 91V is provided, an interface chip IF where a surface bump FB is provided on one surface, with a rear surface bump BB provided on the other surface, and a core chip CC connected to the interface chip IF.
基板電源端子９１Ｖが設けられたインターポーザＩＰと、一方の表面に表面バンプＦＢが設けられ、他方の表面に裏面バンプＢＢが設けられたインターフェースチップＩＦと、インターフェースチップＩＦに接続されたコアチップＣＣとを備える。 - 特許庁 - The first interface film 53A has a film thickness with which electrical connection between the lower-layer electrode 51A and the upper-layer electrode 52A is maintained, and the second interface film 53B has a film thickness with which epitaxial growth between the substrate 15 and the diode electrode 52B is inhibited.
第１の界面膜５３Ａは、下層電極５１Ａと上層電極５２Ａとの電気的接続を維持する膜厚であり、第２の界面膜５３Ｂは、基板１５とダイオード電極５２Ｂとの間におけるエピタキシャル成長を阻害する膜厚である。 - 特許庁 - To suppress occurrence of side cracks or interface cracks at the sidewall of ceramic or the bonding interface between the sidewall of the ceramic and a heat radiating substrate, when mounting a PKG where a semiconductor chip is laid directly on a heating board and the periphery is surrounded by the sidewall of the ceramic.
放熱基板に半導体チップを直接搭載し、その周囲をセラミック側壁で囲繞したＰＫＧを実装する際に、セラミック側壁或いはセラミック側壁と放熱基板との着接界面での側壁クラックや界面クラックの発生を抑制する。 - 特許庁 - The second transistor includes a second interface layer 536 formed on a second channel region of the substrate, a second gate dielectric layer 538 formed on the second interface layer, second gate electrodes 540, 542 formed on the second gate dielectric layer.
第２のトランジスタは、基板の第２のチャネル領域上に形成された第２の界面層５３６と、第２の界面層上に形成された第２のゲート誘電体層５３８と、第２のゲート誘電体層上に形成された第２のゲート電極５４０，５４２とを具備する。 - 特許庁 - The first transistor includes a first interface layer 516 formed on a first channel region of the substrate, a first gate dielectric layer 518 formed on the first interface layer, first gate electrodes 520, 522 formed on the first gate dielectric layer.
第１のトランジスタは、基板の第１のチャネル領域上に形成された第１の界面層５１６と、第１の界面層上に形成された第１のゲート誘電体層５１８と、第１のゲート誘電体層上に形成された第１のゲート電極５２０，５２２とを具備する。 - 特許庁 - To prevent a defect from being generated easily in a part passing through a bonding interface in a contact hole, and to improve device reliability or manufacture yield at the manufacturing of a substrate device where the contact hole is necessary to be opened through the bonding interface.
貼り合わせ界面を貫通してコンタクトホールを開孔する必要があるような基板装置を製造する際に、当該コンタクトホールにおける貼り合わせ界面を通過する個所でも欠陥を起こし難く、最終的に装置信頼性或いは製造歩留まりを高める。 - 特許庁 - On a substrate 1, a lower dielectric layer 2, a lower interface layer 3, a nuclei generating layer 4, a recording layer 5, an upper interface layer 6, an upper dielectric layer 7, an adjusting layer 8, and a heat releasing layer 9 are laminated in this order, and the outer surface of each layer is covered with a protecting layer 10.
基板１上に、下部誘電体層２、下部界面層３、核生成層４、記録層５、上部界面層６、上部誘電体層７、調整層８、放熱層９をこの順に積層し、前記各層の外面を保護層１０にて覆う。 - 特許庁 - To form an FET having good characteristics by raising the concentration of nitride in the vicinity of the surface of a gate insulating film on the side reverse to the interface of the gate insulating film and a silicon substrate, while suppressing diffusion of nitrogen to the vicinity of the interface, in a process for fabricating a semiconductor device by forming a gate insulating film containing nitrogen on the silicon substrate.
シリコン基板上に窒素含有ゲート絶縁膜を形成する半導体装置の製造方法であって、ゲート絶縁膜のシリコン基板との界面付近への窒素の拡散を抑制しつつ、界面とは逆側のゲート絶縁膜の表面付近の窒素濃度を高めることにより、良好な特性を有するＦＥＴを形成する。 - 特許庁 - The forming method of a semiconductor structure is constituted of a stage that a silicon substrate 10 having the surface 12 is provided, a stage that an interface 14 consisting of a single silicon atomic layer, a single nitrogen atomic layer and a single metal atomic layer is formed on the surface of the substrate 10 and a stage that more than one layer of single crystal oxide layers 26 are formed on the interface.
半導体構造の作成方法は、表面１２を有するシリコン基板１０を設ける段階；シリコン基板の表面上に、シリコン，窒素および金属の単独の原子層からなるインタフェース１４を形成する段階；および１層以上の単結晶酸化物２６をインタフェース上に形成する段階；によって構成される。 - 特許庁 - To provide an oxide thin film or a nitride thin film deposition element which can maintain the interface property of the oxide thin film by ALD and can highly maintain the substrate certainly, and without a possibility that an ALD high film quality layer which makes an interface with the substrate may be damaged and deteriorated, by utilizing a CVD method without lowering the throughput of depositing.
ＡＬＤによる酸化物薄膜又は窒化物薄膜と基板との界面特性を確実に高く維持することができると共に、成膜のスループットを低下せず、更にＣＶＤ法を利用することによって基板との界面をなすＡＬＤ高膜質層が損傷劣化する虞のない酸化物薄膜又は窒化物薄膜堆積体を提供すること。 - 特許庁 - The apparatus for measuring the film adhesive force is equipped with a stage for fixing a test piece in which the film adheres to a substrate; a cutting blade for separating an adhesion interface of the substrate and the film; and a strain gage for observing a separation strength acting on a cutting plane when separating the adhesion interface by the cutting blade.
基板に膜が密着している試験片を固定するステージと、前記基板と前記膜との密着界面を剥離する切刃と、前記切刃で前記密着界面を剥離する際の切断面に作用する剥離荷重を観測するひずみゲージとを具備したことを特徴とする膜密着力測定装置によって解決される。 - 特許庁 - To provide a method of forming a metal film, by which the metal film having excellent adhesiveness to a substrate and an interface with a small unevenness between the substrate and itself can be formed by a simple process, without need of a large amount of energy.
本発明の目的は、多大なエネルギーを必要とせず製造が可能で、基板との密着性に優れ、且つ、基板との界面における凹凸が小さい金属膜を簡便な工程により形成しうる金属膜形成方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a semiconductor manufacturing method in which a substrate and the like and a semiconductor element and the like are bonded via a solder layer, which has excellent solderability and high strength at a bonded interface between the substrate and the like, and the solder layer.
基板等と半導体素子等がはんだ層を介して接合された半導体装置に関し、はんだ付け性が良好であり、かつ、基板等とはんだ層の間の接合界面強度も高い半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁 - In this process, the YSZ particles 8 penetrate into the pores 20A in a cathode substrate 20 deeply and form a three-dimensional network at the interface with the cathode substrate 20 to develop an anchor effect.
このとき、吸引ポンプ１５の吸引力によって、ＹＳＺ粒子８はカソード基材２０における細孔２０Ａの奥方まで進入していき、カソード基材２０との界面で３次元的なネットワーク構造を形成してアンカー効果を発揮する。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing a package substrate with a fine circuit pattern by anodic oxidation by which a finer circuit can be provided by using an existing facility, and further a package substrate possible to prevent an interface peel-off phenomenon from occurring between layers can be provided.
より微細な回路を既存の設備で実現することができるうえ、層間剥離現象の発生しないパッケージ基板を製作することができる、陽極酸化による微細回路パターン付きパッケージ基板の製造方法を提供する。 - 特許庁 - To form a texture with a precisely controlled interval and depth on the surface of a magnetic disk substrate and to obtain a magnetic disk having high reliability due to the enhanced adhesive strength of the substrate to a medium and improved contact at the interface between a head and the disk.
磁気ディスク基板の表面に間隔および深さを精密に制御したテクスチャを形成し、基板と媒体の密着力の向上やヘッド−ディスクのインターフェイスにおける接触の改善などの高信頼性を有する磁気ディスクを得る。 - 特許庁 - Furthermore, since heat generated by laser irradiation is transmitted to the sticking interface of the semiconductor substrate 200 and a supporting substrate 500, second heat treatment for enhancing sticking strength is eliminated resulting in enhancement of production efficiency.
また、レーザ照射により発生した熱が半導体基板２００と支持基板５００との貼り合わせ界面に伝達されるので、貼り合わせ強度を向上させるための第２の熱処理が不要となり、製造効率を向上させることができる。 - 特許庁 - The radiological image detector does not have a region, in which a concentration of elements of oxygen or chlorine is more than twice as large as the average concentration of the elements in the substrate-side charge transport layer 5, near the interface of the substrate-side charge transport layer 5 and a photoconductive layer 4.
基板側電荷輸送層５と光導電層４との界面近傍において、酸素または塩素の元素の濃度が基板側電荷輸送層５中の上記元素の平均濃度の２倍以上となる領域を有しないようにする。 - 特許庁 - TDM(time division multiplex) interface processing units 1-1 to 1-j, packet switches 3-1 to 3-k, and ATM(asynchronous transfer mode) switches 4-1 to 4-m are configured by a packaging circuit substrate, and this packaging circuit substrate is configured made compatible by a slot T.
ＴＤＭ・Ｉ／Ｆ処理部１−１〜１−ｊと、パケットスイッチ３−１…３−ｋ及びＡＴＭスイッチ４−１…４−ｍが、実装回路基板で構成され、かつ、この実装回路基板が、スロットＴによって互換可能に構成されている。 - 特許庁 - To provide a semiconductor device, where a leakage current flowing at the interface between a silicon layer and an embedded layer cannot be generated due to the potential difference between the silicon layer and a support substrate in an offset-type transistor being formed on an SOI substrate, and its manufacturing method.
ＳＯＩ基板に形成したオフセット型トランジスタであって、シリコン層と支持基板との電位差によって、シリコン層と埋め込み酸化膜の界面を流れるリーク電流を発生させない半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁 - Due to local heat generation in the laser spot at this time, the atomic bond between the semiconductor layer 11 and the substrate 10 is broken at their interface, and a pyrolysis layer 11a is formed between the substrate 10 and the semiconductor layer 11.
このときのレーザスポットの局所的な発熱により、半導体層１１はその基板１０との界面において両者の原子同士の結合が切断されて、基板１０と半導体層１１層との間に熱分解層１１ａが形成される。 - 特許庁 - After an AlN buffer layer 12 and a GaN layer 13 are grown sequentially on a sapphire substrate 11 by MOVPE, Si ions are implanted into an ion implantation region 14 centering the vicinity of interface between the sapphire substrate 11 and the growth layer.
サファイア基板１１上にＡｌＮ緩衝層１２とＧａＮ層１３をＭＯＶＰＥ法により順次成長させた後、サファイア基板１１と成長層との界面付近を中心としたイオン注入領域１４にＳｉのイオン注入を行う。 - 特許庁 - A semiconductor element 1 is constituted by stacking an interface level control layer 5, a semiconductor layer 4, a source electrode 2, a drain electrode 3, a gate electrode 7, a gate insulating film 6, and a substrate 8 in layers, the gate insulating film 6 being provided on one side surface of the interface level control layer 5.
半導体素子１は、界面準位制御層５と、半導体層４と、ソース電極２と、ドレイン電極３と、ゲート電極７と、ゲート絶縁膜６と、基板８とを層状に積層してなり、界面準位制御層５の１側面にゲート絶縁膜６を設けて構成する。 - 特許庁 - So, when used as the electrode substrate for a fuel cell, the surface contact to another layer on an interface becomes possible when laminated, reducing the contact resistance and heat loss on the interface, for wide and even distribution of gas, causing more efficient catalytic reaction.
従って、燃料電池用電極基材として用いると、積層したときに界面において他の層と面接触が可能になり、界面での接触抵抗や熱損失を小さくでき、ガスを均一に広範囲に配流することができるため、さらに効率的に触媒反応を起こし得るものである。 - 特許庁 - The medium is produced by successively laminating a protective layer 2, an interface layer 3, a recording layer 4 in which optical characteristics are reversibly changed by irradiation of laser light, an interface layer 5, a light-transmitting reflection layer 6 which transmits the laser light at the wavelength 1, and a thermal diffusion layer 7 on a substrate 1.
基板１の上に、保護層２と、界面層３と、レーザー光の照射によって光学特性が可逆的に変化する記録層４と、界面層５と、波長λの前記レーザー光を透過する光透過形反射層６と、熱拡散層７とを順次積層する。 - 特許庁 - The surface on the side opposite to the first electrode layer of the dielectric film 4 forms a step 40 making at least a part of an interface S1 between the dielectric film 4 and the second electrode layer 5 to be positioned closer to the substrate 1 side than an interface S2 between the dielectric film 4 and the insulating film 6.
誘電体膜４の第１電極層とは反対側の面が、誘電体膜４と第２電極層５との界面Ｓ１の少なくとも一部が誘電体膜４と絶縁層６との界面Ｓ２よりも基板１側に位置するような段差４０を形成している。 - 特許庁 - In the ceramics circuit board, a metal plate that mainly consists of aluminum is bonded to at least one main surface of a ceramics substrate, and Mg is unevenly distributed at the junction interface between the metal plate and a brazing material layer or near the junction interface.
セラミックス基板の少なくとも一主面にアルミニウムを主成分とする金属板をろう材層を介して接合してなるセラミックス回路基板であり、前記金属板とろう材層との接合界面或いはその近傍にＭｇを偏在させてなることを特徴とするセラミックス回路基板である。 - 特許庁 - Nitrogen in the interface between the semiconductor substrate 201 and the gate insulation film 205 prevents diffusion of boron from source and drain part 208 to suppress abnormal diffusion of boron, and simultaneously, the halogen element in the gate insulation film 205 serves to prevent the degradation of the characteristic of the interface of a channel and gate insulation film.
半導体基板２０１とゲート絶縁膜２０５界面の窒素が、ソース・ドレイン部２０８からのボロンの拡散を防いで、ボロンの異常拡散を抑制すると同時に、ゲート絶縁膜２０５中のハロゲン元素がチャネル・ゲート絶縁膜の界面特性の劣化を防ぐ。 - 特許庁 - To provide an LSI package with an interface module that is simple in structure, manufactured in an existing manufacturing line, and excellent in high frequency characteristic, and to provide an interposer substrate for use in the LSI package with the interface module, and a transmission line header inserted into receptacles of the package.
構造が簡単で、既存の生産ラインによる生産が可能で、且つ高周波特性の良好なインターフェイスモジュール付ＬＳＩパッケージ、このインターフェイスモジュール付ＬＳＩパッケージに用いるインターポーザ基板、及びこのパッケージのレセプタクルの内部に挿入される伝送線路ヘッダーを提供する。 - 特許庁 - To provide a silicon carbide semiconductor device and its manufacturing method that can reduce the interface state at an interface between an oxide insulating film, whose major ingredient is a silicon dioxide film, and a silicon carbide semiconductor substrate so as to improve channel mobility, thereby decreasing on-resistance.
シリコン酸化膜を主成分とする酸化絶縁膜と炭化珪素半導体基板との界面における界面準位を低減して、チャネル移動度を改善してオン抵抗を小さくすることのできる炭化珪素半導体装置とその製造方法を提供すること。 - 特許庁 - Here, since the difference in the refraction of the refractive-index interface between a reticle substrate 21 and glued layer is equal to 0.1 or smaller and the refraction difference of the refractive-index interface between an absorbing plate 22 and a glued layer is also equal to 0.1 or smaller in the reticle 2 for projecting light, illuminating light is hardly reflected at both reflective-index interfaces.
ここで、投光用レティクル２は、レティクル基板２１と接着層の屈折率界面の屈折差が０．１以下であり、吸収板２２と接着層の屈折率界面の屈折差も０．１以下であるので、両屈折率界面における照明光の反射は極めて少ない。 - 特許庁 - Here, a depletion layer is made at the interface (that is, the P-N junction face) between the n-type silicon substrate 101 and a p-type epitaxial film 102, so the parasitic capacity C8 and C9 in the vicinity of this interface becomes very small, therefore, the composite capacity of the noise propagation passage at large becomes small.
ここで、Ｎ型シリコン基板１０１とＰ型エピタキシャル薄膜１０２との界面（すなわちＰＮ接合面）には、空乏層が形成されるので、この界面付近の寄生容量Ｃ_8 ，Ｃ_9 は非常に小さくなり、このためノイズ伝搬経路全体の合成容量も小さくなる。 - 特許庁 - Upon the formation of the aluminum oxide film on the silicon substrate, a silicon nitride film is previously provided under the aluminum oxide film as an underlying interface layer, a nitride-based high-permittivity film is formed on the aluminum oxide film on the underlying interface layer to thereby form a laminated gate insulating film.
シリコン基板上にアルミニウム酸化膜を形成する際、アルミニウム酸化膜の下部にシリコン窒化膜を下地界面層として設けておき、当該下地界面層上のアルミニウム酸化膜上に、窒化物系高誘電率膜を形成することにより、積層ゲート絶縁膜を構成する。 - 特許庁 - In the wave range of light that enters the substrate 1 and reaches the first reflection layer 5, reflectivity at an interface between the first reflection layer 5 and the second reflection layer 6 is higher than the reflectivity at an interface between the translucent conductive oxide layer 4 and the first reflection layer 5.
基板１から入射する光のうち第１の反射層５に到達する光の波長域において、第１の反射層５と第２の反射層６の界面での反射率が、透光性導電酸化物層４と第１の反射層５の界面での反射率よりも高い。 - 特許庁 - When near infrared laser light impinges on the side face of the substrate, moisture and organic components existing in the bonding layer are vaporized selectively utilizing an evanescent wave leaking from infrared laser light impinging on the side face of the substrate and reflecting totally on the interface of the substrate and the bonding layer and then they are removed from the bonding layer by evacuation.
基板側面に近赤外レーザー光を入射させることにより、基板とろう付接合層の界面で全反射したレーザ光からもれるエバネッセント波を利用して接合層に介在する水分、有機物成分を選択的に気化させて、真空引きすることにより接合層から除去する。 - 特許庁 - The single crystal Si substrate 10 and a quartz substrate 20 having carbon concentration of 100 ppm or above are stuck and an external impact is applied to the vicinity of the ion implantation damage layer 11 thus exfoliating an Si crystal film along the hydrogen ion implantation interface 12 of the single crystal Si substrate 10 in the substrates stuck together.
この単結晶Ｓｉ基板１０と炭素濃度１００ｐｐｍ以上を含有する石英基板２０を貼り合わせ、イオン注入ダメージ層１１近傍に外部衝撃を付与することで、貼り合せ基板の単結晶Ｓｉ基板１０の水素イオン注入界面１２に沿ってＳｉ結晶膜を剥離する。 - 特許庁 - The ink 144 is heated sufficiently rapidly, heat transfer from the ink 144 to the substrate is sufficiently small during the leveling, the ink 144 on a substrate interface is cooled to a temperature below the viscosity threshold temperature, thereby preventing any significant ink 144 permeation into the substrate 140 from the first surface.
インク１４４を十分素早く加熱し、これにより平滑化期間中のインク１４４から下地への熱伝達を十分小さくし、したがって下地界面上のインク１４４を粘性閾値温度未満の温度へ冷却し、それによって第１の表面から下地内１４０に相当量のインク１４４が浸透しないよう阻止する。 - 特許庁 - Also the direction of an optic axis of the second optical compensating layer 108 projected on the substrate surface and the direction of a long axis of an equivalent optical indicatrix of residual retardation, formed in the vicinity of an interface of the second glass substrate 107 side of the liquid crystal layer 105 in displaying black, projected on the substrate surface are substantially matched with each other.
また、第２光学補償層１０８の光軸を基板面内に投影した方向と、黒表示時に液晶層１０５の第２基ガラス板１０７側の界面付近で形成される残留リターデーションの等価屈折率楕円体の長軸方向を基板面内に投影した方向とはほぼ一致している。 - 特許庁 - To allow correct signal exchange between an indoor unit having an indoor unit control substrate and an outdoor unit having an outdoor unit control substrate which is different in communication system from the indoor unit control substrate by providing therebetween an interface having a function of converting communication systems.
屋外機３２に設置されている屋外機制御基板３７の通信方式と、屋内機３１Ａ，３１Ｂ…設置されている屋内機制御基板３８Ａ，３８Ｂ…通信方式とが一致していない場合、これらの屋外機と屋内機とを連繋作動せしめ、１基の冷暖房空調設備として適正な冷，暖房機能を発揮させる。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing a semiconductor substrate capable of planarizing the surface of the semiconductor substrate, where uniformity in the coating thickness of the semiconductor layer of an upper layer is maintained highly, when manufacturing the semiconductor substrate having a DSB structure, and capable of efficiently removing an oxide film on the interface between two wafers by the same heat treatment.
ＤＳＢ構造を有する半導体基板を製造する場合に、上層の半導体層の膜厚均一性を高く保持した半導体基板表面平坦化と、２枚のウェーハの界面の酸化膜除去を同一の熱処理で効率よく行うことを可能にする半導体基板の製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a conjugated body of a nitride ceramic substrate having good corrosion resistance because 5% or more of a sintering aid is contained in the inside of the nitride ceramic substrate and so the sintering aid is moved to the interface between the nitride ceramic substrate and a nitride ceramic- made columnar body, thus both of them are conjugated tightly due to the movement of the sintering aid.
窒化物セラミック基板の内部に５重量％以上の焼結助剤が含まれているため、窒化物セラミック基板と窒化物セラミック製の柱状体との界面に焼結助剤が移行し、これに起因して両者が強固に接合され、上記窒化物セラミック基板の耐腐食性に優れる接合体を提供する。 - 特許庁 - After the exposed substrate is delivered to a delivery stage from the conveying means in an interface block, the timing of receiving the substrate by the conveying means in the unit block for developing process is adjusted in such a manner that the time from the exposure of the substrate to carrying it into the heating unit becomes a preset time.
そしてインターフェイスブロック内の搬送手段から露光後の基板を受け渡しステージに受け渡した後、現像処理用の単位ブロック内の搬送手段による当該基板の受け取りのタイミングを、当該基板が露光されてから加熱ユニットに搬入されるまでの時間が予め設定した時間となるように調整する。 - 特許庁 - The direction of an optic axis of the first optical compensating layer 102 projected on the substrate surface and a direction of a long axis of an equivalent optical indicatrix of residual retardation, formed in the vicinity of an interface of the first glass substrate 103 side of the liquid crystal layer 105 in displaying black, projected on the substrate surface are substantially matched with each other.
第１光学補償層１０２の光軸を基板面内に投影した方向と、黒表示時に液晶層１０５の第１ガラス基板１０３側の界面付近で形成される残留リターデーションの等価屈折率楕円体の長軸方向を基板面内に投影した方向とはほぼ一致している。 - 特許庁 - The substrate processing apparatus 10 comprises a substrate processing apparatus body 12, a control device 14 for controlling the operable range of the substrate processing apparatus body 12, a display/input device 16 constituting an interface between the control device 14 and the operator, and an ID reader 4 for wirelessly detecting the identifier from an ID tag 6.
基板処理装置１０は、基板処理装置本体１２と、この基板処理装置本体１２の操作可能な範囲を制御する制御装置１４と、この制御装置１４とオペレータとのインターフェースを構成する表示・入力装置１６と、ＩＤタグ６から無線により識別子を検出するＩＤリーダ４とを有する。 - 特許庁 - A substrate W, subjected to exposure in the aligner 14, is carried by the carrying mechanism IFR for interface to the drying section 95.
露光装置１４において基板Ｗに露光処理が施された後、基板Ｗはインターフェース用搬送機構ＩＦＲにより乾燥処理部９５の乾燥処理ユニットに搬送される。 - 特許庁 - To provide a method for obtaining a functional thin film having a small amount of defects by easily and completely carrying out peeling on the interface between functional thin-film structure and a separation layer by a substrate using the separation layer.
分離層を用いた基板を用いることで、機能性薄膜構造と分離層の界面で容易かつ完全に剥離させ、欠陥の少ない機能性薄膜を得る方法である。 - 特許庁 - The evanescent wave excites fluorescent pigment in a sample in the well 21, being confined to that near the interface between the top surface 10a of the transparent substrate 10 and the sample.
このエバネセント波によってウエル２１中の試料中の蛍光色素を励起して、透明基板１０の上面１０ａと試料との境界面近傍の蛍光色素だけを励起させる。 - 特許庁
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