「substrate interface」を含む例文一覧(1149)
＜前へ 1 2 .... 6 7 8 9 10 11 12 13 14 .... 22 23 次へ＞- The peeling apparatus 1 includes a process 14 which sucks and holds the transfer destination substrate 40, a suction pad 24 as a suction unit which applies a force for separating the transfer source device 30 and the transfer destination substrate 40 in a lamination direction while sucking the transfer source substrate 30, and a nozzle 50 which injects fluid from its tip to the lamination interface along the lamination interface.
剥離装置１は、転写先基板４０を吸着して保持するステージ１４と、転写元基板３０を吸着して、転写元基板３０と転写先基板４０とを積層方向に引き離す力を印加する吸着部としての吸着パッド２４と、上記積層界面に対して上記積層界面に沿った方向に、先端から流体を噴射するノズル５０と、を有する。 - 特許庁 - The method for manufacturing a flexible display device, by using a resin substrate comprises the steps of forming the resin substrate on a fixed substrate, having a separation layer; forming at least a TFT element on the resin substrate; and peeling the resin substrate from the fixed substrate within the separation layer at an interface thereof, by irradiating the separation layer with a laser beam.
分離層を有する固定基板上に樹脂基板を形成する工程と、前記樹脂基板上に少なくともＴＦＴ素子を形成する工程と、前記分離層にレーザー光を照射することにより、前記分離層の層内または界面において前記固定基板から前記樹脂基板を剥離する工程とを行い、前記樹脂基板を用いた柔軟性を有する表示装置を作製する。 - 特許庁 - The electrode for the fuel cell for forming a fuel electrode and an air electrode is equipped with an electrode substrate; a first channel formed on the electrode substrate; a first hydrophilic interface formed on the inner surface on one side of the first channel and guiding liquid; and a first hydrophobic interface formed so as to face the first hydrophilic interface and guiding gas.
本発明による燃料電池用電極、燃料電池の燃料極と空気極とを形成する燃料電池用電極であって、電極基材と、電極基材に形成される第１チャンネルと、第１チャンネルの一側の内面に形成され液体を誘導する第１親水性界面と、第１親水性界面と対向するように形成され気体を誘導する第１疎水性界面とを備えることを特徴とする。 - 特許庁 - To provide a manufacturing method of a silicon wafer for lowering an interface level between a surface silicon layer of an SOI substrate having an embedded oxide film and the embedded oxide layer, and also to provide a silicon wafer having a lower interface level manufactured by the manufacturing method.
埋め込み酸化膜を有するＳＯＩ基板の表面シリコン層と埋め込み酸化層との界面準位を低減できるシリコンウェーハの製造方法およびその製造方法で製造した界面準位の低いシリコンウェーハを提供する。 - 特許庁 - The incident angle ϕ_0 including incident angles at which amplitude reflectance on the p-polarized light component becomes a minimum value, respectively, in an interface between a thin film 24 and the substrate 22 and in an interface between a vacuum atmosphere and the thin film 24.
入射角φ_０は、薄膜２４と基板２２との界面、および真空雰囲気と薄膜２４との界面において、ｐ偏光成分についての振幅反射率が極小値となる入射角をそれぞれ含む所定の角度範囲内の値である。 - 特許庁 - In one constitution, the mold 100 for manufacturing the substrate includes the stamper 30, at least one holder 10 having the interface with the stamper and a vacuum pipeline 20 for applying holding force in order to keep the interface between the holder and the stamper.
１つの構成において、基板を製造するための型１００は、スタンパ３０と、スタンパとの界面を有する少なくとも１つのホルダ１０と、ホルダとスタンパとの間の界面１１を維持するために保持力を加えるための真空管路２０と、を含む。 - 特許庁 - To reduce interface level density on an interface between a silicon substrate and a gate insulating film, and to improve the mobility of a carrier on the gate insulating film in a field effect transistor provided with the gate insulating film, consisting of a high dielectric film containing hafnium.
ハフニウムを含む高誘電体膜からなるゲート絶縁膜を備えた電界効果トランジスタにおいて、シリコン基板とゲート絶縁膜との界面における界面準位密度を低減し、ゲート絶縁膜におけるキャリアの移動度を高めることにある。 - 特許庁 - To provide a semiconductor substrate which can reduce an interface state by terminating a dangling bond generated at the interface of a semiconductor layer with fluorine and can efficiently introduce the fluorine only to an active region even in the process of a low thermal history.
半導体層の界面に生じるダングリングボンドをフッ素で終端することで、界面準位を低減することができ、また、低熱履歴のプロセスでも活性領域のみへ効率よくフッ素を導入することができる半導体基板を提供する。 - 特許庁 - A digital processing circuit 11 and a latch circuit 12 are formed on a single semiconductor substrate by being integrated with a CD-ROM decoder 19 composed of an input interface circuit 13, an error correcting/detecting circuit 14 and an output interface circuit 15.
デジタル処理回路１１及びラッチ回路１２を、入力インタフェース回路１３、誤り訂正／検出回路１４及び出力インタフェース回路１５からなるＣＤ−ＲＯＭデコーダ１９と共に単一の半導体基板上に集積化して形成する。 - 特許庁 - To provide a semiconductor-on-insulator wafer capable of effectively preventing degradation of a semiconductor/insulator interface, especially degradation in electrical quality of the interface, by providing a diffusion barrier layer, especially an oxygen diffusion barrier layer, on one main surface of a source substrate.
拡散バリア層、特に酸素拡散バリア層をソース基板の１つの主面上に設けることにより、半導体／絶縁体界面の劣化、特に界面の電気的品質の劣化を有利に防止する半導体オンインシュレータウエハを提供する。 - 特許庁 - The separation structure 50 is a layer for generating distortion energy in at least one of the inside of the separation structure 50, the interface between the separation structure 50 and solar cell layer 20, and the interface of the separation structure 50 and seed substrate 1.
分離用構造体５０は、分離用構造体５０の内部、分離用構造体５０と太陽電池層２０との界面、及び、分離用構造体５０とシード基板１との界面、の少なくとも１つに歪みエネルギーを生じさせる層である。 - 特許庁 - First and second reflection prevention films 12d, 12e made of silicon nitride are formed in advance on the interface P2 between the SOI layer 16 and the insulating film 13 and on the interface P1 between the insulating film 13 and the support substrate 11 before applying laser beams.
レーザ光の照射に先立ち、ＳＯＩ層１６と絶縁膜１３との界面Ｐ２、および絶縁膜１３と支持基板１１との界面Ｐ１に、それぞれ窒化シリコンの第１および第２の反射防止膜１２ｄ，１２ｅを予め形成しておく。 - 特許庁 - A substrate surface 2 is irradiated with an electron beam 1 and has intensity for generating dislocation inside the substrate, and a range that is longer than the depth from the substrate surface 2 at the interface of two parts having different temperatures, in which a crystal defect begins to be generated in the depthwise direction of the substrate; and cracks with dislocation as a starting point are generated and form a cleavage plane 5, and the substrate is divided.
基板表面２に、その強さが基板の内部に転位を生じさせる強さであり、またその飛程が基板の深さ方向において結晶欠陥が生じ始める、温度が異なる２つの部分の界面の基板表面２からの深さよりも長い電子ビーム１を照射し、転位を起点としたクラックを発生させて劈開面５を形成し、基板を分割する。 - 特許庁 - In a method for fabricating a vertical light emitting device, separation or lift-off of a substrate 10 from a light emitting diode structure formed on the substrate 10 is facilitated by forming voids 13' at the interface between the substrate 10 and the light emitting diode structure where the separation or lift-off occurs.
垂直型発光素子の製造方法において、基板１０とＬＥＤ構造のインターフェースが分離するまたは剥離するところに隙間１３’を形成することで、基板１０を該基板１０に形成されたＬＥＤ構造から容易に分離または剥離できるようにする。 - 特許庁 - An annealing step (S102) in an atmosphere containing hydrogen for reducing the interface level density between a silicon oxide film and a silicon substrate is provided between a step (S101) for forming a silicon oxide film on a silicon substrate and a processing step (S103) for inducing charges in the silicon oxide film or the silicon substrate.
シリコン基板にシリコン酸化膜を形成する工程（Ｓ１０１）と、シリコン酸化膜又はシリコン基板にチャージを誘起する処理工程（Ｓ１０３）との間に、シリコン酸化膜とシリコン基板との間の界面準位密度を低減するための水素を含む雰囲気でのアニール工程（Ｓ１０２）を備える。 - 特許庁 - The thin-film transistor is an MOS type thin-film transistor formed on an insulating substrate, wherein the interface state density of the gate insulating film of silicon oxide composing the thin-film transistor is 2×10^11/cm^2 eV or lower, and the insulating substrate is a plastic substrate.
また、本発明の薄膜トランジスタは、絶縁基板上に形成されたＭＯＳ型の薄膜トランジスタであって、その薄膜トランジスタを構成する酸化シリコンからなるゲート絶縁膜の界面準位密度が２×１０^１１／ｃｍ^２ｅＶ以下であり、絶縁基板がプラスチック基板である。 - 特許庁 - Since the metal oxide membrane 11a is arranged between the glass substrate 20a and the metal membrane 12a in the peripheral part of the substrate, when the dielectric 13a is etched by hydrofluoric acid, the etchant does not penetrate into the interface, thereby the metal membrane 12a (electrode) is not separated from the substrate, preventing a defect.
基板周縁部には、ガラス基板２０ａ，金属膜１２ａ間に金属酸化膜１１ａが配置されていることにより、誘電体１３ａをフッ酸でエッチングした場合に、エッチャントがその界面に浸透することはなく、金属膜１２ａ（電極）が基板から剥離する不具合を防止できる。 - 特許庁 - The die attach film with dicing sheet function comprises a substrate film (I); an adhesive layer; a substrate film (II); and a film like adhesive layer arranged in this order, wherein an interface of the substrate film (II) on the side of the film like adhesive layer has been subjected to release processing.
本発明は、基材フィルム（Ｉ）、粘着剤層、基材フィルム（II）およびフィルム状接着剤層がこの順に構成されてなるダイアタッチフィルムであって、基材フィルム（II）のフィルム状接着剤層側の界面が離型処理されていることを特徴とするダイシングシート機能付きダイアタッチフィルムを提供する。 - 特許庁 - When applying thermocompression bonding onto a glass substrate 11 and a metal wiring material 12, Si on the surface of the glass substrate 11 and alkoxyl group (OR) of disulfide silane terminal modified with hydrophobic silica 14 are reacted each other on an interface between a glass substrate 11 and an anisotropic conductive material 13, and they are chemically bonded to each other.
ガラス基板１１と金属配線材１２とを熱圧着させると、ガラス基板１１と異方性導電材料１３との界面において、ガラス基板１１表面のＳｉと疎水シリカ１４に修飾されたジスルフィドシラン末端のアルコキシル基（ＯＲ）とが反応し、化学結合する。 - 特許庁 - To provide a highly reliable semiconductor circuit board having a thick copper pattern layer and exhibiting excellent heat cycle resistance in which thermal stress due to difference of the coefficient of thermal expansion between a copper pattern and an insulating substrate is suppressed, stripping of the bonding interface between the copper pattern and the insulating substrate or cracking of the insulating substrate is retarded.
銅パターンと絶縁基板の熱膨張係数差による熱応力が小さく、銅パターンと絶縁基板の接合界面の剥離や絶縁基板２の割れが生じ難く、銅パターン層が厚く、耐ヒートサイクル性に優れた高い信頼性を有する半導体回路基板を提供すること。 - 特許庁 - To significantly improve the operational performance and reliability of an element by reducing the interfacial level in the interface between the semiconductor layer and insulating layer of an SOI substrate and improving the carrier mobility of the substrate when improving the operating speed of a semiconductor device, reducing the power consumption of the device, and so on, by using the SOI substrate.
ＳＯＩ基板を用いてデバイスの高速動作化や低消費電力化等を図るに際して、ＳＯＩ基板の半導体層と絶縁層との界面準位を低減し、キャリア移動度を向上させて素子動作性能及び信頼性の大幅な向上をもたらす。 - 特許庁 - To check the quality of a light emitting component in a first electronic substrate independently when the first electronic substrate for a man-machine interface includes the light emitting component for notifying a power saving state which is turned on by control from another second electronic substrate in an image processing apparatus.
画像処理装置において、マンマシンインターフェース用の第１電子基板が、他の第２電子基板からの制御によって点灯される節電状態の通知用の発光部品を含んでいる場合に、その発光部品の良否を、第１電子基板単独でチェックすることができること。 - 特許庁 - A CNT assembly film is pressurized on a substrate, formed with a soft metal thin film with high pressure within a range in which the substrate is not deformed, and in a state of the interface layer of the CNT assembly film being sunk into the soft metal with high ductility, the substrate and the CNT assembly film are adhered.
ＣＮＴ集合体膜を軟質金属の薄膜が形成された基板に、基板が変形しない範囲の高い圧力で加圧し、ＣＮＴ集合体膜の界面層は変形能の高い軟質金属にめり込んだ状態で基板とＣＮＴ集合体膜を接着させる。 - 特許庁 - When an oxide buffer layer 18 having a high oxygen dispersion property is allowed to grow epitaxially on a silicon substrate 14 and then the layer 18 is treated at a high temperature under a high oxygen atmosphere, an SiO_2 layer 16 is formed on an interface between the silicon substrate 14 and the buffer layer 18, and the ground substrate 12 is obtained.
シリコン基板１４上に、高酸素拡散性を有する酸化物緩衝層１８をエピタキシャル成長させたのち、高酸素雰囲気下で高温処理することにより、シリコン基板１４と酸化物緩衝層１８の界面にＳｉＯ_２層１６が形成され、下地基板１２が得られる。 - 特許庁 - A translucent material 15 having a high refractive index is filled between the one face 10a of the translucent substrate 10 and a support substrate 19 with the shielding conductive layer 18 formed thereon, so that no reflective interface exists between the translucent substrate 10 and the shielding conductive layer 18.
また、透光性基板１０の一方面１０ａと、シールド用導電層１８が形成された支持基板１９との間には高屈折率の透光性材料１５が充填されているため、透光性基板１０とシールド用導電層１８との間には、反射性の界面が存在しない。 - 特許庁 - The optical film is made by disposing a hard coat layer, a high gradient-index hard coat layer and a low refractive index layer on a substrate, wherein a refractive index in the neighborhood of an interface between the hard coat layer and the substrate is continuously changed or a refractive index of the hard coat layer is approximated to the refractive index of the substrate.
基材上にハードコート層、高屈折率傾斜ハードコート層、及び低屈折率層を設けた光学フィルムであって、ハードコート層と基材の界面近傍の屈折率が連続的に変化してなるか、又はハードコート層の屈折率が基材の屈折率と近似してなる光学フィルム。 - 特許庁 - To suppress increase in roughness of an interface between a TiSix layer and an Si semiconductor substrate, which is caused at formation of the TiSix layer which is formed by reacting a Ti layer to the Si semiconductor substrate in the case where the Ti layer, which is a contact material, is deposited on the Si semiconductor substrate by a CVD method in the method of manufacturing a semiconductor device.
半導体装置の製造方法に関し、コンタクト材であるＴｉをＣＶＤで堆積した場合、ＴｉとＳｉとが反応してＴｉＳｉ_x が生成され、それに起因して発生するＴｉＳｉ_x ／Ｓｉ界面のラフネス増大を抑制しようとする。 - 特許庁 - An epitaxial layer 2 is grown on a high-resistance semiconductor substrate 1 containing high-concentration interstitial oxygen and thereafter, the substrate 1 is heat treated at a high temperature in an oxidizing atmosphere, and an SiO2 layer type region 3 is deposited in the interface between the substrate 1 and a layer 2.
高濃度の格子間酸素を含んだ高抵抗の半導体基板１にエピタキシャル層２を成長させたのち、半導体基板１を酸化性雰囲気中で高温で熱処理し、半導体基板１とエピタキシャル層２との界面にＳｉＯ_2の層状領域３を析出させる。 - 特許庁 - At this time, the semiconductor device has the substrate surface 25 treated with the chemicals to prevent a film from being formed on an interface between the substrate 8 and polysilicon film 32, and the heat treatment for diffusing impurities into the substrate 8 from the polysilicon film 32 can be completed at lower temperature or in a shorter time.
このとき、半導体装置は、基板表面２５が薬液で処理されることにより、基板８とポリシリコン膜３２との界面に膜が形成されることが防止され、ポリシリコン膜３２から基板８に不純物を拡散させる熱処理を低温化し、または、短時間化することができる。 - 特許庁 - To make joint strength higher and to make resistive component of a joint interface sufficiently lower, when a conductive substrate is joined to a laminate constituted by forming a GaN semiconductor on a substrate, and then the substrate on the laminate side is removed to manufacture a GaN semiconductor light emitting element.
基板上にＧａＮ系半導体を形成してなる積層体に導電性基板を接合し、その後積層体側の基板を除去してＧａＮ系半導体発光素子を製造する際に、接合強度を高くできかつ接合界面の抵抗成分も十分に低くできるようにする。 - 特許庁 - The ceramic-made wiring board comprising the ceramic-made insulating substrate and the wiring conductor layer which is joined with at least one surface of the insulating substrate is characterized in that the mathematical mean roughness of the interface of the conductor layer which is joined with the insulating substrate is ≤1.0 μm.
セラミック製絶縁基板と、該絶縁基板の少なくとも一方の表面に接合された配線導体層とからなるセラミック製配線基板において、前記導体層の絶縁基板と接合する界面での算術平均粗さが１．０μｍ以下であることを特徴とする。 - 特許庁 - The semiconductor device is constructed in such a manner that a back metal electrode film 7a on the back of the semi-insulating GaAs substrate 1 is ohmic-joined with the semi-insulating GaAs substrate 1, and a side metal electrode film 7b on the side of a via hole 6 is ohmic-joined on the interface with the semi-insulating GaAs substrate 1.
半絶縁性GaAs基板１の裏面に形成された裏面金属電極膜７ａが、半絶縁性GaAs基板１とオーミック接合し、バイアホール６の側面に形成された側面金属電極膜７ｂが、半絶縁性GaAs基板１との界面でオーミック接合した構造とする。 - 特許庁 - Thereafter, the substrate is transferred from a conveying robot TR1 to an aligner via an interface IF, and after an exposing process is ended, it is again returned to the conveying robot TR1.
その後、当該基板は搬送ロボットＴＲ１からインターフェイスＩＦを介して露光装置に渡され、露光処理終了後再び搬送ロボットＴＲ１に戻される。 - 特許庁 - When preventing interface peeling by mitigating the film stress, the stress direction in the film is set to be the same as the stress direction in the film-deposited face of the substrate for film deposition.
膜応力を緩和して界面剥離を防止することを目的とする場合、膜の応力方向と、成膜用基板の成膜面での応力方向とを同方向とする。 - 特許庁 - The seal ring 40 passes through the interface between the group of insulating films 20 and the group of interlayer insulating films 30, and is located apart from the semiconductor substrate 10.
シールリング４０は、層間絶縁膜群２０と層間絶縁膜群３０との間の界面を貫通し、且つ半導体基板１０と離間して設けられている。 - 特許庁 - A personal digital cellular(PDC) connector 23 is provided on the side of an opening edge of a connector casing 22 and a circuit substrate 24 constituting an interface circuit is housed inside the connector easing 22.
コネクタケーシング２２の開口端側にはＰＤＣコネクタ２３を設けると共に、コネクタケーシング２２内にはインターフェイス回路を構成する回路基板２４を収容する。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing a new compound semiconductor epitaxial wafer by which the adverse effect by the contamination with impurities at the interface between an epitaxial layer and a substrate can be avoided.
エピタキシャル層と基板界面の不純物汚染による悪影響を未然に回避できる新規な化合物半導体エピタキシャルウェハの製造方法の提供。 - 特許庁 - A first layer film 120 is formed on the surface of a substrate 110 and a second layer film 130 is formed on the surface of the first layer film 120, by direct bonding by interface activation.
界面活性化による直接接合によって、基板１１０の表面に第一層膜１２０、第一層膜１２０の表面に第二層膜１３０を形成する。 - 特許庁 - To efficiently manufacture a SIMOX substrate which has little defect such as threading dislocation, has a highly safe SOI layer, and has a surface and an interface of high flatness.
貫通転位などの欠陥が少なく、完全性の高いＳＯＩ層を有し、かつ、平坦度の高い表面及び界面を有するＳＩＭＯＸ基板を効率良く製造する。 - 特許庁 - To offer the manufacturing method of semiconductor devices which can maintain film quality of a thick gate oxide film adjacent to an interface of a silicon substrate and which can prevent the deterioration of the device characteristics.
シリコン基板界面近傍の厚ゲート酸化膜の膜質を良好に維持し、デバイス特性の低下を防いだ有効な半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide an interface device and a memory access device having simple constitution capable of easily writing a control program and data in a state where a memory is loaded in an internal substrate.
メモリを内部基板に搭載した状態で制御プログラム及びデータを容易に書き込むことができる簡易な構成のインターフェース装置及びメモリアクセス装置を提供する。 - 特許庁 - To provide a method and a structure to reduce generation of a failure due to a weak interface of metal and ceramic under an input/output pad of an MLC(multiplayer ceramic) substrate.
ＭＬＣ基板の入出力パッドの下の、金属とセラミックとの境界面の弱い力による故障の発生を減少させる方法および構造を提供する。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing an ultrathin SOI substrate which has an even thickness necessary for manufacturing a nano semiconductor device and has an excellent interface characteristic with high quality.
ナノ級半導体素子の製作に必須な均一な厚み及び高品質の良好な界面特性を有する超薄型ＳＯＩ基板の製造方法を提供する。 - 特許庁 - Consequently, even when reliability evaluation such as a temperature cycle test is performed, the peeling of bonding interface between the insulating substrate 1 and base conductor layer 3a can be suppressed.
このことにより温度サイクル試験などの信頼性評価を行った場合においても絶縁基板１と基礎導体層３ａとの接合界面の剥がれを抑制できる。 - 特許庁 - As described above, C is prevented from piling up, thereby suppressing the formation of a high resistance layer in the interface between the epitaxial layer 22 and the group III nitride semiconductor substrate 10.
このようにＣのパイルアップを抑制することで、エピタキシャル層２２とＩＩＩ族窒化物半導体基板１０との界面における高抵抗層の形成が抑制される。 - 特許庁 - To improve reliability of satisfactory recording quality by preventing the occurrence of peeling-off on an interface between a coating resin layer and a substrate even when an ink discharge head is lengthened.
インク吐出ヘッドを長尺化した場合であっても被覆樹脂層と基板との界面に剥離が発生するのを防ぎ、良好な記録品質の信頼性を向上する。 - 特許庁 - To improve extraction efficiency of light extracted outside by reducing light totally reflected at an interface between an air layer and a substrate positioned at an element uppermost surface.
素子最表面に位置する基板と空気層との界面で全反射される光を減らすことにより、外部に取り出される光の取り出し効率の向上を実現する。 - 特許庁 - The substrate W temperature-adjusted by the cooling unit CP is held by a hand H11 of the interface transportation mechanism IFR1 and then transported to an exposure device.
冷却ユニットＣＰにより温度調整された基板Ｗがインターフェース用搬送機構ＩＦＲ１のハンドＨ１１により保持されて露光装置に搬送される。 - 特許庁 - The substrate processing equipment 500 includes an indexer block 9, an anti-reflection film processing block 10, a resist film processing block 11, a development processing block 12, and an interface block 13.
基板処理装置５００は、インデクサブロック９、反射防止膜用処理ブロック１０、レジスト膜用処理ブロック１１、現像処理ブロック１２およびインターフェースブロック１３を備える。 - 特許庁 - The fine pattern is formed by condensing a particularly ultrashort pulse laser beam to focus on an interface between a substrate and a photosensitive resin layer so as to react the photosensitive resin layer.
特に極短パルスレーザを、その焦点が基板と感光性樹脂層との界面に位置するように集光して、感光性樹脂層を反応させて微細パターンを形成する。 - 特許庁
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