「substrate interface」を含む例文一覧(1149)
＜前へ 1 2 .... 5 6 7 8 9 10 11 12 13 .... 22 23 次へ＞- Consequently, remelted connection solder 13 can be inhibited from exfoliating the interface between the substrate electrode 9 and the insulation layer 11 and flowing out.
これにより、再溶融した接続半田１３が基板電極９と絶縁層１１との界面を剥離させて流出することを抑制することができる。 - 特許庁 - Since the supporting member 16 is pulled up at a low speed until it passes the gas-liquid interface, the substrate W can be dried fully by dry air.
支持部材１６が気液界面を通過するまでは遅い速度で引き上げるので、ドライエアによって充分に基板Ｗを乾燥させることができる。 - 特許庁 - To provide an organic EL element capable of easily forming an organic layer on a substrate, excellent in uniformity of a junction interface, and to provide a manufacturing method of the same.
有機層を簡便に基板上に形成でき、均一性及び良好な接合界面を有する有機EL素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁 - A laser beam, incident on the salient of the semiconductor film, is refracted, by a large amount and travels forward toward a substrate, while being totally reflected at an interface between the salient and the air.
半導体膜の凸部に入射したレーザビームは大きく屈折され、凸部と空気との界面で全反射されながら、基板に向かって進む。 - 特許庁 - To provide a body provided with a separating membrane, which is difficult to generate seal defects on the interface part between a separating membrane provided on the surface of a porous substrate and a seal part.
多孔質基体の表面に配設された分離膜とシール部との境界部分においてシール不良が生じ難い分離膜配設体を提供する。 - 特許庁 - In the surface acoustic wave angular velocity sensor, by making the perturbations spindle 6 of insulating material, the interface between the perturbations spindle 6 and a piezoelectric substrate 3 is prevented from being fixed to a constant potential.
摂動錘６を絶縁材料により構成することで、摂動錘６と圧電基板３との界面が等電位に固定されないようにする。 - 特許庁 - To enable to prevent malfunction such as cracks which occur in an interface between a substrate and a conductor wiring without increasing a resistance value of the conductor wiring.
導体配線の抵抗値を増大させることなく、基板と導体配線との界面に発生するクラック等の不具合を防止することができるようにする。 - 特許庁 - The oxidation-resistant film 12 comprises a composite oxide having different compositions in an interface 12a with the cermet substrate 11 and in an outermost surface 12b from each other.
耐酸化膜１２は、サーメット基材１１との界面１２ａと、最表面１２ｂとで異なった組成を有する複合酸化物によって構成される。 - 特許庁 - Liquid crystal molecules (50a) on the interface of the liquid crystal layer for the TFT array substrate are given a pretilt angle corresponding to the prescribed angle of the inclined surfaces.
液晶層のＴＦＴアレイ基板との界面における液晶分子（５０ａ）は、傾斜面によって所定角度に対応するプレチルトが付与されている。 - 特許庁 - Hydrogen atoms are thereby diffused in a semiconductor device and coupled with dangling bonds existing on the interface between the silicon oxide film and the silicon substrate.
このアニール工程により、水素原子が半導体装置内を拡散し、シリコン酸化膜とシリコン基板界面に存在するダングリングボンドと結合する。 - 特許庁 - A dug portion 6 which is lower than the interface between the gate insulating film 2 and semiconductor substrate 1 is provided on surfaces of the two impurity diffusion layers 4.
２個の不純物拡散層４の表面に、ゲート絶縁膜２と半導体基板１との界面より低くなった掘り込み部６が設けられている。 - 特許庁 - To provide a gas detection device having excellent bonding stability of an interface between a conversion electrode and a solid electrolyte substrate, and stable sensitivity characteristic and detection performance.
変換電極と固体電解質基板との界面の接合安定性に優れ、安定した感度特性・検知性能を有するガス検出装置を提供する。 - 特許庁 - Consequently, about ≥97.7% of laser light generated from the active layer 5 is distributed on the upper layer of the interface between the n-type substrate 1 and the buffer layer 11.
これにより、活性層５で発生するレーザ光の約９７．７％以上は、ｎ型基板１とバッファ層１１との界面よりも上層に分布する。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing a dual interface IC card which is excellent in designability by stabilizing the joint between a card base material and an external connection terminal substrate.
カード基材と外部接続端子基板との接合が安定しており、かつデザイン性に優れたデュアルインターフェースＩＣカードの製造方法を提供する。 - 特許庁 - The space layer 2 functions as a low-refractive-index layer such that light incident from a transparent electrode layer 3 is refracted by the interface between the space layer 2 and the substrate 1.
空間層２は低屈折率層として機能し、透明電極層３側より入射してきた光は空間層２と基板１との界面で屈折する。 - 特許庁 - To provide a semiconductor device reducing an interface resistance of a metal semiconductor compound electrode provided on a semiconductor substrate, and to provide a method for manufacturing the same.
半導体基板上に設けられる金属半導体化合物電極の界面抵抗を低減する半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁 - In the semiconductor light-emitting device, irregularities having a sloped side surface is formed on a surface of a substrate or a lamination interface between semiconductors.
本発明は、半導体発光素子において、基板の表面又は半導体同士の積層界面に側面が傾斜した凹凸を形成したものである。 - 特許庁 - The compound semiconductor crystal may also be cut by irradiating the laser in a direction parallel to an interface between the compound semiconductor crystal and the base substrate.
化合物半導体結晶と下地基板との界面に平行な方向にレーザを照射することで化合物半導体結晶を切断加工してもよい。 - 特許庁 - The group III-V nitride crystal film wherein a spinel phase comprising zinc, gallium, and oxygen is present at the interface between the substrate and the nitride crystal film is also provided.
さらに、該基板と該族窒化物結晶膜との界面に亜鉛とガリウムと酸素からなるスピネル相が介在するＩＩＩ−Ｖ族窒化物結晶膜。 - 特許庁 - A p^+ impurity area 4 is formed in the n^- semiconductor layer 3 from the surface of the n^- semiconductor layer 3 to the interface of the p^- semiconductor substrate 1.
ｐ^+不純物領域４はｎ^-半導体層３の表面からｐ^-半導体基板１との界面にかけてｎ^-半導体層３内部に形成されている。 - 特許庁 - To increase nitrogen concentration in a gate insulating film, without increasing the nitrogen concentration near the interface between a substrate and the gate insulating film, to more than a required level.
基板とゲート絶縁膜との界面近傍における窒素濃度を必要以上に高くすることなく、ゲート絶縁膜中の窒素濃度を高める。 - 特許庁 - To provide a liquid crystal optical element and an optical head device that can reduce an optical reflection coefficient at an interface between a transparent electrode film and a substrate.
透明電極膜と基板との界面における光の反射率を低減できる液晶光学素子および光ヘッド装置を提供すること。 - 特許庁 - In an embodiment, the memory device is provided with a nonvolatile memory array 302 and a nonvolatile buffered memory interface integrated therewith on a substrate.
一実施形態では、メモリデバイスは、不揮発性メモリアレイ(302)と、メモリアレイ(302)と共に基板上に集積された不揮発性バッファ化メモリインターフェースとを備えることができる。 - 特許庁 - The channel region and the gate dielectric regions are directly and physically brought into contact with each other with an interface practically perpendicular to the top substrate surface between.
チャネル領域およびゲート誘電体領域は、上部基板面に実質的に垂直である界面を介して互いに直接物理的に接触している。 - 特許庁 - Light emitted from a substrate side is totally reflected at the interface to irradiate the metal arranged in the opening portion with evanescent light.
界面において全反射するように、かつ、開口部に配置された金属にエバネッセント光が照射されるように、基材側から光を照射する。 - 特許庁 - To provide a substrate for power module excellent in thermal cyclic reliability, the substrate being capable of preventing an occurrence of an undulation or a wrinkle on a surface of a circuit layer and preventing a thermal stress from acting on a junction interface between a ceramic substrate and the circuit layer during a thermal cyclic loading.
熱サイクル負荷時において、回路層の表面にうねりやシワが発生することを抑制でき、かつ、セラミックス基板と回路層との接合界面に熱応力が作用することを抑制でき、熱サイクル信頼性に優れたパワーモジュール用基板を提供する。 - 特許庁 - In a semiconductor substrate where an SiGe layer 2 is formed on an Si substrate 1, a crystal defect region 6 or a structure region 6a for facilitating generation or concentration of dislocation is formed on the interface of the Si substrate 1 and the SiGe layer 2.
Ｓｉ基板１上に、ＳｉＧｅ層２が積層された半導体基板において、Ｓｉ基板１とＳｉＧｅ層２との界面に、転位を発生あるいは集中し易くするための結晶欠陥領域６あるいは構造領域６ａが形成されている。 - 特許庁 - The interface IF, via which the substrate is delivered between the removing unit 5, in which the organic substances are removed from the substrate, and the drying unit 9, in which the substrate subjected to the removing processing is dried, is held between the drying unit 9 and the removing unit 5.
そして、除去処理が行われた基板の乾燥処理を行う乾燥処理部９と除去処理部５との間に挟み込まれるようにして、除去処理部５と乾燥処理部９との間で基板の受け渡しを行うインターフェイスＩＦが設けられている。 - 特許庁 - A peeling apparatus 1 as the apparatus for manufacturing the thin film electronic device peels a transfer source substrate 30 and a transfer destination substrate 40 having been stuck together with a body to be transferred interposed along a lamination interface between the body to be transferred and transfer source substrate 30.
薄膜電子デバイスの製造装置としての剥離装置１は、被転写体を挟んで貼り合わされた転写元基板３０と転写先基板４０とを、被転写体と転写元基板３０との間の積層界面において剥離する装置である。 - 特許庁 - A substrate W where resist films are formed is placed on a substrate placement part PASS9, and then is passed to a sending substrate placement part SPASS by a delivery robot BR on an interface block 5, further being sent out to an exposure unit EXP by a sending transfer robot SBR.
レジスト膜が形成された基板Ｗは基板載置部ＰＡＳＳ９に載置された後、インターフェイスブロック５の受渡ロボットＢＲによって送り基板載置部ＳＰＡＳＳに渡され、さらに送り搬送ロボットＳＢＲによって露光ユニットＥＸＰに送り出される。 - 特許庁 - The ink is heated sufficiently rapidly that heat transfer from the ink to the substrate is sufficiently small during the leveling that ink at the substrate interface is cooled to a temperature below the viscosity threshold temperature thereby preventing any significant ink permeation into the substrate.
インクを十分素早く加熱し、したがってインクから下地への熱伝達を平滑化期間中は十分に小さくし、これにより下地界面のインクを粘性閾値温度未満の温度に冷却し、それによって下地への相当量のインクの浸透を阻止する。 - 特許庁 - Since the layer 4' is provided, the light advancing from the transparent electrode 3 side to the layer 4' is incident on the interface between the substrate 5 and the layer 4' at an incident angle nearly vertical to the substrate surface of the substrate 5, and the total reflection on the air layer 7 side of the transparent substrate 5 is thus reduced.
低屈折率層４’を設けているので、透明電極層３側から低屈折率層４’に進入した光が基板５の基板面と垂直に近い入射角にて基板５と低屈折率層４’との界面に入射するようになり、透明基板５の空気層７側で全反射が減少する。 - 特許庁 - The method comprises the steps of forming a strained Ge-containing layer on the front surface of an Si-containing substrate, implanting ions into the interface of the Ge-containing layer/the Si-containing substrate or under the interface, and forming the substantially-relaxed SiGe alloy layer, in which the flat surface defect density is decreased.
本発明の方法は、Ｓｉ含有基板の表面上に歪みＧｅ含有層を形成するステップと、Ｇｅ含有層／Ｓｉ含有基板の界面にまたは界面の下にイオンを注入するステップと、加熱を行って、平面欠陥密度が低下した、実質的に緩和したＳｉＧｅ合金層を形成するステップと、を含む。 - 特許庁 - Further, the liquid is supplied toward the substrate surface Wf on the upstream side interface 231a of the liquid-tight layer 23 or on the downstream side (-X) in the moving direction from the upstream side interface 231a and displaced by fresh liquid to which a rinse liquid (a liquid) coming into contact with the substrate surface Wf is additionally supplied.
さらに、液密層２３の上流側界面２３１ａまたは該上流側界面２３１ａよりも移動方向の下流側（−Ｘ）において液体を基板表面Ｗｆに向けて供給し、基板表面Ｗｆと接液するリンス液（液体）を追加供給されたフレッシュな液体に置換している。 - 特許庁 - Thus, a compressive force is acted on an adhesion interface between an inner surface of the outer cylinder member 20 and the vibration-proof substrate 30, thereby removing tensile strain of the adhesion interface between the outer cylinder member 20 and the vibration-proof substrate 30 to ensure the durability of the vibration-proof device 1 without performing drawing on the outer cylinder member 20.
これにより外筒部材２０の内面と防振基体３０との接着界面に圧縮力を作用させ、外筒部材２０に絞り加工を行うことなく、外筒部材２０と防振基体３０との接着界面の引張ひずみを除去することができ、防振装置１の耐久性を確保できる。 - 特許庁 - A cavity 15 is formed by selectively etching the GaAs crystal of the substrate 11 from the lateral direction in the interface between the conductive layer 12 and the substrate 11, in which misfit transitions exist at a high density due to the difference in lattice constant between the InAs and GaAs.
ＩｎＡｓとＧａＡｓの格子定数差から界面に高密度のミスフィット転移が存在しているＧａＡｓ結晶を選択的に横方向からエッチングすることにより空孔１５を形成している。 - 特許庁 - To provide a method for the surface treatment of a substrate which is capable of suppressing the spread of ink droplets while preventing the deterioration of interface adhesion between the substrate and the droplets, and a method for forming fine wiring using it.
基板とインク液滴との間の界面接着力の劣化を防止しながら、液滴の拡散を抑制することができる、基板の表面処理方法及びこれを用いた微細配線の形成方法を提供する。 - 特許庁 - A reaction phase formed through reaction of ceramics component in the ceramics substrate layers 21, 24 and glass component in the surface conductor 5 is deposited on the interface of the ceramics substrate layers 21, 24 and the surface conductor 5.
セラミックス基板層２１，２４中のセラミックス成分と表面導体５中のガラス成分とが反応することにより形成された反応相がセラミックス基板層２１，２４と表面導体５の界面に析出している。 - 特許庁 - Consequently, the intensity variation of the detected reflected light is mainly caused by the interference between the reflected light from the interface between the surface of the substrate 1 and a resist mask, and that from the surface of the substrate 1 on which the etching is in progress and can be detected with high accuracy.
検出した反射光の強度変化は基板１表面とレジストマスクの界面の反射光とエッチングが進行する基板１の表面の反射光との干渉が主になり高精度に検出できる。 - 特許庁 - To provide a metallic pattern forming method capable of forming a minute metallic pattern without performing an etching process, the metallic pattern which is excellent in bonding properties with a substrate, has sufficient conductivity, and has small unevenness on an interface with the substrate.
エッチング工程を行うことなく微細な金属パターンの形成が可能で、基板との密着性に優れ、十分な導電性を有し、基板との界面における凹凸が小さな金属パターン形成方法の提供。 - 特許庁 - The variable resistance element 1 is constructed, in a manner such that a first barrier film 15 (15a) is formed, in a direction orthogonal to a substrate surface of a semiconductor substrate 11 on an interface between a sidewall insulating film 16 and first insulating film 13.
可変抵抗素子１は、サイドウォール絶縁膜１６と第１絶縁膜１３の境界において、半導体基板１１の基板面と直交する方向に第１バリア膜１５（１５ａ）が成膜されている。 - 特許庁 - A groove structure is formed by arranging metal wires 2 in parallel on a substrate 1, wherein, by making each of metal wires 2 thick on the substrate 1 and thin on the upper part thereof, interface reflection at both parts can be reduced.
基板１の上に、金属ワイヤ２を平行に配列して溝構造を形成するが、この金属ワイヤ２を基板１上で太く、上部で細くすることにより、両者での界面反射を小さくすることができる。 - 特許庁 - A method for setting a treatment recipe with respect to a final product or a treatment of a substrate and a substrate treatment setting support device equipped with a user interface that enables the implementation of the method are provided.
本発明は、最終的な生産物や基板に対する処理を基準とした処理レシピの設定が可能な方法及びそれを可能にするユーザインターフェースを備えた基板処理設定支援装置を提供する。 - 特許庁 - By optimizing the quantity of the introduced gas and an irradiation condition of the primary ion beam, a matrix effect between the compound and the substrate is removed, and simultaneously the position of the compound film/substrate interface can be specified.
導入するガス量および一次イオンビームの照射条件を最適化することにより、化合物と基板におけるマトリックス効果を解消すると同時に、化合物膜／基板界面の位置を特定することが可能となる。 - 特許庁 - A silicon substrate 1 covered with the film 5a is subjected to a thermal oxidation treatment in an oxygen atmosphere at a temperature of 900 to 1100°C, whereby the interface 7 between a silicon thermal oxide film 6 and the substrate 1 is roughened.
多結晶シリコン膜５で被覆されたシリコン基板１に、温度９００〜１１００℃、酸素雰囲気の下で熱酸化処理を施すことにより、シリコン熱酸化膜６とシリコン基板１との界面７を凹凸状にする。 - 特許庁 - To provide a method for joining a component and a Si substrate by heating, to a high temperature, a limited narrow area only of the interface between the joint surface of the component made of a Si lump as a base material and the joint surface of the Si substrate.
素子を形成するSi塊母材で形成された素子の接着面とSi基板の接着面とが接する界面の限られた狭い領域のみを高温にすることによって、素子とSi基板とを接着する。 - 特許庁 - The (111) plane of the substrate including any point on the interface between the second epitaxial crystal layer and the substrate is surrounded by the element isolation insulating film in a region deeper than the second epitaxial crystal layer.
前記第２のエピタキシャル結晶層と前記基板との界面上の任意の点を含む前記基板の（１１１）面は、前記第２のエピタキシャル結晶層よりも深い領域で前記素子分離絶縁膜に囲まれる。 - 特許庁 - To provide a semiconductor device and a method of manufacturing the same which increase a breakdown voltage by having an embedded layer on an interface between a semiconductor substrate and an epilayer formed on the semiconductor substrate.
半導体基板と半導体基板上に形成されたエピ層との界面に埋め込み層を有す半導体装置において、十分な高耐圧化を図ることができる半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁 - Since the p-type region 12 and the n-type region 13 are formed in the vicinity of the interface of the semiconductor substrate 11 and an insulating layer 14, the careiers generated in the semiconductor substrate 11 can be taken in at a high speed.
半導体基板１１と絶縁層１４との界面近傍にｐ型領域１２およびｎ型領域１３が設けられているので、半導体基板１１で発生するキャリアを高速に取り込むことができる。 - 特許庁 - The problem can be solved by the thin-film laminated body providing a light transmitting substrate, an antistatic layer and a hard coating layer in the order on the light transmitting substrate wherein an interface between the light transmitting substrate and the antistatic layer does not substantially exist and/or an interface between the antistatic layer and the hard coating layer does not substantially exist.
光透過性基材と、該光透過性基材の上に、帯電防止層とハードコート層とをこれらの順で備えてなる薄膜積層体であって、前記光透過性基材と前記帯電防止層の界面が実質的に存在せず、および／または、前記帯電防止層と前記ハードコート層の界面が実質的に存在しないものである薄膜積層体により達成される。 - 特許庁
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