「substrate interface」を含む例文一覧(1149)
＜前へ 1 2 .... 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 次へ＞- According to this method, since the mobility of carriers is improved by the displacements of the Si atoms, an enough mobility of the carriers can be obtained even when the concentration of nitrogen present in the vicinity of the interface between the SiON film 3 and the Si substrate 1 is made high.
この方法によれば、Ｓｉ原子の変位によりキャリアの移動度が向上するため、ＳｉＯＮ膜３のＳｉ基板１との界面近傍の窒素濃度が高くても、十分なキャリアの移動度が得られる。 - 特許庁 - A ground line utilized by a VRAM 11, a display controller 13, and a D/A converter arranged on a signal generating substrate S3 is separated from a ground line utilized by an external interface connector 17.
信号生成基板Ｓ３上に配置されているＶＲΑＭ１１、ディスプレイコントローラ１３、Ｄ／Αコンバータ（図示せず）が利用するグランド線と外部インターフェイスコネクタ１７が利用するグランド線とを分離している。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing a single crystal SiC substrate, capable of obtaining an SiC layer having good crystallinity by uniforming an interface between an SiC layer and an embedded insulation layer such as SiO_2, at low cost and with excellent productivity.
ＳｉＣ層とＳｉＯ_２等の埋め込み絶縁層との界面を均一な状態にして結晶性のよいＳｉＣ層が得られ、しかも低コストで生産性のよい単結晶ＳｉＣ基板の製造方法を提供する。 - 特許庁 - On an assembled-circuits substrate in which the same circuits including a CPU are formed and segmented, the interface circuits of the output terminal connected to the individual units substrate in parallel is provided at the part other than portions on which the individual units are formed, and the output terminal of the write-in unit can be connected to the input terminal of the interface circuit.
１枚の回路基板上に、ＣＰＵを含む同一回路が形成されてなる個別ユニット基板が区画されて複数個形成されてなる組み回路基板において、前記回路基板上の前記個別ユニット基板が形成された部分を除く他の部分に、出力端子が該個別ユニット基板に並列的に接続されたインターフェイス回路を設け、該インターフェイス回路の入力端子に、書き込みユニットの出力端子を接続可能にしたものである。 - 特許庁 - To realize a method for laser ionization mass spectrometry that performs operations such as classification of spectra according to pulses and computation with use of a signal of ions (index ions) generated through interaction between pulse laser light and either the surface of a substrate or the interface between a sample and the substrate and thereby attempts to extract a desired signal and filter out undesirable background noise, and to realize a substrate for the sample.
パルスレーザー光と基板の表面または試料と基板の界面との相互作用により発生するイオン（指標イオン）の信号を利用してパルス毎のスペクトルに分類または演算などの操作を施し、望ましい信号の抽出や望ましくないバックグラウンドノイズの除去を行うようにしたレーザーイオン化質量分析法及びその試料用の基板を実現する。 - 特許庁 - The method peels the first substrate and the second substrate from the inside or interface of the peeling layer (3) of the multilayer substrate under a negative pressure.
本発明に係る剥離方法は、剥離層(3)とその上部に形成された半導体素子(55)とを有する第１基板(S1)と、前記第１基板の前記半導体素子形成面と接着層(18)を介して接合された第２基板（S2)とを有する積層基板(S)の剥離方法であって、負圧状態下で、前記積層基板の前記剥離層(3)の層内又は界面から前記第１基板と前記第２基板とを剥離する。 - 特許庁 - A semiconductor device is composed of a semiconductor substrate 10, a buffer layer 12 that is formed on the semiconductor substrate 10 while a lattice constant near the surface differs from that near the interface with the semiconductor substrate 10, and a quantum dot that is formed on the buffer layer 12 while a luminous wavelength is stipulated by a lattice constant near the surface of the buffer layer 12.
半導体基板１０と、半導体基板１０上に形成され、表面近傍における格子定数が半導体基板１０との界面近傍における格子定数とは異なるバッファ層１２と、バッファ層１２上に形成され、発光波長がバッファ層１２の表面近傍における格子定数によって規定された量子ドットとにより半導体装置を構成する。 - 特許庁 - An ohmic electrode structure has an SiC substrate 1, p-type SiC area 2 formed on the surface of the substrate 1, thermally reacted layer 8 formed on the surface of the area 2, thermally oxidized film 3 covering the interface between the substrate 1 and area 2, upper insulating film 4 arranged on the surface of the oxidized film 3, and electrode film 7 arranged on the reacted layer 8.
ＳｉＣ基板１、ＳｉＣ基板１の表面に形成されたｐ型ＳｉＣ領域２、このｐ型ＳｉＣ領域２の表面に形成された加熱反応層８、ＳｉＣ基板１とｐ型ＳｉＣ領域２との界面を覆う熱酸化膜３、熱酸化膜３の表面に配置された上部絶縁膜４、加熱反応層８の上部に配置された電極膜７とを有する。 - 特許庁 - The photomask comprises a transparent substrate 1, an antireflection structure formed by successively laminating a chromium oxide film 3, a chromium film 4 and a chromium oxide film 5 on the principal face side of the substrate 1, an LiF film 2 as an antireflection film formed on the interface between the chromium oxide film 3 and the substrate 1 and a spin-on glass film 6 formed on the surface of the chromium oxide film 5.
透明基板１と、この透明基板１の主面側に、酸化クロム膜３、クロム膜４及び酸化クロム膜５順次積層して形成された反射防止構造と、酸化クロム膜３表面であって透明基板１との界面に形成された反射防止膜としてのＬｉＦ膜２と、酸化クロム膜５表面に形成されたスピンオングラス膜６から構成される。 - 特許庁 - In an epitaxial crystal substrate for a gallium nitride field effect transistor, the epitaxial crystal formed on the substrate 101 comprises a highly pure first buffer layer 107, including a channel layer which is in contact with a side interface of the substrate between a gate layer 108, a second buffer layer 106, an insulating layer 104 having an opening 104A, and a p-type semiconductor crystal layer 103.
ＧａＮ系ＦＥＴ用エピタキシャル結晶基板において、下地基板１０１の上に設けられるエピタキシャル結晶が、ゲート層１０８の下地基板側界面に接するチャネル層を含む高純度な第１の緩衝層１０７と、第２の緩衝層１０６と、開口部１０４Ａを有する絶縁層１０４と、ｐ伝導型半導体結晶層１０３とを有している。 - 特許庁 - In addition, when a silicon nitride film exists as a diffusion preventing film in the interface between the high-K film and a silicon substrate, and a nitrogen-containing diffusion preventing film exists in the interface between the high-K film and an electrode, an ideal stable EOT and a low leakage current characteristic can be realized by adjusting the EOT to ≥0.7 nm.
また、Ｈｉｇｈ−Ｋ膜とＳｉ基板界面には拡散防止膜としてのＳｉ窒化膜が存在し、かつ、Ｈｉｇｈ−Ｋ膜と電極界面には窒素を含む拡散防止膜が存在する場合には、ＥＯＴが０．７ｎｍ以上で使用することにより、理想的な安定したＥＯＴと低いリーク電流特性を実現できる。 - 特許庁 - A compound thin film consists of a metal or an alloy containing one or more from among chromium, nickel, molybdenum, tungsten, titanium, niobium, tantalum, zirconium, hafnium, vanadium, silicon, and germanium; and nitrogen is formed as the intermediate layer 2A at the interface between a plastic substrate 1 and a copper seed layer 3, to improve the barrier effect of the interface and suppress the adhesion degradation due to the thermal load.
プラスチック基板１と銅シード層３との界面に、中間層２Ａとして、クロム、ニッケル、モリブデン、タングステン、チタン、ニオブ、タンタル、ジルコニウム、ハフニウム、バナジウム、けい素、ゲルマニウムのうち１種以上を含む金属または合金と窒素との化合物薄膜を形成することにより、界面のバリア効果を改善し、熱負荷での密着性劣化を抑制する。 - 特許庁 - The optical recording medium 10 includes: a recording layer 2 which is formed on a substrate 1 and made of a In-Co based alloy or an Sn-Co based alloy to record data by ablative recording; an interface layer 11 formed on the recording layer 2 and made of a tungsten oxide; and a light transmission layer 3 formed on the interface layer 11.
基板１上に形成され、Ｉｎ−Ｃｏ系合金又はＳｎ−Ｃｏ系合金から成り、穴あけ記録により記録が行われる記録層２と、この記録層２上に形成され、タングステン酸化物から成る界面層１１と、この界面層１１上に形成された光透過層３とを含む光記録媒体１０を構成する。 - 特許庁 - When a silicon nitride film as the diffusion preventing film exists on the interface of the High-K film and silicon substrate and the diffusion preventing film containing nitrogen exists on the interface of the High-K film and electrode, an ideally stable EOT and small leakage current characteristics can be achieved, by using EOT of 0.7 nm or larger.
また、Ｈｉｇｈ−Ｋ膜とＳｉ基板界面には拡散防止膜としてのＳｉ窒化膜が存在し、かつ、Ｈｉｇｈ−Ｋ膜と電極界面には窒素を含む拡散防止膜が存在する場合には、ＥＯＴが０．７ｎｍ以上で使用することにより、理想的な安定したＥＯＴと低いリーク電流特性を実現できる。 - 特許庁 - The substrates under the state stuck together are then heated at a relatively low temperature of 120-250°C (not exceeding the melting point of a supporting substrate), and an external impact is applied thereto thus exfoliating a silicon crystal film along the hydrogen ion implantation interface 12 of the single crystal Si substrate 10 in the substrates stuck together after heat treatment.
貼り合わせた状態の基板を１２０℃以上２５０℃以下（但し、支持基板の融点を超えない温度）の比較的低い温度で加熱し、さらに、外部衝撃を付与することで、熱処理後の貼り合せ基板の単結晶Ｓｉ基板１０の水素イオン注入界面１２に沿ってＳｉ結晶膜を剥離する。 - 特許庁 - The semiconductor device is provided, on the principal surface of a substrate, with a group III nitride semiconductor layer formed by epitaxial growth, an active element arranged on the group III nitride semiconductor layer, and an insulated region provided to include at least a part of the interface between the group III nitride semiconductor layer and the substrate.
基板の主面上に、エピタキシャル成長により形成された３族窒化物半導体層と、前記３族窒化物半導体層上に配置された能動素子と、絶縁性であり、前記３族窒化物半導体層と前記基板との界面の少なくとも一部を含むように設けられた絶縁化領域と、を具備する。 - 特許庁 - In the method of testing the semiconductor device to determine an interface state density of a MIS transistor formed on a semiconductor substrate 1 by using the charge pumping method, first, a value of a first current made to flow to the semiconductor substrate by applying a first measurement signal composed of continuous pulse waves to a gate of the MIS transistor is measured.
チャージポンピング法を用いて、半導体基板上に形成されたＭＩＳ型トランジスタの界面準位密度を求める半導体装置の評価方法において、まず、パルス波が連続してなる第１の測定信号をＭＩＳ型トランジスタのゲートに印加して前記半導体基板に流れる第１の電流値を測定する。 - 特許庁 - To provide a high-quality semiconductor substrate that has improved heat dissipation, can improve reflection properties of a base material to light at a short-wavelength region such as ultraviolet rays, and prevents an interface reaction layer from being formed between a group III nitride semiconductor layer and the metal base material, and to provide a manufacturing method of the semiconductor substrate.
熱放散が良好でかつ紫外光等の短波長領域の光に対する基材の反射性を向上することができ、III族窒化物の半導体層と金属の基材との間に界面反応層が形成されない高品質な半導体基板とその製造方法を提供する。 - 特許庁 - Included are a floating gate pattern formed in a cell region of a semiconductor substrate, a dummy floating gate pattern formed in an interface region at a periphery of the cell region and extended from the floating gate pattern, and a control gate pattern crossing the floating gate pattern in the cell region of the semiconductor substrate.
半導体基板のセル領域に形成されたフローティングゲートパターンと、前記セル領域周辺の前記インターフェース領域に形成されて、前記フローティングゲートパターンから延長されたダミーフローティングゲートパターン及び前記半導体基板のセル領域で、前記フローティングゲートパターンと交差するコントロールゲートパターンを含めることを特徴とする。 - 特許庁 - A method of manufacturing the field-effect transistor comprises a step of forming an oxide film 14 on a silicon substrate 12, a step of forming a polysilicon electrode film 16 on the oxide film 14, and a step of supplying deuterium ions to the interface between the oxide film 14 and silicon substrate 12 through the polysilicon electrode film 16 by means of an ion implanter.
本発明は、シリコン基盤１２上に酸化膜１４を形成するステップと、酸化膜１４の上にポリシリコン電極膜１６を形成するステップと、ポリシリコン電極膜１６を介して、酸化膜１４とシリコン基盤１２との界面に、イオン注入機により重水素イオンを供給するステップとにより構成される。 - 特許庁 - Since the oxide interfacial layer 12 which is thermally stable and has an even thin thickness is interposed on the interface between the oxide single crystal substrate 11 and the InGaN semiconductor layer 13, the InGaN semiconductor layer 13 can be formed at a high temperature on the oxide single crystal substrate 11, and thus the InGaN semiconductor layer of a high quality can be obtained.
酸化物単結晶基板１１とInGaN半導体層１３界面に熱的に安定で薄くて均一な酸化物界面層１２を形成することにより、酸化物単結晶基板１１上に高温でInGaN半導体層１３を形成することができ、高品質のInGaN半導体層が得られる。 - 特許庁 - The circularly polarized light controlling optical element 10 is obtained by adding a chiral agent and a photo-polymerization initiator to liquid crystal molecules with cholesteric regularity and applying them on a glass substrate 12, on which an alignment layer 16 is formed, and by hardening them with weak ultraviolet ray irradiation in the state in which the interface of the side opposite to the glass substrate 12 is exposed to the air.
配向膜１６が形成されたガラス基板１２上にコレステリック規則性を備えた液晶分子を、カイラル剤及び光重合開始剤を添加して塗布し、ガラス基板１２と反対側の界面を空気に暴露した状態で弱い紫外線で照射して硬化し、円偏光制御光学素子１０を得る。 - 特許庁 - The sliding member 12 comprises: an intermediate layer 13 which has a mixed part 14 formed in an interface between a substrate 1 and a Si-containing carbon film 13a formed on the surface of the substrate 1, by implanting ions into the Si-containing carbon film 13a; and the hard carbon film 15 with a predetermined film thickness formed on the surface of the intermediate layer 13.
基材１の表面に形成したＳｉ含有炭素膜１３ａに対してイオン注入を行い基材１との界面にミキシング部１４を形成させた中間層１３と、中間層１３の表面に所定の膜厚で形成した硬質炭素膜１５とを備えた摺動部材１２とする。 - 特許庁 - In a substrate processing system for controlling a plurality of substrate processing apparatuses in a centralized manner through a group control device 20, the group control device 20 acquires various parameters from a comparison source apparatus A1 and a comparison destination apparatus A2 via a communication interface and displays an apparatus parameter collective comparison screen 40 on a display device 25.
複数台の基板処理装置を群管理装置２０によって集中管理する基板処理システムにおいて、群管理装置２０は比較元装置Ａ１と比較先装置Ａ２から各種パラメータを通信インタフェースを介して取得し、装置パラメータ一括比較画面４０を表示装置２５に表示させる。 - 特許庁 - To suppress deterioration of a resin part even if the resin part exists on the surface of a substrate by controlling oxygen concentration in a film-forming device and suppress occurrence of a large interface resistance between the conductive substrate and a conductive film when they are electrically connected.
成膜装置内の酸素濃度を制御することにより、基板の表面に樹脂部が存在していても樹脂部の劣化を抑制することができ、また、導電性の基板と導電性膜が電気的に接続される場合、それらの間に大きな界面抵抗が生じるのを抑制することができるようにすること。 - 特許庁 - In the interface unit part IFU, a down flow DF in which temperature control is performed is constituted so as to directly act to at least the substrate carrying outlet 19, a delivering part 4, or a receiving part 5, and heat transmission from the substrate carrying outlet 19, the delivering part 4, or the receiving part 5 is constituted so as to be relieved.
インタフェースユニット部ＩＦＵ内は少なくとも基板搬入出口１９或いは渡し部４或いは受取部５に対して温度調節されたダウンフローＤＦが直接作用するように構成され、基板搬入出口１９或いは渡し部４或いは受取部５からの熱伝達を緩和するように構成されている。 - 特許庁 - In the semiconductor epitaxial wafer formed by epitaxially growing a semiconductor thin film on a semiconductor substrate, a ratio of sheet concentration D_C/D_S by a secondary ion mass spectrometry (SIMS) of carbon (C) and silicon (Si) present in the interface between the semiconductor substrate and the semiconductor thin film is 20 or higher.
半導体基板上に半導体薄膜をエピタキシャル成長させてなる半導体エピタキシャルウェハにおいて、半導体基板と半導体薄膜の界面に存在する炭素（Ｃ）及びケイ素（Ｓｉ）の二次イオン質量分析法（ＳＩＭＳ：Secondary Ion Mass Spectrometry）によるシート濃度の比Ｄ_ｃ／Ｄ_ｓが２０以上となるようにする。 - 特許庁 - For this reason, even when an electronic component, having such a structure that surface mounting components have been mounted and sealed on a wiring substrate, has been heated, the intrusion of the solder material into the interface between the wiring substrate having the surface mounting components thereon and the sealing material is suppressed, and the failure due to a short circuit, etc. can be prevented.
このため表面実装部品を配線基板に実装して封止した構造の電子部品が加熱されても、配線基板及び表面実装部品と封止材料との間の界面にはんだ材料が侵入することが抑えられるので、電極間の短絡等による故障が防がれる。 - 特許庁 - To provide a method of forming a metallic pattern which can form a fine metallic pattern, is excellent in adhesiveness with a substrate, has sufficient conductivity, and can form the metallic pattern with the small irregularity of an interface with the substrate, and to provide a printed wiring board using it as a conductive layer and a TFT wiring circuit.
微細な金属パターンの形成が可能で、基板との密着性に優れ、十分な導電性を有し、基板との界面の凹凸が小さい金属パターンが形成可能な金属パターン形成方法、及び、それを導電層として用いたプリント配線基板及びＴＦＴ配線回路の提供。 - 特許庁 - The metal paste printing method comprises a process of arranging a metal mask 13 on a substrate 11 so that each through-hole 10 is located of the metal mask 13 having through-holes 10 on each electrode 12 and forming gap parts 13a communicated with the through-holes 10 on an interface between the substrate 11 and the metal mask 13.
金属ペースト印刷方法においては、貫通孔１０を有するメタルマスク１３の貫通孔１０が電極１２上に位置するようにメタルマスク１３を基板１１上に配置するとともに、基板１１とメタルマスク１３との界面に貫通孔１０に連通する間隙部１３ａを形成する工程を含んでいる。 - 特許庁 - A downflow DF whose temperature is controlled acts directly to at least the substrate carry-in/out port 19, or the delivering part 4, or the receiving part 5 inside the interface unit portion IFU, and heat transfer from the substrate carry-in/out port 19, or the delivering part 4, or the receiving portion 5 is relaxed.
インタフェースユニット部ＩＦＵ内は少なくとも基板搬入出口１９或いは渡し部４或いは受取部５に対して温度調節されたダウンフローＤＦが直接作用するように構成され、基板搬入出口１９或いは渡し部４或いは受取部５からの熱伝達を緩和するように構成されている。 - 特許庁 - Consequently, the interface level between the silicon oxide film and the silicon substrate is reduced, through current between the silicon oxide film and the silicon substrate causing charges is suppressed, deterioration of the silicon oxide film is prevented and long term reliability of the semiconductor device is enhanced while increasing the yield thereof.
これによりシリコン酸化膜とシリコン基板界面の界面準位が低減され、チャージが要因となるシリコン酸化膜とシリコン基板の間の貫通電流が抑制され、シリコン酸化膜の劣化を防止し、半導体装置の歩留まりを向上し、かつ、半導体装置の長期信頼性を向上することが可能となる。 - 特許庁 - In the method for transferring an element 3 arranged on a first substrate to a second substrate 5, an adhesive means 2 is used in place of a bonding material to form a transfer layer in the prior art, and a process to enhance peeling property of the adhesive means 2 and to enhance releasability at the interface between the adhesive means and the other material is provided additionally.
第１の基板１上に配された素子３を第２の基板５へ転写する方法において、従来の転写層を形成する接着材のかわりに粘着手段２を用いるとともに、粘着手段２の剥離性や、粘着手段と他の材料との界面における離型性を高める処置を付加する。 - 特許庁 - A capacitor having a ferroelectric film (capacitor film) 302 that is formed above a semiconductor substrate and is sandwiched between an upper electrode 303 and a lower electrode 301, wherein a conductive oxide film 303a, which is crystallized at deposition, is provided on an interface between the upper electrode 303 and the ferroelectric film 302, thus evading the formation of an interface layer with coarsened crystal grains in the interface between the upper electrode 303 and the ferroelectric film 302.
半導体基板の上方に形成され、上部電極３０３と下部電極３０１との間に強誘電体膜（キャパシタ膜）３０２が挟持されてなるキャパシタにおいて、上部電極３０３の強誘電体膜３０２との界面に、成膜の時点で結晶化されている導電性酸化物膜３０３ａを設けるようにして、上部電極３０３と強誘電体膜３０２との界面に、結晶粒が粗大化した界面層が形成されてしまうのを回避する。 - 特許庁 - Al is deposited through a CVD method on the entire surface of a resultant substrate, having the interface adjustment layer 42 formed therein to form a contact lug within the contact hole and also to form a wiring layer on the film 20 connected with the plug.
界面調節層が形成された結果物上にＣＶＤ方法によってＡｌを全面蒸着してコンタクトホール内にコンタクトプラグを形成すると同時に層間絶縁膜上にコンタクトプラグと連結される配線層を形成する。 - 特許庁 - To increase the effective dielectric constant of a gate insulating film by manufacturing a layer where the density of mixed elements is increased at the interface of a semiconductor substrate and a gate insulating film, and to reduce physical film thickness necessary at the gate insulating film.
半導体基板とゲート絶縁膜の界面部分に、混入元素の濃度を高めた層を作製することでゲート絶縁膜の実効誘電率を高め、ゲート絶縁膜として必要な物理膜厚を低減することを目的とする。 - 特許庁 - A heating section for heat-treating an exposed substrate is provided in a development processing block 4, thus preventing thermal influence to the projection aligner STP by interposing an interface block 5 between the heating section and the projection aligner STP.
露光された基板を加熱処理する加熱部を現像処理ブロック４に設けることにより、この加熱部と露光装置ＳＴＰとの間にインターフェイスブロック５を介在させて、露光装置ＳＴＰに熱的影響が及ばないようにする。 - 特許庁 - To provide a carbon film which suppresses a residual stress on the interface between a carbon film and a substrate, prevents cracks or peeling of the carbon film and stably maintains performances, a production method of the carbon film, and a CMP (chemical mechanical polishing) pad conditioner.
炭素膜と基材との界面における残留応力を抑制し、炭素膜のクラックや剥離を防止し、性能が安定して確保される炭素膜、炭素膜の製造方法及びＣＭＰパッドコンディショナーを提供する。 - 特許庁 - An HDPO process generally generates plasma using an inductively and/or capacitively coupled RF energy transmitting device, controls the plasma generated on a substrate, and injects a gas containing an oxidizing source to grow an interface layer.
ＨＤＰＯ処理は、一般的に、誘導及び／又は容量結合ＲＦ伝達デバイスを用いてプラズマを発生し、基板上で発生したプラズマを制御し、また酸化源を含有するガスを注入して界面層を成長させる。 - 特許庁 - The display device includes a liquid crystal layer 22 and a pair of substrates 12 and 14 between which the liquid crystal layer 22 is sandwiched, where a liquid crystal molecule state in the vicinity of the substrate side interface of the liquid crystal layer 22 is fixed irrespective of a voltage applied to the liquid crystal layer.
液晶層22と、液晶層22を挟持する一対の基板12,14と、を有し、液晶層22の基板側界面近傍における液晶分子の状態が、液晶層に印加される電圧によらず固定されている。 - 特許庁 - To suppress an occurrence of a crystal defect, an interface state density or the like at a main surface side of a semiconductor substrate in a method for manufacturing an element isolation in a semiconductor memory or a semiconductor arithmetic processing unit.
本発明は半導体記憶装置や半導体演算処理装置における素子分離の製造方法に関し、半導体基板の主表面側における結晶欠陥や界面準位等の発生を抑制することを目的とする。 - 特許庁 - To achieve a semiconductor device reducing a junction leakage current caused by a defective caused on an interface between a silicon mixed crystal layer and a substrate in an MIS transistor equipped with the silicon mixed layer for introducing distortion into a channel.
チャネルに歪みを導入するためのシリコン混晶層を備えたＭＩＳトランジスタにおいて、シリコン混晶層と基板との界面に発生する欠陥に起因する接合リーク電流を低減した半導体装置を実現できるようにする。 - 特許庁 - In the separating step, a crack C is formed in a separation layer 103 or in the interface thereof by deforming the elastic body 108 coupled with the chip 104a and the chip 104a is separated from a seed substrate 101.
分離工程では、チップ１０４ａに結合された弾性体１０８を変形させることによって分離層１０３中又は分離層１０３の界面に亀裂Ｃを形成し、チップ１０４ａをシード基板１０１から分離する。 - 特許庁 - To prevent the peeling generated in the interface between a relaxation resin and a sealing resin, in a resin-sealed semiconductor device wherein its electronic element having a surface coated with the relaxation resin is so supported on its substrate as to mold the whole thereof by the sealing resin.
表面に緩和樹脂が塗布された電子素子が基板に支持され、その全体が封止樹脂にてモールドされた樹脂封止型半導体装置において、緩和樹脂と封止樹脂との界面における剥離を防止すること。 - 特許庁 - To provide a laminate substrate using conductive paste having a low melting point metal, which does not cause a void on an interface between copper foil and the conductive paste having the low melting point metal and is highly reliable in connection.
低融点金属を含む導電性ペーストを使用した積層回路基板において、銅箔と低融点金属を含む導電性ペーストとの界面にボイドが発生せず、接続信頼性の高い積層回路基板を提供する。 - 特許庁 - To provide a capacitive sensor which realizes a structure not having a feedthrough in the junction interface of a substrate, which eliminates the mixture of a foreign body into the inside of a cavity, which prevents a malfunction due to the mixture of the foreign body and whose reliability can be enhanced.
基板の接合界面にフィードスルーのない構造を実現して、キャビティ内部へに異物の混入をなくし、この異物の混入による誤動作を防止して信頼性を向上させ得る静電容量型センサを提供する。 - 特許庁 - At this time, the fifth step is performed while such a flux ratio (V/III ratio) of a group V raw material to a group III raw material that a propagation direction in the interface between the reversed region and the non-reversed region is substantially the normal direction of the substrate is held.
この際、第５のステップは、Ｖ族原料とIII族原料のフラックス比（Ｖ／III比）を反転領域と非反転領域との間の界面の伝搬方向が実質的に基板の法線方向となるフラックス比を保持して行われる。 - 特許庁 - To provide a method of producing an SiC semiconductor element having good characteristics by removing carbon clusters which occur in a MOS interface during thermal oxidation of a silicon carbide semiconductor substrate and which reduce, for example, mobility of a silicon carbide MOSFET.
炭化けい素半導体基板の熱酸化時にＭＯＳ界面に生じ、例えば炭化けい素ＭＯＳＦＥＴの移動度を低下させるカーボンクラスタを除去し、良好な特性のＳｉＣ半導体素子を作成する方法を提供する。 - 特許庁 - Consequently, when atmospheric gas is transmitted through the gap 12 between the substrate 4 and cap 5, the interface airtight member 9 stops it, so the reflector 3 in the recess 40 is neither oxidized nor sulfurized to maintain high reflectivity.
これにより、大気ガスが基板４とキャップ５との隙間１２を透過する際、界面気密部材９により阻止されるので、凹部４０内のリフレクタ３が大気ガスにより酸化、硫化することがなく、高い反射率を維持することができる。 - 特許庁 - In the case where the projection 52 is detected, when an abnormality is detected on the interface part, it can be determined that the projection 52 is caused by an abnormality generated on the transparent substrate 54, and that the abnormality is generated before film formation.
突起５２が検出された場合において、前記界面部に異常が検出されたときに突起５２の原因が透明な基板５４上に生じた異常にあると判定でき、その異常が成膜前に生じたと判断できる。 - 特許庁
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