「substrate interface」を含む例文一覧(1149)
＜前へ 1 2 .... 10 11 12 13 14 15 16 17 18 .... 22 23 次へ＞- To provide a ceramic heater superior in durability and reliability by relaxing stress generated between a ceramic substrate and a wiring conductor and preventing generation of cracks at the interface of the wiring conductor and the ceramic substrate at the time of rapid temperature rise and temperature drop such as at calcination and usage.
焼成時や使用時等の急速昇降温時に、セラミック基体と配線導体間に発生する応力を緩和し、配線導体とセラミック基体界面のクラックの発生を防ぐことにより、耐久性、信頼性に優れたセラミックヒータを提供する。 - 特許庁 - When formed on a substrate, it is preferable that the porous titanium oxide coating film has a continuous or gradual concentration gradient such that the concentration of the titanium oxide structures (A) at a point away from the interface of the coating film and the substrate in the coating film becomes higher as the point becomes closer to the top surface of the coating film in the thickness direction of the coating film.
基板上に形成される際には、膜厚方向に、基板との界面から最表面に近づくにしたがい、酸化チタン構造体（Ａ）の濃度が高くなる連続的又は段階的な濃度勾配を有することが好ましい。 - 特許庁 - In the compound semiconductor crystal for a semiconductor element which is obtained by forming an epitaxial layer on a group III-V compound semiconductor substrate, the ratio of the concentration of oxygen to the concentration of silicon, accumulated in the interface between the substrate and the epitaxial layer, is controlled to ≥2.
ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板上にエピタキシャル層を形成した半導体素子用の化合物半導体結晶において、基板とエピタキシャル層との界面に蓄積する酸素と硅素の濃度比（酸素／珪素）が２以上であるようにした。 - 特許庁 - While an adhesiveness improving layer 15 in which the alkane is dispersed is formed at the interface between the film 12 and the substrate 10 by heating the bonding part to the glass transition temperature Tg of the PEI or higher, the film 12 is bonded to the substrate 10.
接着箇所をＰＥＩのガラス転移温度Ｔｇ以上に加熱して、ＰＥＩフィルム１２におけるガラスエポキシ基板１０との界面にアルカンが分散した接着力向上層１５を形成した状態でＰＥＩフィルム１２をガラスエポキシ基板１０に接着させる。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing a semiconductor substrate in which the generation of void on a junction interface is effectively suppressed by optimizing the thickness of two wafers to be bonded, the semiconductor substrate being constituted by directly bonding two semiconductor wafers.
２枚の半導体ウェーハが直接接合した半導体基板の製造方法であって、貼り合せる２枚のウェーハの厚さを最適化することにより、接合界面でのボイドの発生を効果的に抑制する半導体基板の製造方法を提供する。 - 特許庁 - The document forming apparatus 10 comprises: a print engine 12; a substrate feeder module 14; a finisher module 16; a document feeder 18; a controller including a data base for storing operation information on the substrate feeder module 14; and a local user interface 20 for controlling the operation of the apparatus.
文書形成装置１０は、印刷エンジン１２と、基板フィーダモジュール１４と、仕上げ装置モジュール１６と、文書フィーダ１８と、基板フィーダモジュール１４の操作情報を記憶するデータベースを含むコントローラと、装置の操作を制御するローカルなユーザインターフェース２０を含む。 - 特許庁 - To provide an optical layered product that effectively inhibit interface reflection and generation of an interference pattern between an optical permeability substrate and a hard coat layer, excels in visibility and surface mechanical strength, and in which adhesion between the optical permeability substrate and the hard coat layer is excellent.
光透過性基材−ハードコート層間における界面反射と干渉縞の発生を有効に防止し、視認性に優れ、表面の機械的強度に優れ、且つ光透過性基材−ハードコート層間の密着性が良好な光学積層体を提供する。 - 特許庁 - To provide a composite material for an electrical and electronic component, which keeps high adhesiveness between a metal substrate and an insulation film even when a portion including an interface between the metal substrate and the insulation film has been subjected to a working process such as a stamping process and then to a bending process.
金属基材と絶縁皮膜との界面を含めた箇所で打ち抜き加工等の加工を施した後に折り曲げ加工を施しても、金属基材と絶縁皮膜との密着性が高い状態を保つ電気電子部品用複合材料を提供する。 - 特許庁 - Since there is no interface between the substrate 21 and the aluminum oxide film layer 22 to be the base of the light reflecting film 3 by this constitution, the substrate 21 and the aluminum oxide film layer 22 do not exfoliate from each other and adhesive strength with the light reflecting film 3 increases.
この構成により、基材２１と光反射膜３の下地層となるアルミ酸化膜層２２との間に界面が存在しないので、基材２１とアルミ酸化膜層２２とが剥離することがなく、光反射膜３との接着強度が向上する。 - 特許庁 - To provide a substrate for light emitting device which is used on a light emission surface side of a light emitting device capable of reducing internal reflection loss on a material interface constituting the light emitting device and to provide the light emitting device which has superior light emission efficiency by using the substrate.
発光装置を構成する材料界面における内部反射損失を低減することが可能な発光装置の発光面側に使用される発光装置用基板を提供し、これを用いて外部発光効率に優れた発光装置を提供する。 - 特許庁 - In the laminated film, a polyethylene resin layer is laminated on one surface of a transparent substrate 1 having a synthetic resin layer through an anchor-coating agent 2, and a pseudo-adhesive interface is formed between the other surface of the substrate and the polyethylene resin layer on the side of the other surface.
合成樹脂層を有する透明な基材１の面に、ポリエチレン系樹脂層がアンカーコート剤２を介して積層され、該基材の他面と該他面側のポリエチレン系樹脂層の間が擬似接着界面であることを特徴とするラミネート積層フィルム。 - 特許庁 - To provide a semiconductor device wherein a leakage current in an interface between a surface silicon layer and a buried oxide film is not generated by potential difference between the surface silicon layer and a retaining substrate in an LDD transistor formed on a SOI substrate, and to provide a manufacturing method of the device.
ＳＯＩ基板に形成したＬＤＤ型トランジスタであって、表面シリコン層と支持基板との電位差によって、表面シリコン層と埋め込み酸化膜の界面を流れるリーク電流を発生させない半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁 - The SOI substrate is heat-treated at a temperature of 600-1,250°C, and gettering is performed to metal impurities accidentally mixed into the interface of the SOI film and quartz substrate and into the SOI film in the process of plasma processing, or the like to the surface region of the silicon film 12.
次にこのＳＯＩ基板を６００℃〜１２５０℃の温度で熱処理し、プラズマ処理等の工程においてＳＯＩ膜／石英基板界面およびＳＯＩ膜中に偶発的に混入した金属不純物をシリコン膜１２の表面領域にゲッタリングする。 - 特許庁 - A barrier layer 13 formed of Al_xGa_(1-x)N (0<x≤1) is laminated on an operating layer 12 composed of GaN formed on a substrate 11, and a hetero-junction interface is formed of the operating layer 12 and the barrier layer 13.
基板11上に形成されたGaNからなる動作層12の上に、Al_xGa_(1-x)N(0＜x≦1)からなる障壁層13が積層されており、動作層12と障壁層13とからヘテロ接合界面が形成されている。 - 特許庁 - To provide a highly reliable micro-lens substrate for a liquid crystal display device, capable of preventing deflection or exfoliation on an adhesive interface or the like, even if a heating treatment is executed in a manufacturing process of the liquid crystal display device.
液晶表示装置の製造工程で加熱処理を行っても歪みや接着剤界面での剥離等の生じない、信頼性の高い液晶表示装置用マイクロレンズ基板を提供する。 - 特許庁 - The substrate processing apparatus includes an indexer block, a processing block for a reflection preventing film, a processing block for a resist film, a developing processing block, a processing block for a resist cover film, a resist cover film removing block, and an interface block.
基板処理装置は、インデクサブロック、反射防止膜用処理ブロック、レジスト膜用処理ブロック、現像処理ブロック、レジストカバー膜用処理ブロック、レジストカバー膜除去ブロックおよびインターフェースブロックを含む。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing a junction structure and a method of manufacturing a light-emitting device by which occurrence of voids in a junction interface of each substrate can be prevented and a junction structure of substrates with a good quality can be obtained.
各基板の接合界面におけるボイドの発生を抑制し、良好な基板の接合体を得ることのできる接合体の製造方法及び発光装置の製造装置を提供する。 - 特許庁 - After that, although it is subjected to annealing treatment, when the annealing treatment is executed at a lower temperature and in a shorter time as compared with conventional cases, a titanium monosilicide part 106 is formed in the interface between the Ti/TiN film 105 and a silicon substrate 101.
この後アニール処理を施すが、従来よりも低温で短時間行うことで、Ｔｉ／ＴｉＮ膜１０５とシリコン基板１０１との界面にはチタンモノシリサイド１０６が形成される。 - 特許庁 - To provide a technology for stabilizing the bonding interface between a thin layer made of a semiconductor material and a support substrate onto which the thin layer is to be transferred without reducing the quality of the thin layer.
半導体材料薄層の品質の低下をもたらすことなしに、半導体材料薄層と該薄層が転写される支持基板との間の接合界面を安定化させる技術の提供。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing a thick film multilayer wiring board having enhanced connection reliability by eliminating cavities generated in a substrate interface at a connecting portion between a bonding pad layer consisting of a gold-base conductor and a silver-base or silver-platinum-base conductor layer which is superposed on the bonding pad layer for establishing an electrical connection.
金系導体から成るボンディングパッドと銀系導体或いは銀白金系から成る導体配線との接続部分の下部にあたる基板との界面に、空洞が発生する。 - 特許庁 - A part of a first substrate and a first semiconductor film interface at least are made to separate completely by both the residual energy according to the irradiation by a portion with weak laser intensity and the energy of a portion with strong intensity.
レーザ強度の弱い部分で照射による残留エネルギーと強度の強い部分のエネルギーとで第１の基板と第１の半導体膜界面の少なくとも一部を完全に分離させる。 - 特許庁 - To provide an optical item, for example, an ophthalmic lens in which the interference fringe phenomenon occurring at the interface between a substrate and a polymeric material layer is significantly mitigated, and which is stable in time and more particularly, photodegradation resistant.
基材と高分子物質層との間の界面で起こる干渉縞現象が抑制され、経時的に、特に、光分解に対して安定である、眼用レンズ等の光学製品を提供する。 - 特許庁 - An n^+-type high concentration layer 5 forming a Schottky interface between the high concentration layer 5 and the Schottky electrode 3 is provided in a region sandwiched by the p-type diffusion layer 2 in a front layer of the semiconductor substrate 1.
半導体基板１の表層部において、Ｐ型拡散層２に挟まれた領域には、ショットキ電極３との間にショットキ界面を形成するＮ^+型高濃度層５が設けられている。 - 特許庁 - The angle of incidence when the light is incident on the interface between the substrate 1 and outside air is made smaller by an angle of the refraction than it is without the space layer, and components totally reflected beyond critical angle are greatly reduced.
これにより、光が基板１と外気との界面に入射する際の入射角が、先に屈折された分だけ小さな角度となり、臨界角を超えて全反射する成分が大きく減少する。 - 特許庁 - The substrate processing equipment 500 includes an indexer block 9, an anti-reflection film processing block 10, a resist film processing block 11, a development processing block 12, a drying processing block 13 and an interface block 14.
基板処理装置５００は、インデクサブロック９、反射防止膜用処理ブロック１０、レジスト膜用処理ブロック１１、現像処理ブロック１２、乾燥処理ブロック１３およびインターフェースブロック１４を備える。 - 特許庁 - A slit part 11 is disposed within a surface of a peripheral part black matrix 3 of a region on the side of an interface region IFR out of a region corresponding to a panel peripheral region PR of a color filter substrate 1.
カラーフィルタ基板１のパネル周辺部ＰＲに対応する領域のうち、インターフェース領域ＩＦＲ側となる領域の周辺部ブラックマトリクス３の表面内に、スリット部１１が配設されている。 - 特許庁 - In this structure, the distance D from the interface of the n-type substrate 1 and the buffer layer 11 to the center 5a of the active layer 5 is set longer than the beam spot radius (a) of 1/e^2 of laser beam.
この構造において、ｎ型基板１とバッファ層１１との界面から、活性層５の中心５ａまでの距離Ｄが、レーザ光の１／ｅ^２のビームスポット半径ａよりも長くなるようにする。 - 特許庁 - To provide a semiconductor device and a method for manufacturing the same which is improved in its properties such as reduction of interface level between a substrate and insulation films.
本発明は、基板とゲート絶縁膜間の界面準位の低減等の特性改善に寄与する半導体装置の製造方法、及びこれらの製造方法で製造された半導体装置を提供する。 - 特許庁 - The metal-containing substrate film 13 has a metal nitride layer 106 at an interface with the Cu film 107 in a first region 11 including a part of the sidewall connected to an opening of the contact hole 104.
コンタクト孔１０４の開口に接続している側壁の一部を含む第一の領域１１において、金属含有下地膜１３は、Ｃｕ膜１０７との界面に金属窒化層１０６を有する。 - 特許庁 - To improve the light take-out efficiency of light taken out of an element by reducing totally reflected light generated on the interface between a substrate as the element outermost surface and an air layer as a loss.
損失となる素子最表面である基板と空気層との界面で生じる全反射される光を減らすことで、素子外部に取り出される光取出し効率を向上させることができる。 - 特許庁 - In this way, an electric resistance in the interface between the epitaxial layer 22 and the group III nitride semiconductor substrate 10 can be reduced, and crystal quality of the epitaxial layer 22 can be improved.
これにより、エピタキシャル層２２とＩＩＩ族窒化物半導体基板１０との界面の電気抵抗を低減することができると共に、エピタキシャル層２２の結晶品質を向上させることができる。 - 特許庁 - To provide a semiconductor substrate which has a region made from SiC having a single crystal structure and a support part made from silicon carbide, reducing electrical resistance in the interface between them.
単結晶構造を有するＳｉＣから作られた領域と、炭化珪素から作られた支持部とを有し、かつ両者の界面の電気抵抗を低減することができる半導体基板を提供する。 - 特許庁 - An impact is applied to a laminate structure on the substrate, and the lower electrode is peeled on an interface between the itself and the low adhesion layer, and the dielectric thin film laminated on the peeled section of the lower electrode is selectively removed.
基板上の積層構造に衝撃を与え、低密着層との界面において下部電極を剥離させ、下部電極の剥離部分に積層された誘電体薄膜を選択的に除去する。 - 特許庁 - For mounting treatment units which are not connected to the interface simulator 30 among the mounting treatment units which constitute the substrate treatment equipment, their operations are simulated by the unit simulator 20 of the simulator 2.
基板処理装置を構成する実装処理ユニットのうちインタフェース模擬装置３０に接続されていない実装処理ユニットについては、その動作をシミュレータ２のユニット模擬装置２０によって模擬する。 - 特許庁 - To fully employ a merit of using high dielectric material for a gate insulating film efficiently, as well as to form a good quality interface layer between a high dielectric ratio gate insulating film and a semiconductor substrate.
高誘電率ゲート絶縁膜と半導体基板との間に良質の界面層を形成することができ、ゲート絶縁膜に高誘電体材料を用いたことによるメリットを十分に生かす。 - 特許庁 - Thereafter, a MOS transistor and a capacitor are formed by injecting impurities into the semiconductor substrate (S105, S106), then a hydrogen sintering process is carried out as an interface level reduction treatment (S107).
その後、半導体基板に不純物を注入する等してＭＯＳトランジスタとキャパシタを形成した（Ｓ１０５，Ｓ１０６）後、界面準位低減処理としての水素シンタリングを行う（Ｓ１０７）。 - 特許庁 - To smooth the transfer of a substrate on the FIMS surface of a load port when manufacturing a semiconductor, improve switching reliability of a FOUP switching mechanism, and improve compatibility and switching reliability of an interface door.
半導体製造におけるロードポートのＦＩＭＳ面で基板移載を円滑にし、ＦＯＵＰ開閉機構の開閉信頼性向上、およびインターフェイスドアの互換性ならびに開閉信頼性向上を図る。 - 特許庁 - An organic electroluminescence element comprises a light-emitting layer 5 sandwiched between a positive electrode 2 and a negative electrode 8 on a substrate 1; and a hole-blocking layer 6 in contact with the negative-electrode-side interface of the light-emitting layer 5.
基板１上に、陽極２及び陰極８に挟持された発光層５を有し、発光層５の陰極側界面に接して正孔阻止層６が設けられている有機電界発光素子。 - 特許庁 - The substrate processing apparatus 500 is juxtaposed with an indexer block 10, a treatment block 11 for resist films, a cleaning/drying treatment block 12, a development processing block 13, and an interface block 14 in this order.
基板処理装置５００においては、インデクサブロック１０、レジスト膜用処理ブロック１１、洗浄／乾燥処理ブロック１２、現像処理ブロック１３およびインターフェースブロック１４が、この順で並設される。 - 特許庁 - The connection interface is mounted on the print substrate, at the same time electrically connected to the secondary battery unit, and provided at least as an output terminal of electric power generated in the secondary battery unit.
接続インターフェースはプリント基板上に設けられ、かつ、該二次電池ユニットと電気的に接続され、および、少なくとも該二次電池ユニットで発生した電力を出力端子として提供される。 - 特許庁 - The thickness of the oxynitrided film 20 is 25 Å or smaller, the peak of a nitrogen concentration is 20-40%, and the nitrogen concentration at an interface between the oxynitrided film 20 and semiconductor substrate 10 is 3% or lower.
この酸窒化膜２０の膜厚が２５Å以下であり、窒素濃度のピークが２０〜４０％であり、酸窒化膜２０と半導体基板１０との界面の窒素濃度が３％以下である。 - 特許庁 - To provide a sealing material for sealing a laser, capable of improving the seal reliability between glass substrates by relaxing the residual stress produced on the joint interface between the glass substrate and a sealing layer.
ガラス基板と封着層との接合界面に生じる残留応力を緩和することによって、ガラス基板間の封着信頼性を高めることを可能にしたレーザ封着用封着材料を提供する。 - 特許庁 - To provide an insulating film for semiconductor elements, which has a good varnish stability of a polyimide precursor composition and an excellent handleability, and which can reduce a residual stress of a substrate interface, and which has an excellent heat resistance.
ポリイミド前駆体組成物のワニス安定性が良好で取り扱い性に優れ、かつ、基板界面の残留応力を低減でき、耐熱性に優れた半導体素子用絶縁膜を提供する。 - 特許庁 - To easily achieve a synchronous serial bus connection between a control side circuit having only an existing parallel interface part and a controlled side circuit by suppressing increase of the mounting area on a substrate or costs.
基板上の実装面積やコストの上昇を抑えつつ、既存のパラレルインターフェース部のみをもつ制御側回路と被制御側回路との間で非同期式シリアルバス接続を簡易に実現すること。 - 特許庁 - To provide a redox protein immobilization electrode immobilized on an electrode interface to efficiently transfer electrons to and from redox protein, and properly interact with a substrate molecule thereof.
酸化還元タンパク質が電極と効率よく電子授受でき、かつ、その基質分子と適切に相互作用できる状態で電極界面上に固定化された、酸化還元タンパク質固定化電極を提供する。 - 特許庁 - The substrate processing equipment 500 comprises an indexer block 9, an anti-reflection film processing block 10, a resist film processing block 11, a development processing block 12, a cleaning block 13, and an interface block 14.
基板処理装置５００は、インデクサブロック９、反射防止膜用処理ブロック１０、レジスト膜用処理ブロック１１、現像処理ブロック１２、洗浄処理ブロック１３およびインターフェースブロック１４を備える。 - 特許庁 - Then the interface JS between the base substrate and 2nd semiconductor layer is substantially in level with the reverse surface of the buried oxide layer or deeper than the buried oxide layer.
そして、上記支持基板と第２の半導体層との界面ＪＳは、埋め込み酸化物層の下面と実質的に等しいか、あるいは埋め込み酸化物層より深い部分に位置することを特徴としている。 - 特許庁 - The electric field control part 22 applies an electric field to a heterojunction interface of the semiconductor substrate 104 from the electric field application electrode 14 by applying a bias voltage Ve exceeding a threshold value to the switching element 10.
電界制御部２２は、閾値を超えるバイアス電圧Ｖｅをスイッチ素子１０に印加することによって、電界印加電極１４から半導体基板１０４のヘテロ接合界面に電界を印加する。 - 特許庁 - To inhibit the effect caused by the stress produced in the interface between an LOCOS oxide film and a silicon substrate during oxidization, without making oxidization temperature higher than needed during LOCOS oxide film formation.
ＬＯＣＯＳ酸化膜形成時に必要以上に酸化温度を高くしなくても、酸化時にＬＯＣＯＳ酸化膜とシリコン基板との界面に生じる応力による影響を抑制できるようにする。 - 特許庁 - The injection drive section 22 injects holes into a heterojunction interface of the semiconductor substrate 104 from the hole injection part 140 by applying the injection voltage Vin exceeding a threshold value to the switching element 10.
注入駆動部２２は、閾値を超える注入電圧Ｖｉｎをスイッチ素子１０に印加することによって、ホール注入部１４０から半導体基板１０４のヘテロ接合界面にホールを注入する。 - 特許庁
- 特許庁
- Copyright © Japan Patent office. All Rights Reserved.
