「substrate interface」を含む例文一覧(1149)
＜前へ 1 2 .... 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 次へ＞- The substrate treatment equipment 500 comprises an indexer block 9, a treatment block 10 for antireflection film, a processing block 11 for a resist film, a developing block 12, a treatment block 13 for a resist cover film, a block 14 for removing the resist cover film and an interface block 15.
基板処理装置５００は、インデクサブロック９、反射防止膜用処理ブロック１０、レジスト膜用処理ブロック１１、現像処理ブロック１２、レジストカバー膜用処理ブロック１３、レジストカバー膜除去ブロック１４およびインターフェースブロック１５を備える。 - 特許庁 - To enlarge the area of pn junction interface by preventing the short circuit between an n-electrode and a p-type nitride semiconductor layer and reducing the area of occupation of the n-electrode, in a pn junction type nitride semiconductor element made on an insulating substrate.
絶縁基板上に形成されたｐｎ接合型窒化物半導体素子において、ｎ電極とｐ型窒化物半導体層の短絡を防止すると共にｎ電極の占有面積を減少することにより、ｐｎ接合界面の面積を広げる。 - 特許庁 - In a thin film transistor on a glass substrate, the number of atoms is set at 3×1011/cm2 or less for any impurity element existing on the interface between the channel region 13a of a p-Si thin film 13 and a gate insulation film 14.
ガラス基板上の薄膜トランジスタにおいて、ｐ−Ｓｉ薄膜１３のチャネル領域１３ａとゲート絶縁膜１４との界面に存在する不純物元素のいずれについても、その原子数量が１ｃｍ^2当たり３×１０^11個以下とする。 - 特許庁 - The upper surface of the film 4 is positioned at the level of the main surface of the substrate 1 or is positioned under the level of the main surface and is positioned over the level of the junction interface between the regions 2 and 11b.
分離絶縁膜４の上部表面は、半導体基板の主表面のレベルとほぼ同じか、主表面のレベルより下に位置し、かつ、第１導電型領域２と第２導電型領域１１ｂとの接合界面よりも上に位置する。 - 特許庁 - By this Ge ion injection, the Ge bonding state of the Ge epitaxial film 11 in the vicinity of the interface with the Si substrate is collapsed to form an amorphous region 13, while maintaining the single crystal property of the surface region of the Ge epitaxial film.
このＧｅイオン注入により、Ｇｅエピタキシャル膜表面領域の単結晶性を維持しつつ、Ｓｉ基板１０との界面近傍のＧｅエピタキシャル膜１１のＧｅ結合状態が崩れてアモルファス領域１３が形成されることとなる。 - 特許庁 - To provide a surface modification method whereby a high-quality silicon oxynitride film with decreased damage is formed in a short treatment time by sufficiently decreasing the nitrogen concentration at the interface between a silicon oxide film and a silicon substrate and increasing the nitrogen concentration in the silicon oxide film.
シリコン酸化膜とシリコン基板界面の窒素濃度を十分小さくし、かつ、シリコン酸化膜中の窒素濃度を高め、ダメージを減らした高品位のシリコン酸窒化膜を、短い処理時間で生成する表面改質方法を提供する。 - 特許庁 - This semiconductor device includes nitrogen in a gate insulation film 205 of an insulated gate field effect transistor formed in a region of width less than 1.5 μm in the length direction of the gate, and in the interface between a semiconductor substrate 201 and the gate insulation film 205.
この半導体装置は、ゲート長手方向の幅が１.５μｍ以下の領域に形成された絶縁ゲート型電界効果型トランジスタのゲート絶縁膜２０５中および、半導体基板２０１とゲート絶縁膜２０５界面に窒素を含む。 - 特許庁 - To provide a method and a device for detecting parameters of a liquid crystal element with which a twist angle and thickness of the liquid crystal element are accurately detected even in the case of the liquid crystal element of which the azimuth angles of directors of liquid crystal molecules on a substrate interface are unknown.
基板界面での液晶分子のダイレクタの方位角が未知の液晶素子であっても、液晶素子の捩れ角や厚さを正確に検出することができる液晶素子のパラメータ検出方法及び検出装置を提供する。 - 特許庁 - To provide a counter electrode for a dye-sensitized solar cell, having ample high adhesion with a substrate that has low wettability, low interface resistance, and superior cell characteristics, and to provide a dye-sensitized solar cell using it.
濡れ性の悪い基体に対し十分に高い密着性を有し、界面抵抗が低くより高い導電性を示し、優れた電池特性を示す色素増感太陽電池対極及びそれを用いた色素増感太陽電池を提供する。 - 特許庁 - (1) The phase transition type optical recording medium has, on a substrate, at least a phase transition recording layer consisting essentially of Sb and containing Ge and Sn and/or In and an interface layer coming in contact with the recording layer and consisting essentially of a nitride or a carbide.
（１）基板上に少なくとも、Ｓｂを主成分としＧｅとＳｎ及び／又はＩｎを含有する相変化記録層、並びに該記録層と接し、窒化物又は炭化物を主成分とする界面層を有する相変化型光記録媒体。 - 特許庁 - The substrate processing equipment 300 comprises an indexer block 9, an antireflection film processing block 10, a resist film processing block 11, a development processing block 12, a resist cover film processing block 13, a resist cover film removing block 14, and a first interface block 15.
基板処理装置３００は、インデクサブロック９、反射防止膜用処理ブロック１０、レジスト膜用処理ブロック１１、現像処理ブロック１２、レジストカバー膜用処理ブロック１３、レジストカバー膜除去ブロック１４および第１のインターフェースブロック１５を備える。 - 特許庁 - The substrate treating device 500 includes an indexer block 9, a treatment block 10 for reflection prevention films, a treatment block 11 for resist films, a development treatment block 12, a treatment block 13 for resist cover films, a resist cover film removal block 14, and an interface block 15.
基板処理装置５００は、インデクサブロック９、反射防止膜用処理ブロック１０、レジスト膜用処理ブロック１１、現像処理ブロック１２、レジストカバー膜用処理ブロック１３、レジストカバー膜除去ブロック１４およびインターフェースブロック１５を備える。 - 特許庁 - To provide a silicon carbide semiconductor device, which can greatly lower an interface level between a silicon carbide substrate and a silicon dioxide film by using a practical process being superior in mass productivity, and which is superior in reliability and electric characteristics as a device.
量産性に優れた実用的なプロセスを用いて、炭化珪素基板と二酸化珪素膜との間の界面準位を大幅に低減することができ、デバイスとしての信頼性と電気特性が優れた炭化珪素半導体装置を提供する。 - 特許庁 - To provide a semiconductor element, a semiconductor device, a semiconductor wafer, and a method of growing semiconductor crystal such that warpage of a substrate is suppressed and an influence of interface reflection is reduced to achieve high light extraction efficiency and high internal light emission efficiency.
本発明は、基板の反りを抑制し、界面反射の影響を低減して高光取り出し効率と高内部発光効率とを実現できる半導体素子、半導体装置、半導体ウェーハ及び半導体結晶の成長方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing an SiC semiconductor element, having a satisfactory characteristic by removing a carbon cluster which is generated in a MOS interface in the thermal oxidation operation of a carbide semiconductor substrate and which lowers the mobility of, e.g. a silicon carbide MOSFET.
炭化けい素半導体基板の熱酸化時にＭＯＳ界面に生じ、例えば炭化けい素ＭＯＳＦＥＴの移動度を低下させるカーボンクラスタを除去し、良好な特性のＳｉＣ半導体素子を作製する方法を提供する。 - 特許庁 - In a process in which an interface including an insulation layer composed of an insulation membrane covering a TFT on a substrate and a flattened membrane, an electrode and pixel separation membrane or the like is formed, a dehydration treatment is carried out in an environment where a dew-point temperature is controlled at -60°C or lower.
基板上のＴＦＴを覆う絶縁膜と平坦化膜からなる絶縁層や、電極、画素分離膜等を含むインターフェースを形成する工程において、露点温度を−６０℃以下に管理した環境下で脱水処理を行う。 - 特許庁 - The substrate-treating device 500 comprises: an indexer block 9; a treatment block 10 for reflection prevention films; a treatment block 11 for resist films; a development treatment block 12; a treatment block 13 for resist cover films; a removal block 14 of resist cover films; and an interface block 15.
基板処理装置５００は、インデクサブロック９、反射防止膜用処理ブロック１０、レジスト膜用処理ブロック１１、現像処理ブロック１２、レジストカバー膜用処理ブロック１３、レジストカバー膜除去ブロック１４およびインターフェースブロック１５を含む。 - 特許庁 - To add a metal capable of forming an electric dipole for reducing a threshold voltage at the interface of an oxide film formed on the surface of a semiconductor substrate and a high electric constant insulating film, while suppressing increase in EOT and decrease in carrier mobility.
ＥＯＴの増大及びキャリア移動度の低下を抑制しつつ、半導体基板表面に形成されている酸化膜と高誘電率絶縁膜との界面に、しきい値電圧を低減する電気双極子を形成可能な金属を添加する。 - 特許庁 - To provide a crystal Si solar battery electrode that can reduce a resistance for having a sufficient sintering property in a general production process of a crystal Si-type solar battery, and has a small resistance of an interface with a Si substrate at low cost.
安価で、結晶Ｓｉ型太陽電池の一般的な作製プロセスにおいて十分な焼結性を有するため低抵抗化が実現でき、Ｓｉ基板との間の界面抵抗が少ない結晶Ｓｉ太陽電池用電極を提供する。 - 特許庁 - To provide a manufacturing method of a semiconductor device which is not reduced in the nitrogen introducing amount, suppressed in the introduction of damage to an insulating film, and is suppressed in an increase of the nitrogen concentration at the interface between the insulating film and a semiconductor substrate.
窒素導入量を低減させることなく、絶縁膜へのダメージの導入を抑制し、かつ絶縁膜と半導体基板との界面における窒素濃度の増大を抑制することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing a semiconductor light-emitting device, which suppresses the occurrence of a void on a bonding interface between a light-emitting operation layer and a support substrate to prevent luminous efficiency, lifetime and bonding strength from decreasing; and to provide the semiconductor light-emitting device.
発光動作層と支持基板との接合界面においてボイドの発生を抑制し、発光効率、寿命及び接合強度の低下を防止することができる半導体発光装置の製造方法及び半導体発光装置を提供する。 - 特許庁 - To provide an electromagnetic wave shielding sheet having high shielding power which can be produced inexpensively through a simple process and in which scattering of light does not take place on the interface of a substrate and an adhesive because no adhesive is used and a high light transmittance is ensured.
接着剤を用いないことで、基材と接着剤との界面の光散乱のない、また高い光線透過率を有し、かつ低コストで簡易な工程で製造でき、高い電磁波遮蔽能を有した電磁波遮蔽シートを提供する。 - 特許庁 - A network switch apparatus, components for such an apparatus, and methods of operating such an apparatus in which data flow handling and flexibility is enhanced by the cooperation of a control point and a plurality of interface processors formed on a semiconductor substrate.
制御点と、半導体基板上に形成される複数のインタフェース・プロセッサとの協働により、データ・フロー処理及び柔軟性が向上されるネットワーク・スイッチ装置、こうした装置のコンポーネント、及びこうした装置を操作する方法が開示される。 - 特許庁 - After that, when the pattern 4 is regrown by an MOCVD device, Ga and N are adsorbed into the surface of the Ni thin-film pattern 4, captured into the inside and reach interface with the substrate 1, while diffusing.
その後、再びＭＯＣＶＤ装置で成長させると、Ｎｉ薄膜パターン４の表面にＧａとＮとが吸着され、内部に取込まれて拡散しつつ基板１との界面に達し、ここで互いに結合してＧａＮ単結晶５を形成する（図１（ｃ））。 - 特許庁 - To provide a membrane magnet capable of restraining strain and stress generated at an interface between a membrane magnet material and a substrate and preventing degradation of magnetic characteristics which was one of conventional problems, and to provide a radial gap type rotating machine therewith.
膜磁石材と基板の界面に生じる歪みや応力を低く抑えることができるとともに、従来問題となっていた磁気特性の劣化を防ぐことのできる膜磁石、ならびにこれを用いたラジアルギャップ型回転機を提供すること。 - 特許庁 - To provide a semiconductor device and a semiconductor device manufacturing method that suppress the oxide film growth of a semiconductor crystal substrate interface and include a high dielectric constant crystal thin film and a high dielectric constant epitaxial thin film of high quality.
半導体結晶基板界面の酸化膜成長を抑制するとともに、高品質な高誘電率結晶薄膜、高誘電率エピタキシャル薄膜を有する半導体装置の製造方法並びに半導体装置を提供することを課題とする。 - 特許庁 - Satisfactory sensitivity can be obtained, while preventing a reaction layer insoluble in a developer from being formed in the interface between the under layer 2 and the inorganic resist layer 3 at exposure by providing the under layer 2 between the substrate 1 and the inorganic resist layer 3.
基板１と無機レジスト層３との間に下地層２を設けることにより、良好な感度を得ることができると共に、露光時に下地層２と無機レジスト層３との界面に現像液に不溶な反応層が形成されることを防止できる。 - 特許庁 - A boron photodiode region 135 is formed in a region selected in a semiconductor substrate 100, and an As photodiode region 145 is formed beneath the boron photodiode region 135 so as to come into contact with an interface of the boron photodiode region 135.
半導体基板１００の選択された領域にボロンフォトダイオード領域１３５が形成され、このボロンフォトダイオード領域１３５の界面と接するようにボロンフォトダイオード領域１３５の下部にＡｓフォトダイオード領域１４５が形成される。 - 特許庁 - To provide a photocatalyst of which the surface exhibits photocatalytic activities and/or hydrophilicity for a long time by irradiation with light without causing deterioration in the interface between the photocatalyst and an organic substrate and which is excellent in durability to maintain high transparency.
有機基材との間の界面劣化を生じることが無く、光照射により長期にわたり、その表面が光触媒活性及び／又は親水性を発現し、高い透明性を維持する耐久性に優れた光触媒体を提供する。 - 特許庁 - In the case that light is transmitted by the liquid crystal layer 30, the light incident from the liquid crystal layer 30 bypasses the pixel electrode 11 and the first substrate 10 and is absorbed in the light absorption layer 12, and reflection of the incident light on the interface is reduced.
液晶層３０により光が透過される場合には、液晶層３０からの入射光が画素電極１１および第１基板１０を介さずに光吸収層１２に吸収され、界面における入射光の反射が低減される。 - 特許庁 - The silicide layer has an interface layer (5) composed of the silicide of at least one kind of metal selected from a group of Er, Gd, Tb, Dy, Ho, Tm, Yb, Lu, and Pt formed on the surface with the semiconductor substrate.
前記シリサイド層は、前記半導体基板との界面にＥｒ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ、およびＰｔからなる群から選択される少なくとも１種の金属のシリサイドからなる界面層（５）を有することを特徴とする。 - 特許庁 - To provide an organic electroluminescent device for achieving a longer life, a lower profile and a lighter weight by suppressing the entry of oxygen and water into the sealed end, particularly, an adhesive layer itself, and an interface between the adhesive layer and a substrate for a long period, and also to provide its method for manufacturing.
封止端部、特に接着層そのものと、接着層と基板との界面において、酸素や水の浸入を長期にわたり抑制し、長寿命な薄型・軽量の有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁 - The substrate processor 500 includes an indexer block 9, an anti-reflection film processing block 10, a resist film processing block 11, a development block 12, a resist cover film processing block 13, a resist cover film removing block 14, and an interface block 15.
基板処理装置５００は、インデクサブロック９、反射防止膜用処理ブロック１０、レジスト膜用処理ブロック１１、現像処理ブロック１２、レジストカバー膜用処理ブロック１３、レジストカバー膜除去ブロック１４およびインターフェースブロック１５を備える。 - 特許庁 - The substrate processing apparatus 500 includes: an indexer block 9, an anti-reflection film processing block 10, a resist film processing block 11, a development processing block 12, a resist cover film processing block 13, a resist cover film removal block 14 and an interface block 15.
基板処理装置５００は、インデクサブロック９、反射防止膜用処理ブロック１０、レジスト膜用処理ブロック１１、現像処理ブロック１２、レジストカバー膜用処理ブロック１３、レジストカバー膜除去ブロック１４およびインターフェースブロック１５を含む。 - 特許庁 - To provide a method for forming a metallic pattern that can form a minute metallic pattern without performing an etching process, and a metallic pattern having a high adhesion property to a substrate, little uneveness at its interface with the substrate, enough conductivity, and high insulation in a region where the metallic pattern does not exist.
エッチング工程を行なうことなく微細な金属パターンの形成が可能であり、且つ基板との密着性が高く、基板との界面における凹凸が小さく、充分な導電性を有すると共に、金属パターンの存在しない領域における絶縁性が高い金属パターンを形成しうる金属パターン形成方法を提供する。 - 特許庁 - In the method of reducing the stress of the oxide film formed on the silicon substrate, radical atoms are irradiated on the oxide film to be mixed in atoms deviated from the radical atoms evenly into the entire oxide film, selectively eliminating defects existent inside the oxide film or in an interface between the oxide film and the silicon substrate and consequently reducing the stress of the oxide film.
シリコン基板上に設けられる酸化膜のストレスを緩和する方法であって、酸化膜に対してラジカル原子を照射し酸化膜全体にラジカル原子由来の原子を均一に混入することによって、酸化膜内部あるいは酸化膜とシリコン基板との界面に存在する欠陥を選択的に消滅させ、酸化膜のストレスを緩和する。 - 特許庁 - The image processing apparatus comprises a first semiconductor substrate provided with a system control section including a CPU, an image expansion circuit, an image processing circuit, and a second semiconductor substrate provided with a multiplexer or a selector for switching the path to a memory interface, and a plurality of memory interfaces for connection with a memory module or a memory device.
ＣＰＵを含むシステム制御部を備えた第一の半導体基板と、画像伸張回路と、画像処理回路と、メモリインターフェースへのパスを切り替えるためのマルチプレクサまたはセレクタを持ち、メモリモジュールまたはメモリデバイスに接続するためのメモリインターフェースを複数持った第二の半導体基板と、を含んだことを特徴とする画像処理装置。 - 特許庁 - To provide a manufacturing method for an inexpensive dual interface type IC card excelling in mass productivity, having high reliability and having an outside connecting terminal substrate and an IC chip connected well by providing a means for stabilizing the application amount of cream solder for forming a solder bump that is arranged by protruding it from a through hole of the outside connecting terminal substrate.
外部接続端子基板の貫通孔から突出して配置する半田バンプを形成するためのクリーム半田の塗布量を安定化させる手段を提供することにより、外部接続端子基板とＩＣチップとが良好に接続されて信頼性の高い、安価で量産性に優れたデュアルインターフェイス型ＩＣカードの製造方法を提供すること。 - 特許庁 - The method peels the second substrate (S2) from the inside or interface of the peeling layer (3) while giving a vibration (53) to the laminate substrate.
本発明に係る剥離方法は、剥離層(3)とその上部に形成された半導体素子(55)とを有する第１基板(S1)と、前記第１基板の前記半導体素子形成面と接着層(18)を介して接合された第２基板（S2)とを有する積層基板(S)の剥離方法であって、前記積層基板に振動(53)を与えつつ前記剥離層(3)の層内又は界面から前記第２基板(S2)を剥離する。 - 特許庁 - In a gate insulator capacitor made of MIS structure, a low permittivity layer inhibition layer 2 is interposed between the insulating film 3 made of a material having high permittivity of CeO_2 and a semiconductor substrate 1 to inhibit the generation of a low-permittivity layer such as an SiO_2 at the interface between the insulating film 3 and semiconductor substrate 1, and to inhibit reduction in capacity.
ＭＩＳ構造からなるゲート絶縁体キャパシタにおいて、ＣｅＯ_2の高い比誘電率の材料からなる絶縁膜３と半導体基板１との間に低誘電率層抑制層２を介在させて、絶縁膜３と半導体基板１との界面にＳｉＯ_2等の低誘電率層が発生することを抑制し、容量低下を抑える。 - 特許庁 - The adhesive optical filter is prepared by layering an adhesive layer on one side surface of a light-transmissive sheet-like substrate, wherein the adhesive layer comprises a plurality of light-absorbing regions which are substantially orthogonal to a laminated interface between the light-transmissive sheet-like substrate and the adhesive layer; and a plurality of light transmissive regions.
透光性シート状基材の一方の面に、接着剤層が積層されてなる接着性光学フィルターであって、前記接着剤層が、透光性シート状基材と前記接着剤層との積層界面に対しほぼ直交する複数の光吸収性領域と、複数の透光性領域とを有することを特徴とする接着性光学フィルター。 - 特許庁 - Forming an interfacial reaction suppression layer 12 for suppressing an interfacial reaction between the oxide and the nitride between a ZnO single crystal substrate 11 as the oxide and an InGaN semiconductor layer 13 as the nitride can suppress the interfacial reaction between the ZnO single crystal substrate 11 and the InGaN semiconductor layer 13, thereby suppressing the formation of the reaction layer (Al_2ZnO_4) at the interface.
酸化物であるZnO単結晶基板１１と窒化物であるInGaN半導体層１３との間に、酸化物と窒化物との界面反応を抑制するための界面反応抑制層１２を形成しているので、ZnO単結晶基板１１とInGaN半導体層１３との間での界面反応を抑制でき、その界面に反応層（Al_2ZnO_4）が形成されるのを抑制できる。 - 特許庁 - The contrast ratio is raised by reducing reflection on each interface inside the optical deflection element 1 by forming an orientation film 9 provided between a pair of a substrate 8 and a liquid crystal layer of a pair of electric field formation elements constituting the optical path deflection element 1 by varying a refractive index from a refractive index of the substrate 8 to a refractive index of the liquid crystal layer 4.
光路偏向素子１を構成する一対の電界形成素子２の基板８と液晶層４の間に設けた配向膜９を、屈折率が基板８の屈折率から液晶層４の屈折率と変化させて形成することにより、光路偏向素子１内部の各界面における反射を低減してコントラスト比を向上させる。 - 特許庁 - Since the destination of communication between a demultiplex substrate and a low speed interface substrate or the like can be selected by providing a reception selector circuit and a transmission selector circuit, in both the cases of adopting a redundant configuration and adopting no redundant configuration, reliability can be improved while reducing articles for maintenance and reducing the cost.
受信選択回路６３および送信選択回路６４を設けて多重分離基板６６と低速インタフェース基板６２等との間の通信先の選択を可能とすることにより、冗長構成とした場合と冗長構成としない場合の両方において、保守用品の削減を図りコストの低減を図りつつ信頼性を高めることができる。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing an insulated gate semiconductor device in which hysteresis transistors and non-hysteresis transistors can be mounted on the same substrate in mixture by using an insulating film of the same material while maintaining a favorable substrate interface with less defects and a smaller risk of impurity incorporation when the non-hysteresis transistors and the hysteresis transistors are mounted in mixture.
非ヒステリシストランジスタとヒステリシストランジスタとを混載する場合において、欠陥や不純物混入リスクの少ない良好な基板界面を保ったまま、同一材料の絶縁膜を用いて、ヒステリシストランジスタと非ヒステリシストランジスタとを同一基板上に混載することができる絶縁ゲート型半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁 - A microinformation recording and reproducing device 40 can be integrated with a housing 11 which has a pointing device substrate 115 inside and a device interface 30 for information input to and output from the circuit of the pointing device substrate 115 and information input to and output from the microinformation recording and reproducing device is built in the housing 11.
ポインティングデバイス基板１１５を内蔵した筐体１１にマイクロ情報記録再生装置４０を一体化可能とし、さらに、前記ポインティング基板１１５の回路への情報入出力及び前記マイクロ情報記録再生装置への情報入出力を兼用するデバイスインターフェース３０を前記筐体１１に内蔵させた構造とする。 - 特許庁 - The human interface device 1 has an operation part 10 having an operating function such as a button and a connecting means 13 capable of connecting a substrate 20; a connecting means 21 capable of connecting the operation part 10; and the substrate 20 having a hub 22 for adding the number of a port connected with the operation part 10 to an operation signal from the operation part 10.
ヒューマンインタフェース装置１が、ボタン等の操作機能を有し基板２０を接合可能な接続手段１３を有する操作部品１０と、操作部品１０を接合可能な接続手段２１、及び操作部品１０が接続されたポートの番号を操作部品１０からの操作信号に付加するハブ２２を有する基板２０とを備えて構成する。 - 特許庁 - Then, even if after the multilayer structure in a layer above the surface of a silicon semiconductor substrate 2 has been formed, the thermal treatment is carried out and a bond of heavy hydrogen to silicon is cut, heavy hydrogen can be continuously supplied to an interface between source/drain diffusion layers 16, 17 of the silicon semiconductor substrate 2 and a gate insulating film 18.
すると、シリコン半導体基板２の表面より上層の多層構造を形成した後に熱処理が行われ重水素とシリコンの結合が切断されたとしても、シリコン半導体基板２のソース／ドレイン拡散層１６および１７とゲート絶縁膜１８との間の界面に継続的に重水素を供給できるようになる。 - 特許庁 - The excitation of the ultrasonic vibration on the substrate 20 is executed periodically, in the interface, an apparent friction coefficient of the substrate is thereby varied time-serially, the rubber film 11 of the pen 10 is extended and contracted along a shearing direction, in accompaniment thereto, and this is transmitted to the pen 10 as vibration to obtain the feel similar to that when using an actual writing implement and drawing implement.
この装置では、基板１０の超音波振動の励起が周期的に行われ、そのために基板の見掛け上の摩擦係数が時間的に変化し、それに伴い、ペン１０のゴム膜１１がせん断方向に伸び縮みし、これが振動となってペン１０に伝わり、実際の筆記具や描画具を使用しているときに似た感触を得ることができる。 - 特許庁 - When the interface substrate 2 is mounted in a rack, upper and lower or more pins 7, 8 for confirming mounting of a plurality of connecting pins of the substrate 2 are surely inserted, and only after a wiring 6 and the pins 7, 8 for confirming mounting are constituted at a conducting route for confirming the mounting from a CPU 5, the CPU 5 recognizes the mounting.
インタフェース基板２をラックに搭載する場合、インタフェース基板２の複数の接続ピンのうち、上下もしくはそれ以上の実装確認用のピン７，８が確実に挿入され、ＣＰＵ部５から配線６および実装確認用のピン７，８をつなぐ実装確認用の導通経路が構成された後でないと、ＣＰＵ部５は、実装と認識しない。 - 特許庁
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