「substrate interface」を含む例文一覧(1149)
＜前へ 1 2 .... 9 10 11 12 13 14 15 16 17 .... 22 23 次へ＞- For example, the SiGe has Ge of 20% concentration on the substrate interface of Si, Ge of 30 % concentration on the upper end surface of the SiGe film, and a thickness of 400 nm.
例えば、ＳｉＧｅは、Ｓｉの基板界面において２０％の濃度のＧｅ、ＳｉＧｅ膜の上端面において３０％の濃度のＧｅ、および、４００ｎｍの厚さを有する。 - 特許庁 - To achieve a solid-state image pickup element having a small dark current by effectively terminating dangling bond on the surface of a silicon substrate for reducing an interface level.
シリコン基板の表面におけるダングリングボンドを効果的に終端化することにより界面準位を低減し、暗電流が少ない固体撮像装置を実現できるようにする。 - 特許庁 - To provide a semiconductor device that eliminates nonconformities such as peeling etc., caused by the bonding interface of an SOI substrate and that shows high reliability and high element performance.
ＳＯＩ基板の貼り合わせ界面に起因する剥離等の不具合が解消され、高い信頼性と高い素子性能とを備えた半導体装置、及びアクティブマトリクス基板を提供する。 - 特許庁 - To form gate insulating films which are different in film thickness on the same substrate and also lower reduction in thickness of semiconductor layer, while controlling the deterioration in quality of a gate insulating film interface.
ゲート絶縁膜界面の品質の劣化を抑制しつつ、膜厚の異なるゲート絶縁膜を同一基板上に形成するとともに、半導体層の薄膜化を低減させる。 - 特許庁 - To solve the following problem: a reflow process is generally used in a mounting process by mounting an IC to a leadframe, wire bonding and mold encapsulating the same and mounting the same to a substrate, package cracks are generated at an interface between the leadframe and a molded resin caused by vaporization of water included in the package by heat.
リードフレームにＩＣを搭載し、ワイヤーボンディングした後にモールド封止されて基板に実装される実装工程においては一般的にリフロー方式が用いられる。 - 特許庁 - To provide a semiconductor device which is less deteriorated in characteristics over aging and where dislocation is prevented from occurring in an interface between a substrate and a selectively grown multi-quantum well layer.
基板と選択成長した多重量子井戸層の界面における転位の発生が防止され，経時変化に対する特性劣化が低減された半導体装置を提供する。 - 特許庁 - To improve a leak characteristic near an interface of an insulation film in a method of manufacturing an element substrate having a laminate structure of a first conductive film, the insulation film and a second conductive film.
第１導電膜／絶縁膜／第２導電膜の積層構造を有する素子基板を製造する方法において、絶縁膜の界面付近でのリーク特性を向上させる。 - 特許庁 - Thereby, even when a pseudo-gap is generated at an interface S1 between the ferrite substrate 4 and the metal magnetic film 5, a region L2 which is greatly affected by the pseudo-gap can be made small.
これにより、フェライト基板４と金属磁性膜５との界面Ｓ１で疑似ギャップが生じる場合であっても、この疑似ギャップの影響が大きい領域Ｌ２を小さくすることができる。 - 特許庁 - The pn junction is formed on the interface between a low-density n-type impurity layer 3 and a p-type diffusion region 5 nearby the top main surface of an n-type semiconductor substrate 2 of the semiconductor device 1.
半導体装置１のｎ型半導体基板２の上主面近傍で、低濃度ｎ型不純物層３とｐ型拡散領域５との界面でｐｎ接合が形成されている。 - 特許庁 - To provide a semiconductor epitaxial wafer suitable for production of a semiconductor device such as an HEMT, in which Si present in an interface between a substrate and an epitaxial film is effectively inactivated.
ＨＥＭＴ等の半導体デバイスの作製に好適な、基板とエピタキシャル膜の界面に存在するＳｉが効果的に不活性化された半導体エピタキシャルウエハを提供する。 - 特許庁 - To obtain an nitride semiconductor thin film which satisfies sufficiently low dislocation density, homogeneity over a wide surface area, manufacturing process convenience, and economy, and which also has high resistance in the vicinity of a substrate interface.
十分に低い転位密度、広い面積にわたっての均質性、作製プロセスの簡便さ、経済性を満足し、基板界面付近が高抵抗の窒化物半導体薄膜を得る。 - 特許庁 - The substrate processing equipment 500 includes an indexer block 9, an anti-reflection film processing block 10, a resist film processing block 11, a drying/developing processing block 12, and an interface block 13.
基板処理装置５００は、インデクサブロック９、反射防止膜用処理ブロック１０、レジスト膜用処理ブロック１１、乾燥／現像処理ブロック１２およびインターフェースブロック１３を備える。 - 特許庁 - The substrate processing equipment 500 comprises an indexer block 9, an anti-reflection film processing block 10, a resist film processing block 11, a cleaning/developing processing block 12, and an interface block 13.
基板処理装置５００は、インデクサブロック９、反射防止膜用処理ブロック１０、レジスト膜用処理ブロック１１、洗浄／現像処理ブロック１２およびインターフェースブロック１３を備える。 - 特許庁 - To provide a semiconductor device provided with a gate insulating film which has a high dielectric constant and in which an interface with a silicon substrate is stable, and to provide a manufacturing method of the device.
高い誘電率を有し、かつシリコン基板との界面が安定なゲート絶縁膜を備えた半導体装置およびその製造方法を提供することを目的としている。 - 特許庁 - A p impurity region 3 defining an nMOS region 202 is provided from an upper surface of the n^- semiconductor layer 2 to an interface with the p^- semiconductor substrate 1.
ｎ^-半導体層の内部には、ｎ^-半導体層２の上面からｐ^-半導体基板１との界面にかけて、ｎＭＯＳ領域２０２を区分するｐ不純物領域３が設けられている。 - 特許庁 - The depth W1 from the interface between the semiconductor substrate 11 and the 1st insulating layer 12 up to the bottom part of the insulating area is deeper than a maximum depth W_max of a depletion layer.
前記半導体基板１１と前記第１の絶縁層１２との界面から前記絶縁領域の底部までの深さＷ１が、空乏層の最大深さＷ_maxよりも深い。 - 特許庁 - The interface section includes a first MOSFET on an SOI substrate having a floating back gate, and converts a terminal switch signal of input serial data into parallel data.
前記インタフェース部は、フローティング状態のバックゲートを有しＳＯＩ基板上に設けられた第１のＭＯＳＦＥＴを含み、入力したシリアルデータの端子切替信号をパラレルデータに変換する。 - 特許庁 - At least a part of the external circumference in the interface side in contact with the semiconductor laminating portion 10 among the semiconductor substrate 1 is cut away and thereby a cut-away portion 1a is formed.
そして、半導体基板１のうち、半導体積層部１０と接触する界面側における外周部の少なくとも一部が欠落されて、欠落部１ａが形成されている。 - 特許庁 - The cutting process (S2) is to obtain the substrate by cutting the laminated body in a direction crossing the extending direction of an interface between the first conduction type layer and the second conduction type layer.
切断工程（Ｓ２）とは、積層体を、第１導電型層と第２導電型層との界面の延在方向と交差する方向に切断することにより基板を得る工程である。 - 特許庁 - An active area of the 2nd element can be formed avoiding the interface between the base substrate and 2nd semiconductor layer, so leak current can be suppressed and characteristics of a device can be improved.
上記第２の素子の活性領域を、上記支持基板と第２の半導体層との界面を避けて形成できるので、リーク電流を抑制でき、デバイスの特性を向上できる。 - 特許庁 - For example, in the vicinity of the interface with a substrate, the coated hard material is the crystalline phase from the viewpoint of adhesion and in the vicinity of the surface of the blade part, it is the mixed phase including the amorphous phase.
例えば、基体との界面近傍では密着性の点から被覆硬質材を結晶質相とし、刃部の表面近傍では非晶質相を含む混合相とする。 - 特許庁 - To provide a method for generating a clock for computer techniques, more particularly for universal asynchronous transmitter/receiver(UART) unit loaded on a peripheral component interconnect(PCI) compliant interface substrate.
コンピュータ技術、さらに特化して、ＰＣＩコンプライアントなインターフェイス基板上に搭載された、ＵＡＲＴ（万能非同期送受信機）ユニット用のクロック信号を生成する方法を提供すること。 - 特許庁 - Consequently, the upper surface position D_2 of the silicon oxide film 22 becomes shallower than the interface between the silicon substrate 2 and the epitaxial layer 18 from the surface of the epitaxial layer 18.
これにより、酸化シリコン膜２２の上面位置Ｄ_2が、シリコン基板２とエピタキシャル層１８との界面の位置よりも、エピタキシャル層１８の表面から浅い位置になるようにされる。 - 特許庁 - The deposition substrate 21B is made of a metal material which has low reactivity with Li, such as Cu, Ni, Ti, Mo, Ta, stainless steel, and Li deposits on the interface with the inorganic compound layer 21C in charging.
析出基板２１ＢはＣｕ，Ｎｉ，Ｔｉ，Ｍｏ，Ｔａ，ステンレスなどのＬｉとの反応性が低い金属材料よりなり、充電時に無機化合物層２１Ｃとの界面にＬｉが析出する。 - 特許庁 - To make it possible to substantially reduce interface defects between a semiconductor substrate and an insulating film by means of heat treatment for obtaining excellent reliability as a device.
熱処理により半導体基板側と絶縁膜との間の界面欠陥を大幅に低減することができ、デバイスとしての信頼性を優れたものとすることができるようにする。 - 特許庁 - To prevent an image displayed on a light emitting device from being seen distorted by total reflection or refraction on the interface between a substrate and air of light emitted from a light-emitting element.
発光素子から発せられた光が、基板と空気との界面において全反射又は屈折することにより、発光装置に表示される画像が歪んで見えてしまうことを防止する。 - 特許庁 - Consequently, the maximum oxygen concentration in the portion of the silicon layer 10 of at least 10 nm in thickness from the interface with the substrate 4 becomes ≤3×1018 atoms/cm3.
エピタキシャル成長された単結晶シリコン層１０の基板４との界面から少なくとも厚さ１０ｎｍの部分の最大酸素濃度は３×１０^18原子／ｃｍ^3 以下となる。 - 特許庁 - The semiconductor substrate is formed by bonding a plurality of counterpart semiconductor substrates (10, 12) together, and a nitride film or an oxynitride film (11) is formed at the bonded interface between them.
半導体基板は、複数の半導体基板(10,12)同士を互いに張り合わせて形成した半導体基板であって、張り合わせ界面に、窒化膜或いは酸窒化膜(11)が形成されている。 - 特許庁 - To increase the nitriding rate of an oxide film while holding the inside of a processing chamber at a temperature of ≤800°C, and to suppress localization of nitrogen atoms nearby an interface between the oxide film and a substrate.
処理室内の温度を８００℃以下に保持しつつ酸化膜の窒化速度を向上させると共に、酸化膜と基板との界面付近における窒素原子の局在を抑制する。 - 特許庁 - In an I/O interface constituting a nerve connecting element, a conductive layer 20b is formed on a substrate 19, and an ion selection layer 22 is formed thereon.
神経接続素子１を構成する入出力ポート２において、基板１９上に導通層２０ｂを形成するとともに、その上層にイオン選別層２２と形成した構成を用いる。 - 特許庁 - When cleavage is performed along a division line D from the other side of a semiconductor substrate 2, the multilayer semiconductor structure 3 can be divided without making the cleavage interface reach the plating electrode layer 5.
また、分割線Ｄに沿って半導体基板２の他面側からへき開を行うことで、へき界面をめっき電極層５まで到達させずに多層半導体構造３を分割できる。 - 特許庁 - Therefore, the ozone water is heated and supersaturated ozone water is temporarily generated in a local area near the interface which is in direct contact with the surface of the substrate W.
従って、基板Ｗの表面に直接接触する界面近傍のローカルな領域においてはオゾン水が加熱され、一時的に過飽和オゾン水が生成されることとなる。 - 特許庁 - Further, the translucent substrate and the device forming layer are separated on an interface between the photocatalytic layer and the inorganic compound layer containing carbon or the simple substance layer of carbon.
さらには、光触媒層及び炭素を含む無機化合物層または炭素単体層の界面において分離することで、透光性を有する基板及び素子形成層を分離する。 - 特許庁 - To provide a process for fabricating a semiconductor device in which a silicon oxide film formed on a silicon substrate or on the interface of a silicon layer and a high-permittivity insulating film are made thin easily.
シリコン基板又はシリコン層と高誘電率絶縁膜の界面に形成されるシリコン酸化膜を容易に薄膜化することができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁 - To prevent corrosion of an Al wiring electrode by suppressing the increase of charge density at an interface between a substrate and a protective film in a semiconductor device where a silicon nitride film including hydrogen is laminated and formed.
水素を含む窒化シリコン膜とが積層形成された半導体装置における基板と保護膜との界面の電荷密度の増大を抑え、Ａｌ配線電極の腐蝕を防止する。 - 特許庁 - To improve characteristics of an electrostatic voltage resistance etc., by inserting an intermediate layer between n-type nitride semiconductor layers and reducing threading dislocation generated on an interface between a sapphire substrate and GaN.
ｎ型窒化物半導体層間に中間層を挿入し、サファイア基板とＧａＮとの界面で発生する貫通転位を減少させ、耐静電圧の向上等の特性を改善すること。 - 特許庁 - The antireflection member has a significant antireflection effect because two antireflection constitutive layers having a rugged shape at the interface between those are stacked on a part of a transparent substrate forming a transparent window.
透明基材の透明窓部となる部分の上に、相互の界面が凹凸形状を呈する２層の反射防止構成層が積層されているので、優れた反射防止効果を有する。 - 特許庁 - To provide a process for manufacturing a semiconductor device in which hydrogen can be supplied sufficiently to the interface of the gate insulating film and the semiconductor substrate of a transistor, without having to elevate the processing temperature.
処理温度を高温にしなくてもトランジスタのゲート絶縁膜と半導体基板の界面に水素を十分に供給することができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁 - The substrate on which the liquid crystal is printed is heated and the surface tension of the surface of an alignment layer and the liquid crystal is lowered to fit the interface therebetween and the liquid crystal layer is flattened.
さらに、液晶を印刷した基板を加温して配向膜表面と液晶の表面張力を低下させ、両者の界面をなじませるとともに、液晶層を平坦化する。 - 特許庁 - The printed circuit board 100 includes: a core substrate 30 where a fiber base material is embedded in a first resin; a pair of second resin layers 10 arranged to hold the core substrate 30 between them; and a conductor 7 arranged on at least one of a surface 100a opposed to the core substrate 30 in the resin layer 10 or the interface of the resin layer and the core substrate.
プリント配線板１００は、繊維基材が第１の樹脂に埋設されてなるコア基板３０と、コア基板３０を挟むように設けられる一対の第２の樹脂層１０と、樹脂層１０のコア基板３０側とは反対側の面１００ａ上または前記樹脂層と前記コア基板の界面の少なくとも一方に設けられる導体７とを備える。 - 特許庁 - The separator 3 for the fuel cell obtained by nitriding the surface of a substrate 10 comprising alloy containing a transition metal element selected from Fe, Cr, Ni, and Mo has a nitrided layer 11 having hexagonal system crystal structure in the depth direction from the surface 10a of the substrate 10, and the substrate 10 contains nitrogen in an interface region 10b between the substrate 10 and the nitrided layer 11.
Ｆｅ、Ｃｒ、Ｎｉ及びＭｏの中から選ばれた遷移金属元素を含む合金からなる基材１０の表面を窒化処理することにより得られる燃料電池用セパレータ３であって、基材１０の表面１０ａから深さ方向に立方晶の結晶構造を有する窒化層１１を備え、基材１０は窒化層１１との界面領域１０ｂに窒素を含有する。 - 特許庁 - The photoelectric conversion element comprises a semiconductor substrate having protrusions and recesses formed on the surface, and a metal electrode formed on the protrusions and recesses which are formed on the surface of the semiconductor substrate, a glass layer existing at least partially on the interface of the surface of the semiconductor substrate and the metal electrode, and metal particles existing in the glass layer in contact with the surface of the semiconductor substrate.
表面に凹凸が形成された半導体基板と、前記半導体基板表面の凹凸上に形成された金属電極と、前記半導体基板表面と前記金属電極との界面の少なくとも一部に存在するガラス層と、ガラス層中であって前記半導体基板表面に接触して存在する金属粒子と、を有する光電変換素子。 - 特許庁 - The semiconductor device includes: a semiconductor substrate; an interface layer formed on the semiconductor substrate and containing S of 1×10^20 atoms/cm^3 or more; a metal semiconductor compound layer formed on the interface layer and containing S of 1×10^20 atoms/cm^3 or more in approximately whole region; and a metal electrode on the metal semiconductor compound layer.
半導体基板と、半導体基板上に形成され、Ｓを１×１０^２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以上含有する界面層と、界面層上に形成され、略全域にＳを１×１０^２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以上含有する金属半導体化合物層と、金属半導体化合物層上の金属電極を有することを特徴とする半導体装置。 - 特許庁 - The semiconductor optical function device includes a semiconductor substrate provided with a substrate edge surface, an optical waveguide formed on the semiconductor substrate, a non-waveguide region formed at least between the optical waveguide and the a substrate edge surface, an insulation region provided with a semiconductor interface that is formed around the optical waveguide and is in contact with the non-waveguide region on a side of the substrate edge surface.
本発明に係る半導体光機能デバイスは、基板端面を有する半導体基板と；前記半導体基板上に形成された光導波路と；前記半導体基板上において、少なくとも前記光導波路と前記基板端面との間に形成された非導波領域と；前記光導波路の周囲に形成され、前記基板端面側に前記非導波領域と接する半導体界面を有する絶縁領域とを備える。 - 特許庁 - To obtain a method for manufacturing a semiconductor pressure sensor by dicing a wafer, produced by bonding a glass substrate to an SOI substrate on which a diaphragm for detecting pressure is formed, in which the lifetime of a dicing blade is prolonged and chipping is suppressed at the edge of a chip on the bonding interface thereof.
圧力検出用のダイヤフラムが形成されたＳＯＩ基板とガラス基板とを接合したウェハをダイシングカットする半導体圧力センサの製造方法において、ダイシングブレードの長寿命化、及び、チップの接合界面におけるエッジ部の欠けの抑制を図る。 - 特許庁 - Since the substrate is retreated or carried to the first floor or second floor processing section carrying passages 25, 26 by the indexer 1 or the interface 4, the interference of substrates can be reduced and the treatment efficiency of the substrate can be enhanced.
このように連結されることで、インデクサ１またはインターフェイス４を介して基板を１階，２階の処理部搬送経路２５，２６に退避させる、あるいは搬送することで、基板同士の干渉を低減させることができ、基板の処理効率を向上させることができる。 - 特許庁 - To provide equipment and a method of depositing a thin film by chemical vapor deposition which enable obtaining a material having high permittivity (High-k) constituted of a metal oxide thin film on an Si substrate without oxidizing the interface with the Si substrate by small-sized equipment and at a low cost.
Ｓｉ基板上に金属酸化薄膜からなる誘電率の高い材料（High-k）をＳｉ基板との界面を酸化することなく小型で、かつ、コスト安に得ることができる化学気相成長法による薄膜堆積装置および堆積方法を提供すること。 - 特許庁 - To provide a ceramic substrate for electronic components, which reduces a coefficient of thermal expansion and reduces thermal stress at an interface between a wiring layer and the ceramic substrate, while assuring thermal conductivity and electric conductivity both required for the wiring layer, and to provide a method for manufacturing the same.
配線層として必要な伝熱性及び導電性を確保しつつ熱膨張率を低減し、配線層とセラミック基板との界面における熱応力を低減せしめた電子部品用セラミックス部品、及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁 - To provide a graft pattern material with superior adhesion with a substrate, reduced irregularities at the interface with a substrate, and useful property for the fabrication of a high-precision conductive pattern; its manufacturing method; a conductive pattern material employing the relevant manufacturing method; and its manufacturing method.
基板との密着性に優れ、基板との界面における凹凸が小さく、高精細の導電性パターンの形成に有用なグラフトパターン材料、その製造方法、及び、該製造方法を適用した導電性パターン材料とその製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide the manufacturing method of a semiconductor substrate, which is high in productivity, by optimizing BMD (bulk micro defect) forming process inside of a wafer and interface oxide film removing process, in the manufacturing method of the semiconductor substrate consisting of two sheets of semiconductor wafers joined directly.
２枚の半導体ウェーハが直接接合した半導体基板の製造方法であって、ウェーハ内部のＢＭＤ形成プロセスと、界面酸化膜除去プロセスを最適化することにより、生産性の高い半導体基板の製造方法を提供する。 - 特許庁
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