「substrate interface」を含む例文一覧(1149)
＜前へ 1 2 .... 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 次へ＞- The method comprises a step of forming a first metal layer 3 on a semiconductor substrate 1 having a diffused layer 2 on the surface, a step of heating it to form an alloy layer 4 on the interface of the semiconductor substrate and the first metal layer and a step of forming a second metal layer 5 on the first metal layer, after the alloy layer is formed.
表面に拡散層２の形成された半導体基板１上に、第1のメタル層３を形成する工程と、これを加熱して前記半導体基板と前記第1のメタル層の界面に合金層４を形成する工程と、前記合金層を形成した後、前記第1のメタル層上に第2のメタル層５を形成する工程とを備える。 - 特許庁 - The method of manufacturing the semiconductor device includes: a step of forming a first insulating film on a semiconductor substrate; a step of accumulating nitrogen at an interface between the semiconductor substrate and the first insulating film to form a second insulating film; and a step of implanting oxygen into the second insulating film to convert it to a third insulating film.
半導体基板上に第１の絶縁膜を形成する段階と、前記半導体基板と前記第１の絶縁膜の界面に窒素を蓄積させて第２の絶縁膜を形成する段階と、前記第２の絶縁膜に酸素を注入して第３の絶縁膜に変更させる段階とを含む構成としたことを特徴とする。 - 特許庁 - To provide an electromagnetic wave shielding material having high shielding power which can be produced inexpensively through a simple process and in which scattering of light does not take place on the interface of a substrate and an adhesive because no adhesive is used and a high light transmittance is ensured, and to provide its production process.
接着剤を用いないことで、基材と接着剤との界面の光散乱のない、また高い光線透過率を有し、かつ低コストで簡易な工程で製造でき、高い電磁波遮蔽能を有した電磁波遮蔽材およびその製造方法を提供する。 - 特許庁 - When the thickness of the substrate is thickened, rigidity is reduced and stress generated at interface is reduced, but, due to smaller rigidity, radius of curvature can be reduced and so peeling at ≥90° is possible and the same peeling as former one is hopeful.
剥離性基材の厚みを薄くすると、剛性が小さくなり、界面に発生する応力が小さくなるが、剛性が小さくなる分、曲率半径を小さくとることが出来るため、９０°以上での剥離が可能となるため、従来同様の剥離が期待できる。 - 特許庁 - To increase a reliability with respect to both a hot carrier and an NBT by optimizing the concentration of nitrogen introduced into an interface between a gate oxide film and a substrate (well) of four kinds of MISFETs having different conductivity types and different thicknesses for the gate oxide film.
導電型およびゲート酸化膜厚の異なる４種類のＭＩＳＦＥＴのゲート酸化膜と基板（ウエル）の界面に導入する窒素の濃度を最適化することによって、ホットキャリアに対する信頼性とＮＢＴに対する信頼性を両立させる。 - 特許庁 - The substrate processor 500 is provided with an indexer block 9, a reflection preventing film processing block 10, a resist film processing block 11, a resist cover film processing block 12, an inspection block 13, a development processing block 14, a resist cover film removing block 15, and an interface block 16.
基板処理装置５００は、インデクサブロック９、反射防止膜用処理ブロック１０、レジスト膜用処理ブロック１１、レジストカバー膜用処理ブロック１２、検査ブロック１３、現像処理ブロック１４、レジストカバー膜除去ブロック１５およびインターフェースブロック１６を備える。 - 特許庁 - The lattice type conductor layer wherein a roughened layer 5 is formed on a side surface is formed on a substrate of a multilayer printed wiring board, so that cracks which are generated by difference of thermal expansion coefficients of the conductor layer and the interlayer resin insulating layer on an interface of them are restrained.
多層プリント配線板の基板上に、その側面に粗化層５が形成された格子状の導体層を形成することにより、導体層と層間樹脂絶縁層の境界で両者の熱膨張率差に起因して発生するクラックを抑制する。 - 特許庁 - To adjust a needle card adjusting device for flattening, in relation to a wafer 8 to be contactedly formed with the needle set 6 of a needle card 1, connected with a substrate 3 which is used as a contact interface to an inspection head 5, more simply.
ニードルカード１が検査ヘッド５に対するコンタクトインタフェースとして用いられる基板３に接続されている、ニードルカードのニードルセット６をコンタクト形成すべきウェハ８に関連して平坦化するためのニードルカード調整装置を一層簡単に調整できるようにする。 - 特許庁 - To provide a multilayer ceramic substrate, wherein when a resistor film and a conductive film are formed along an interface between identical ceramic layers in a state that the resistor film and the conductive film come into contact with each other, an excellent pattern accuracy can be obtained in both of the resistor film and the conductive film.
多層セラミック基板において、抵抗体膜および導体膜が互いに接触した状態で同じセラミック層間の界面に沿って形成される場合、これら抵抗体膜および導体膜のいずれについても、優れたパターン精度が得られるようにする。 - 特許庁 - The, each of substrates is equipped with an interface member (connecting part) with the other substrate and by mutually connecting the substrates by combining a flat cable or receptacle and a plug, a control signal can be directly transmitted to all the variable optical attenuators installed on the substrates of respective layers.
そして基板に、他の基板とのインターフェース部材(接続部)を設け、フラットケーブルやレセプタクルとプラグの組合せによって互いに接続することで各層の基板に設置されたすべての光可変減衰器に制御信号を直接送信できるようにした。 - 特許庁 - To provide a solid-state imaging apparatus capable of reducing a dark current caused by an interface state without preparing a hole accumulation layer made of an impurity diffusion layer, and thereby capable of arranging a sensor on a shallow position of a semiconductor substrate and improving charge transfer efficiency.
不純物拡散層からなる正孔蓄積層を設けることなく界面準位に起因した暗電流を低減でき、これにより半導体基板の浅い位置にセンサを設けて電荷転送効率の向上が図られた固体撮像装置を提供する。 - 特許庁 - The substrate processor 500 includes an indexer block 9, antireflective film processing block 10, resist film processing block 11, developing processing block 12, resist cover film processing block 13, resist cover film removing block 14, cleaning/drying processing block 15, and interface block 16.
基板処理装置５００は、インデクサブロック９、反射防止膜用処理ブロック１０、レジスト膜用処理ブロック１１、現像処理ブロック１２、レジストカバー膜用処理ブロック１３、レジストカバー膜除去ブロック１４、洗浄／乾燥処理ブロック１５およびインターフェースブロック１６を含む。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing an optical semiconductor device and the semiconductor device which accurately controls the adhesion interface resistance between a light emitting layer of an InGaAlP or AlGaAs compound semiconductor and a GaP substrate and adheres them together.
ＩｎＧａＡｌＰ系又はＡｌＧａＡｓ系の化合物半導体からなる発光層とＧａＰ基板を、接着界面抵抗を精度良く制御して貼り合せることが可能な光半導体装置の製造方法及び光半導体装置を提供すること。 - 特許庁 - On the other hand, since the speed is increased to the second speed after the supporting member 16 passes the gas-liquid interface, particles floating under the liquid level are prevented from adhering to the supporting member 16, and poor drying is prevented while preventing adhesion of particles to the substrate W.
一方、支持部材１６が気液界面を通過した後は速度を第２の速度に速めるので、液面下に浮遊するパーティクルが支持部材１６に付着することを防止でき、基板Ｗへのパーティクルの付着を防止しつつも乾燥不良を防止できる。 - 特許庁 - Cathode electrodes 5a and 5b are pressed and hit with the tips of the pair of probes P1 and P2 so that a pulse current is applied between the cathode electrodes 5a and 5b, forming an ohmic junction at the junction interface between a semiconductor substrate 1 and the cathode electrodes 5a and 5b.
また、カソード電極５ａ，５ｂに一対のプローブＰ１，Ｐ２の先端が押し当てられて、カソード電極５ａ，５ｂ間にパルス電流が印加されることにより、半導体基板１およびカソード電極５ａ，５ｂの接合界面におけるオーミック接合が形成される。 - 特許庁 - To provide a process for producing a semiconductor substrate by bonding two semiconductor wafers directly in which generation of voids in the bonding interface is suppressed effectively by heat treating the wafers to be stuck at a high temperature rise/fall rate.
２枚の半導体ウェーハが直接接合した半導体基板の製造方法であって、貼りあわせ前のウェーハを高速昇降温熱処理することにより、接合界面でのボイドの発生を効果的に抑制する半導体基板の製造方法を提供する。 - 特許庁 - The coating layer is arranged by integrally forming the interface of the coating layer and the resin film by comprising the resin composition and an organic solvent, wherein the surface of the resin film substrate is capable of dissolving or swelling, as the main components.
前記樹脂組成物と、前記樹脂フィルム基体の表面を溶解又は膨潤可能である有機溶媒とを主成分とすることによって、該塗工層の界面と前記樹脂フィルムの界面を一体化させて形成することにより前記塗工層を設ける。 - 特許庁 - To provide a semiconductor device and its manufacturing method for suppressing short channel effects, and for reducing a resistance to be generated on an interface between a surface strap formed on the surface of a semiconductor substrate and a conductive layer formed in a hole.
本発明は、短チャネル効果を抑制すると共に、半導体基板の表面上に形成された表面ストラップと孔内に形成された導電層との界面に生じる抵抗を低減することができる半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁 - The organic semiconductor material 102 also has a second thermal expansion coefficient that is different from the first thermal expansion coefficient, such that a mechanical stress is transferred from the substrate 106 to the organic semiconductor material 102 through the interface 110.
さらに、前記有機半導体材料１０２は、機械的な応力が前記基板１０６から前記界面１１０を介して該有機半導体材料１０２へと伝達されるよう、前記第１の熱膨張係数と異なる第２の熱膨張係数を有している。 - 特許庁 - To enhance the bonding reliability by suppressing occurrence of plastic deformation such as undulation and wrinkles on the surface of a circuit layer, and suppressing application of thermal stress onto the bonding interface of a ceramic substrate and the circuit layer, even when a thermal cycle load is applied.
熱サイクル負荷を受けた際にも、回路層の表面にうねりやシワ等の塑性変形が発生することを抑制でき、かつ、セラミックス基板と回路層との接合界面に熱応力が作用することを抑制でき、その接合信頼性を向上させる。 - 特許庁 - To provide a method by which fitness and reversal on the interface between coating film layers are controlled and a multilayer coating film excellent in physical properties, particularly chipping resistance is formed when the top of a substrate is successively coated with an intermediate coating film and a final coating film by a wet-on-wet process.
基材上に、中塗り塗膜及び上塗り塗膜を順次ウエットオンウエットで塗装した場合に、各塗膜層間の界面でのなじみや反転を制御し、更に、塗膜物性、特に耐チッピング性に優れた積層塗膜を形成する方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a thin film evaluation method whereby a film characteristic and a structure of an Si substrate / insulation film interface can be measured by having only to form an insulating thin film such as a gate insulating film so as to feed back the measured result to a film forming condition of the insulating thin film in a short period of time.
ゲート絶縁膜など絶縁薄膜を形成するのみで、その膜特性やＳｉ基板／絶縁膜界面の構造を測定できるようにし、短期間で絶縁薄膜の成膜条件に対するフィードバックをかけることができるようにする。 - 特許庁 - When light is made incident on a phosphor layer 504 formed on the surface of a color wheel substrate 502, a reflection component in an interface is reduced by irregularity of the surface of the phosphor layer 504 and interference between radiated light and reflected light is thus reduced.
カラーホイール基板５０２の表面に形成された蛍光体層５０４に対し、光が入射する際の界面における反射成分を、蛍光体層５０４表面の凹凸によって低減し、照射された光と反射光との干渉を減少させる。 - 特許庁 - The current flowing between the active layer 6 including an pn junction interface and the n-type GaAs substrate 1 is suppressed by making the conductivity type of an underlying heterobarrier layer 5 same as that of a part abutting on the underlying heterobarrier layer 5 of the active layer 6.
さらに、下ヘテロ障壁層５の導電型を活性層６の下ヘテロ障壁層５に接する部分の導電型と同一にしてｐｎ接合界面を含む活性層６とｎ型ＧａＡｓ基板１との間に流れる電流を抑えるようにした。 - 特許庁 - To provide a reflective liquid crystal display device that substantially completely compensates light leakage occurring upon a black display when the surface roughness of a substrate is optimized so as to capture ambient light in an angle range as wide as possible while preventing reflection on the interface.
反射型液晶表示装置において、表面の凹凸が界面反射を生じない範囲でできるだけ広い角度から環境光を取り込めるように最適化された場合について、黒表示の際に生じる漏れ光を実質的に完全に補償する。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing an electrochemical display element having less display defect during energization by making the surface of an electrochemical display medium smooth, being easily exfoliated from a filter material, and adhering the electrochemical display medium to a substrate and hardly leaving bubbles on an interface.
電気化学型表示媒体の表面が平滑で、濾過材から剥離しやすく、かつ電気化学型表示媒体が基板と密着していて界面に気泡が残存せず、通電時の表示欠陥の少ない電気化学型表示素子を製造する方法を提供。 - 特許庁 - To obtain a resist material having no coating defects and excellent wetting property with an alkali developer by incorporating a specified fluorine- based surfactant which decreases the contact angle of the interface with water or the like on the resist material surface applied on a substrate with an increase of the added amt of the surfactant.
基板に塗布されたレジスト材料表面と水若しくはアルカリ現像液との界面の接触角を、添加量を増加させるに従って低下させるフッ素系界面活性剤を含有することを特徴とするレジスト材料を提供する。 - 特許庁 - A heat treatment method irradiates emission light from a Xe flash lamp, which serves as a heat source, to a test sample having an interface of a semiconductor substrate 15 including an insulating film containing oxygen, and Si, while at least part of ultra violet rays in the emission light is removed to carry out heat treatment.
加熱源となるＸｅフラッシュランプの放出光を、前記放出光の内の紫外線の少なくとも一部を除去した状態で酸素を含む絶縁膜とＳｉを含む半導体基体との界面を有する試料に照射して熱処理を行う。 - 特許庁 - To provide a semiconductor device using a large and inexpensive substrate showing the stable characteristics, which also includes a single crystal Si thin film and not generating any variations and fluctuations in the junction strength of the single crystal Si thin film and in the stress working on the junction interface, and also to provide a method of manufacturing the semiconductor device.
単結晶Ｓｉ薄膜を有する特性の安定した大型かつ安価な基板であり、単結晶Ｓｉ薄膜の接合強度および接合界面に働く応力にムラやバラツキのない半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁 - The surface of a semiconductor substrate which has a metal film is cleaned, while preventing the corrosion of the metal film, using cleaning liquid consisting of (1) hydrogen peroxide water, ozone water, or electrolytic anode water, (2) inorganic acid or an alkaline agent, and (3) a complexing agent and/or an interface activator.
金属膜を有する半導体基板を、（１）過酸化水素水、オゾン水または電解アノード水、（２）無機酸またはアルカリ剤、（３）錯化剤および／または界面活性剤、からなる洗浄液を用いて、金属膜の浸食を防ぎつつ基板表面を洗浄する。 - 特許庁 - To provide a ceramic component for electronic components capable of reducing a coefficient of thermal expansion as well as ensuring a heat transfer property and a conductive property required for a wiring layer, and capable of reducing thermal stress in an interface between the wiring layer and a ceramic substrate, and to provide a method of manufacturing the same.
配線層として必要な伝熱性及び導電性を確保しつつ熱膨張率を低減し、配線層とセラミックス基板との界面における熱応力を低減せしめた電子部品用セラミックス部品、及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁 - To form a reliable gate insulating film by introducing high-concentration nitrogen only near the surface of a silicon oxide film without segregating nitrogen near the interface of a silicon substrate in the nitriding treatment of the silicon oxide film using a plasma nitriding method.
本発明は、プラズマ窒化法を用いたシリコン酸化膜の窒化処理においてシリコン基板界面近傍に窒素を偏析させることなく、シリコン酸化膜表面近傍のみに高濃度の窒素を導入し、信頼性の高いゲート絶縁膜を形成することを目的とする。 - 特許庁 - In where a surface crossing the thickness direction of the p-type silicon substrate 1 is considered as a virtual surface, each strong field drift layer 6 has inclined drift parts 6a, 6b, respectively having an interface between the surface electrode 7 and inclined at different angles of inclination in relation to the virtual surface.
ｐ形シリコン基板１の厚み方向に直交する面を仮想表面とするとき、各強電界ドリフト層６が、仮想表面に対して表面電極７との界面が傾斜し傾斜角が互いに異なる傾斜型ドリフト部６ａ，６ｂを有している。 - 特許庁 - To provide a manufacturing method of an organic electroluminescent element, and an organic electroluminescent element, in which an organic layer with a pattern formed can be simply formed on a substrate, and having excellent light-emitting efficiency and durability so as the formed organic layer not to mix at an interface.
基板上にパターンを形成した有機層を簡便に形成できるとともに、形成した有機層が界面で混合しないために発光効率及び耐久性に優れた有機電界発光素子の製造方法及び有機電界発光素子を提供する。 - 特許庁 - To provide a solid state imaging device in which the image quality of a reproduction screen is prevented from deteriorating by reducing a leak current being generated as the interface level increases due to crystal defect, or the like, in the vicinity of the substrate surface in a region where a photodiode is fabricated.
フォトダイオードが形成されている領域の基板表面近辺において、結晶欠陥などに起因する界面準位の増加によって発生するリーク電流を低減し、再生画面の画質の劣化を抑止する固体撮像装置を提供する。 - 特許庁 - To provide an interface circuit capable of commoditizing a substrate, a software and the like in a plurality of kinds of data communication modes, while evading collision, operation abnormality and the like of a data from occurring when a plurality of connection parts is erroneously connected to a mating side unit.
誤って複数の接続部が相手側ユニットと接続された場合にデータの衝突及び動作異常等が生じるのを回避しながら、複数種類のデータ通信形式に対して基板及びソフトウエア等の共通化が図れるインターフェース回路を提供する。 - 特許庁 - A thin SiO2 film 2 and an amorphous silicon thin film 3 are sequentially formed on a silicon substrate 1, and then subjected to heat treatment in an atmosphere containing NO as a nitriding species to form an oxy nitride film 4A containing nitrogen at an interface between the films 2 and 3 with use of the film 3 forming an interface with the film 2 as a silicon supply source.
シリコン基板１上に薄いＳｉ０_2膜２、非晶質シリコン薄膜３ａを順次形成し、次に窒化種としてＮＯを含む雰囲気中での熱処理により、ＳｉＯ_2膜２との界面の非晶質シリコン薄膜３ａをシリコン供給源としてＳｉ０_2膜２と非晶質シリコン薄膜３ａとの界面にオキシナイトライド膜４Ａを形成することにより，ゲート絶縁膜として窒素を含むＳｉＯＮ膜４を形成する。 - 特許庁 - The optical recording medium 20 comprises a reflective layer 21, a recording layer 22 primarily consisting of pigment, an interface layer 30, and a cover layer 24 sequentially laminated on a substrate 21 on which a guide groove is formed, and facilitates determination of the optimum recording power by selecting a proper interface layer 30 to achieve a linear relation between the β value and the recording power.
案内溝を形成した基板２１上に、順次積層された反射層２１と、色素を主成分とする記録層２２と、界面層３０と、カバー層２４と、を備える膜面入射型の光記録媒体２０であって、適当な界面層３０を選択することにより、βと記録パワーとの間に線形の関係を有するようにし、最適記録パワーの決定を容易にした光記録媒体２０。 - 特許庁 - To provide a high-durability hydrogen permeable structure featuring high adhesion strength of a hydrogen permeability substrate to a proton conductive membrane, suppression of separation in the interface between the substrate and the membrane, and long stable service performance, to provide a method of manufacturing the hydrogen permeable structure, and to provide a high-durability fuel cell using the hydrogen permeable structure.
水素透過性基材とプロトン導電性膜との密着力が優れ、両者界面での剥離が抑制され、長期間安定した性能を維持できる、耐久性に優れた水素透過構造体を提供すること、この水素透過構造体の製造方法、さらに、この水素透過構造体を用いた耐久性に優れた燃料電池を提供することを課題とする。 - 特許庁 - Since such laser light functions as an energy liquefying or vaporizing the semiconductor crystal locally with a shallow depth of a few μm at the vicinity of the interface with the substrate, the substrate and the semiconductor crystal are well exfoliated at about the growth temperature of a desired semiconductor crystal formed from a group III nitride compound semiconductor or the like.
この様なレーザ光は、下地基板との界面近傍において、深さ方向に局所的に浅く数μｍ程度の薄さで半導体結晶を液化或いは気化させるエネルギーとして作用するため、 ＩＩＩ族窒化物系化合物半導体等から形成される所望の半導体結晶の成長温度近辺において、下地基板と半導体結晶とを良好に剥離させることができる。 - 特許庁 - The semiconductor structure forming method comprises a step of providing an Si substrate 10 having a surface, a step of forming an interface involving an adjacent seed layer 18 on the surface of the Si substrate 10, a step of forming a buffer layer 20 utilizing molecules of O, and a step of forming one or more high permittivity oxide layers 22 on the buffer layer 20 utilizing active O.
半導体構造を作成する方法は：表面１２を有するシリコン基板１０を設ける段階；シリコン基板１０の表面１２上に隣接するシード層１８を含むインタフェースを形成する段階；分子酸素を利用してバッファ層２０を形成する段階；および活性酸素を利用してバッファ層２０上に１つ以上の高誘電率酸化物層２２を形成する段階；を備える。 - 特許庁 - To provide a letterpress printing device for manufacturing a high-definition EL, capable of conveyance by preventing, when a substrate is peeled off, ESD, ESA and EMI of a glass substrate 15 due to static electricity while preventing the deterioration of staining/light-emitting characteristics of an organic interface by electricity-removed gas, and a high-definition organic EL manufactured by the device.
高精細有機ＥＬを凸版印刷で製造する装置であって、基板を剥離する際 除電ガスによる有機界面の汚染・発光特性の劣化を防ぎつつ、ガラス基板１５の静電気によるＥＳＤ、ＥＳＡ、ＥＭＩを防ぎ搬送することのできる高精細有機ＥＬ製造用凸版印刷装置およびそれによって製造される高精細有機EL素子を提供する。 - 特許庁 - An insulating film 211 is provided on one surface side of a single crystal semiconductor substrate 200 to implant hydrogen ion into the single crystal semiconductor layer 200 from the side of the insulating film 211 to form a separating layer 212 therein, then, the hydrogen ion is implanted into the single crystal semiconductor substrate 200 from the side of the insulating film 211 to form a defective layer 213 in an interface with the insulating film 211.
単結晶半導体基板２００の一方面側に絶縁膜２１１を設け、絶縁膜２１１側から単結晶半導体層２００中に水素イオンを注入し、内部に剥離層２１２を形成し、絶縁膜２１１側から単結晶半導体基板２００中に水素イオンを注入し、絶縁膜２１１との界面に欠陥層２１３を形成する。 - 特許庁 - The method includes: a step of forming an oxide film on a semiconductor substrate; a step of forming a nitrogen containing insulation film on the oxide film by the plasma nitridation process at a temperature between 800 to 900°C; and a step of forming a nitrogen storing layer at the interface between the semiconductor substrate and the oxide film formed with the nitrogen containing insulation film.
半導体基板上に酸化膜を形成する段階と、８００〜９００℃のプラズマ窒化処理工程によって前記酸化膜の表面に窒素含有絶縁膜を形成する段階と、前記半導体基板と前記窒素含有絶縁膜の形成された前記酸化膜との界面に窒素蓄積層を形成する段階とを含む、フラッシュメモリ素子のトンネル絶縁膜形成方法を提供する。 - 特許庁 - The product includes a substrate 1, and a porous coating that exists on at least one surface of the substrate, has a total thickness in a range of approximately 50 μm or less, and consists of a plurality of discrete adjacent strata, wherein each discrete stratum is formed to be porous including a porous interface, and made of at least one material selected from a group consisting of a metal and a metal oxide.
基材と、その少なくとも１表面に存在し、最高約５０ミクロンの範囲で総厚を有し、複数の個別の隣接した層から成る多孔質皮膜であって、各個別の層を、多孔質界面を含めて多孔質とし、金属と金属酸化物から成る群から選択する少なくとも１物質から作製する多孔質皮膜と、を含む製品に関する。 - 特許庁 - To enhance Voc by reducing the area of a contact region thereby reducing carrier recombination rate at the interface between a semiconductor substrate and a light receiving surface electrode, and to make a power generation layer absorb as much light as possible by reducing the area of the light receiving surface electrode on the semiconductor substrate thereby reducing reflection loss on the surface of the light receiving surface electrode.
接触領域の面積を低減することにより、半導体基板と受光面電極の間の界面におけるキャリア再結合速度を小さくし、Ｖｏｃを向上させ、半導体基板上の受光面電極面積を低減することにより、受光面電極表面での反射損失を少なくして発電層にできるだけ多くの光を吸収させる。 - 特許庁 - In this semiconductor memory device, transistors and thin film capacitors in which any or all of capacitor insulation films are composed of a high dielectric constant film or a ferroelectric film 108 are integrated on a semiconductor substrate 101, and an interface between the semiconductor substrate and a gate insulation film 104 of the transistors contains heavy hydrogen at a greater ratio than that of the heavy hydrogen existing in the natural world to hydrogen.
半導体基板上に、トランジスタと、容量絶縁膜の一部あるいは全部が高誘電率膜あるいは強誘電体膜から成る薄膜キャパシタが集積化された半導体記憶装置において、該半導体基板と該トランジスタのゲート絶縁膜との界面に自然界に存在する重水素と水素の比率よりも大きな比率で重水素を含有することを特徴とする。 - 特許庁 - A semiconductor device is constituted of a silicon substrate 10, a gate insulating film 18 on the silicon substrate 10, a gate electrode 30 formed on the gate insulating film 18 and has a silicon film 26 on at least a face in contact with the gate insulating film 18, and a nitrogen segregation layer with a peak density in the vicinity of an interface between the silicon film 26 and the gate insulating film 18.
シリコン基板１０と、シリコン基板１０上に形成されたゲート絶縁膜１８と、ゲート絶縁膜１８上に形成され、少なくともゲート絶縁膜１８に接する面にシリコン膜２６を有するゲート電極３０と、シリコン膜２６とゲート絶縁膜１８との界面近傍にピーク濃度を有する窒素偏析層とにより半導体装置を構成する。 - 特許庁 - To provide surface treatment copper foil without generating a void or a crack in an interface between copper foil and conductive paste including a low melting point metal, and to provide a laminated circuit substrate capable of using the conductive paste including the low melting point metal by using the copper foil and high in connection reliability.
銅箔と低融点金属を含む導電性ペーストとの界面にボイド・亀裂が発生しない表面処理銅箔の提供と、該銅箔を使用することにより低融点金属を含む導電性ペーストが使用でき、かつ、接続信頼性の高い積層回路基板を提供する。 - 特許庁 - Since an insulator 1, i.e. the base material of a substrate exposed to a part where the circuit pattern is not formed, and the translucent resin 9 form an adhesion interface, adhesion strength is enhanced and interfacial exfoliation of the circuit patterns 2a, 5a and a conductive adhesive 6 can be suppressed.
すると、回路パターンが形成されない部分に露出した基板の母材である絶縁体１と透光性樹脂９とが密着界面を形成することによって密着強度が高まり、回路パターン２ａ、５ａと導電性接着剤６との界面剥離を抑制できる。 - 特許庁
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