「substrate interface」を含む例文一覧(1149)
＜前へ 1 2 .... 4 5 6 7 8 9 10 11 12 .... 22 23 次へ＞- The oxidized film 3 has an opening through which the reacted layer 8 is passed and is arranged in contact with the surface of the substrate 1 so as to cover the interface between the substrate 1 and area 2.
熱酸化膜３は、加熱反応層８が貫通する開口部を有し、且つＳｉＣ基板１とｐ型ＳｉＣ領域２との界面を覆うように、ＳｉＣ基板１の表面に接して配置されている。 - 特許庁 - Light emitted out of an active layer is reflected by the recessed and projected parts into various directions in the direction of the Ga_2O_3 substrate whereby total reflection at the interface of the Ga_2O_3 substrate is suppressed, thereby improving the take-out efficiency of light.
凹凸部により活性層から出る光がＧａ_２Ｏ_３基板方向へ種々の方向に反射され、Ｇａ_２Ｏ_３基板界面での全反射を抑制し、光の取出し効率が向上する。 - 特許庁 - A communication confirmation test is executed from the line interface substrate 7S to the active system control substrate C0 under the state to confirm the normality of the stand-by system communication line.
そしてこの状態から、回線インタフェース基板７Ｓから運用系制御基板Ｃ０に対して疎通確認試験を行うことにより、待機系通信路の正常性を確認するようにしている。 - 特許庁 - The first/second semiconductor substrates are directly bonded to each other by a silicon-to-silicon atomic bond at a bond interface, thereby configuring a sharp transition from the first substrate to the second substrate.
前記第１及び第２半導体基材は、結合界面においてシリコン−シリコン原子接合によって互いに直接接合され、それによって、第１基材から第２基材へシャープな遷移を提供する。 - 特許庁 - To restrain warpage of a substrate to improve the flatness thereof, and also to reduce stress caused due to the difference in the coefficient of thermal expansion between first and second underfill resins and applied to an interface between a chip and the substrate.
基板の反りを抑制してその平坦性を高め、且つ、第１及び第２のアンダーフィル樹脂の熱膨張係数差に起因してチップと基板との接合部に加わる応力を抑制する。 - 特許庁 - The partition wall 1012 is formed on the substrate 100, the insulation layer 124 is formed on the diaphragm 121, and the substrate 100 and the diaphragm 121 are bonded with the insulation layer 124 as an interface.
基材１００に隔壁部１０１２が形成され、振動板１２１に絶縁層１２４が形成され、絶縁層１２４を界面として基材１００と振動板１２１とが接合される。 - 特許庁 - Sub-channels (2) for discharging air are provided to the substrate plate for the microchip laminated on one substrate plate, which has flow channels (1) arranged thereto, on the laminating interface side along with the flow channels (1).
一方の基板にチャンネル流路（１）が配設されて積層されているマイクロチップのための基板上に、チャンネル流路（１）とともに積層界面側に空気排出用の副チャンネル（２）を設ける。 - 特許庁 - At least at a part 4 of the tunnel insulation film 5 in the vicinity of an interface with the semiconductor substrate 1, there provided is an electric charge trap level at which an electronic potential is higher than a Fermi level of the semiconductor substrate 1.
トンネル絶縁膜５のうち少なくとも半導体基板１との界面付近の一部４には、電子ポテンシャルが半導体基板１のフェルミレベルよりも高い電荷トラップ準位が設けられている。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing a thin film transistor substrate in which the thin film transistor substrate having high mobility as a transistor and low interface level density of a gate insulating film can be manufactured at low cost.
トランジスタとしての移動度が高く、ゲート絶縁膜の界面準位密度が低い薄膜トランジスタ基板を低コストで製造することができる薄膜トランジスタ基板の製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a passive valve capable of forming a stable water repellent film at a narrow gap part and a stable gas-liquid interface by bonding a substrate used as a lid on a passage substrate by employing an anodic bonding method.
陽極接合法を用いて流路基板に蓋となる基板を接合して、狭間隙部に安定な撥水膜を形成でき、安定な気液界面を形成できるパッシブバルブを提供することである。 - 特許庁 - To manufacture a composite optical element, which is composed of a glass substrate and a resin layer, by one-time molding, and to impart characteristics wherein a loss of light on an interface between the glass substrate and the resin layer is reduced to a low level.
ガラス基材と樹脂層からなる複合型光学素子を１回の成形により製造すると共に、ガラス基材と樹脂層との界面での光の損失を小さく抑えた特性を付与する。 - 特許庁 - In concrete, when a carrying out preparation signal is outputted from the exposure device, substrate conveyance means of interface portion are prior to other conveyance work, and convey the substrate on a conveyance stage to the cleaning portion.
具体的には露光装置から搬出準備信号が出力されたときに、インターフェイス部の基板搬送手段が他の搬送作業に優先して搬送ステージ上の基板を洗浄部に搬送する。 - 特許庁 - After crystal growth, when the temperature is reduced, a large strain occurs in the interface between the sapphire substrate 10 and the ZrB_2 layer 11 in a nano-column state, and thereby, the crystal growth layer 18 is easily separated from the sapphire substrate 10.
結晶成長後に降温すると、サファイア基板１０とナノコラム状態のＺｒＢ2層１１の界面に大きな歪みが生じ、サファイア基板１０から結晶成長層１８が容易に分離する。 - 特許庁 - In a third transferring method, a force for peeling the first substrate 1 is concentrated to the adhesive means 2 and the interface thereof with deformation of the elastic first substrate.
第３の転写方法では、第１の基板１を剥離させようとする力が、弾力性のある第１の基板１の変形によって、粘着手段２とその界面に集中的に作用するようにする。 - 特許庁 - In a second region 12 including the sidewall nearer on the semiconductor substrate 101 side rather than the first region 11, the metal-containing substrate film 13 has a metal layer 105 at the interface with the Cu film 107.
第一の領域１１よりも半導体基板１０１側の側壁を含む第二の領域１２において、金属含有下地膜１３は、Ｃｕ膜１０７との界面に金属層１０５を有する。 - 特許庁 - To restrain accumulation of carrier in an interface between an InAlAs buffer layer and an InP substrate in an epitaxial wafer of an n-type InAlAs/InGaAs system HEMT structure using InP in a substrate.
基板にＩｎＰを用いたｎ型ＩｎＡｌＡｓ／ＩｎＧａＡｓ系ＨＥＭＴ構造のエピタキシャルウェハにおいて、ＩｎＡｌＡｓバッファ層とＩｎＰ基板との界面におけるキャリアの蓄積を抑制することを可能とする。 - 特許庁 - According to this method, the first substrate and the second substrate are peeled under a negative pressure to enlarge the gap in the inside or interface of the peeling layer, so that peeling can be facilitated.
かかる方法によれば、負圧状態下で、前記第１基板と前記第２基板とを剥離することにより、剥離層の層内又は界面の隙間が膨張し、剥離を容易に行うことができる。 - 特許庁 - The CPU 25 connected with a user interface (UI) substrate 30 for controlling an operation panel 3 executes display control for a setting screen 10 via the UI substrate 30 based on a control program of a ROM 27.
ＣＰＵ２５は操作パネル３を制御するユーザインターフェース（ＵＩ）基板３０と接続され、ＲＯＭ２７の制御プログラムに基づきＵＩ基板３０を介して設定画面１０の表示制御を行う。 - 特許庁 - Subsequently, H^+ ions are implanted down to a depth below the interface of the strained SiGe layer 16 and the silicon substrate 10 and a trench 26 reaching the inside of the silicon substrate 10 is made by STI.
その後、歪ＳｉＧｅ層１６とシリコン基板１０との界面よりも下の深さにまでＨ^＋イオンを注入して、ＳＴＩによって、シリコン基板１０内に達するトレンチ２６を形成する。 - 特許庁 - In the analysis of a target substance using a light-transmitting substrate and a metal for inducing plasmon resonance, a low refractive index layer with an opening portion is used, which forms an interface with the substrate, and which has a lower refractive index than the substrate.
本発明は、光透過性の基板と、プラズモン共鳴を誘発する金属と、を用いた標的物質の分析において、基板と界面を形成し、基板よりも屈折率が低く、開口部が存在する低屈折率層を設けたことに関する。 - 特許庁 - In the optical recording medium provided with at least a transparent substrate and a recording layer adjacent to the transparent substrate, a reflection preventing structure of a projecting and recessed shape is formed in the interface between the transparent substrate and the recording layer so that a non-reflection condition is satisfied.
少なくとも透明基板と透明基板に隣接する記録層とを備えた光記録媒体であって、透明基板と記録層との界面に、無反射条件を満たすように凹凸形状の反射防止構造が形成されている。 - 特許庁 - In the substrate treatment apparatus, a prescribed time RT is determined, which is a time from a time when a interface block 5 receives a substrate W after exposure from an exposure unit EXP to a time when one of heating sections PHP7-PHP12 starts heat treatment to the substrate W after exposure.
露光ユニットＥＸＰからインターフェイスブロック５が露光後の基板Ｗを受け取った時点から加熱部ＰＨＰ７〜ＰＨＰ１２のいずれかにて当該基板Ｗの露光後加熱処理を開始するまでの規定時間ＲＴを決定する。 - 特許庁 - The fiscal printer 1 includes: a printer main substrate 5 mounted with a printer control CPU 3 and a print control flash memory 4 functioning as a printer control part; a fiscal memory substrate 8 mounted with a fiscal memory 6 and a fiscal memory writing control CPU 7 for storing and holding fiscal information; and an interface substrate 11 mounted with a communication control interface CPU 9 and an interface flash memory 10.
フィスカルプリンタ１は、プリンタ制御部として機能するプリンタ制御用ＣＰＵ３および印刷制御用のフラッシュメモリ４が搭載されているプリンタメイン基板５と、フィスカル情報を記憶保持するためのフィスカルメモリ６およびフィスカルメモリ書き込み制御用ＣＰＵ７が搭載されているフィスカルメモリ基板８と、通信制御用のインターフェース用ＣＰＵ９およびインターフェース用のフラッシュメモリ１０が搭載されているインターフェース基板１１とを有している。 - 特許庁 - In the layer 9, a hybrid alignment 13 is formed, wherein the director is controlled to be aligned in a nearly horizontal direction in an interface with the underlayer 4 and gradually becomes vertical to the substrate surface as being apart from the interface in the layer thickness direction.
層９では、ディレクタの配向方向が、下地層４との界面ではほぼ水平方向へ制御され、界面から層厚方向へ遠ざかるほど、基板面に垂直な方向へ徐々に近づくハイブリッド配向１３が形成される。 - 特許庁 - To provide a dual interface card in which the adhesive strength and electrical bonding reliability of a tab substrate to a card surface are improved and bending, deformation, or the like caused by heat of the card surface can be suppressed, and to provide a method of manufacturing the dual interface card.
カード表面に対するタブ基板の接着強度および電気的接合信頼性を高め、さらに、カード表面の熱による反りや変形等を抑制できるデュアルインターフェースカードおよびその製造方法を提供すること。 - 特許庁 - To provide a semiconductor device in which oxide films each having a uniform and optimum film thickness are formed on an interface between a lower-layer electrode and an upper-layer electrode of a memory cell, and an interface between a substrate and a diode electrode of a protective diode.
メモリセルにおける下層電極と上層電極との界面及び保護ダイオードにおける基板とダイオード電極との界面に、均一で且つ最適な膜厚の酸化膜が形成された半導体装置を実現できるようにする。 - 特許庁 - To appropriately suppress variations in a reflection factor due to the mutual interference of each reflection light on the upper surface of an SOI wafer, an interface between an SOI layer and an insulating film, and an interface between the insulating layer and a support substrate for the application of laser beams related to dicing.
ダイシングに係るレーザ光照射に際しての、ＳＯＩウェハ上表面、ＳＯＩ層＝絶縁膜界面、絶縁層＝支持基板界面における各反射光の相互干渉による反射率の変動を好適に抑制する。 - 特許庁 - Even when a high dielectric constant material with which reaction on an electrode interface easily occurs or a filming method with which it is difficult to form a uniform interface on a large area substrate is used, excellent linearity to the impressed voltage may be then secured.
電極界面での反応が起こり易い高誘電率材料や大面積基板上での均一な界面形成が困難なような成膜方法を用いても、印加電圧に対する良好な線形性を確保することができる。 - 特許庁 - A layer comprising liquid crystal monomers 12 having liquid crystal skeletons and having properties of aligning the liquid crystal skeletons vertically to an interface at the interface with dissimilar substance and polymerizing is formed at a transparent substrate 2.
まず、液晶性骨格を有し、異種物質との界面において液晶性骨格を界面に垂直に向けて配向する性質と、重合する性質を有する液晶性モノマー１２からなる層を透明基板２に形成する。 - 特許庁 - To provide a newly-composed surface light emitting laser dispensing with the arrangement of a low-refractive-index medium onto the substrate-side interface of a photonic crystal layer.
フォトニック結晶層の基板側界面に低屈折率媒体を配置することが必須ではない、新規な構成の面発光レーザを提供する。 - 特許庁 - A substrate W, subjected to exposure in the aligner 14, is carried by the carrying mechanism IFR for interface to the drying section 95.
露光装置１４において基板Ｗに露光処理が施された後、基板Ｗはインターフェース用搬送機構ＩＦＲにより乾燥処理部９５に搬送される。 - 特許庁 - A substrate W, subjected to exposure in the aligner 15, is carried by the carrying mechanism IFR for interface to the drying section 80.
露光装置１５において基板Ｗに露光処理が行われた後、基板Ｗはインターフェース用搬送機構ＩＦＲにより乾燥処理部８０に搬送される。 - 特許庁 - A step 105 is provided on the periphery of an interface 103a between a protrusion 103 comprising a material with a high refractive index and a translucent substrate 101.
高屈折率材料からなる突起部１０３と透光性基板１０１との境界面１０３ａの周辺に段差部１０５を設ける。 - 特許庁 - A CPU 12, a program memory 14, a RAM 15, a serial interface circuit 16, and a general connector 11 are mounted on the circuit substrate 23 in common.
回路基板２３には、ＣＰＵ１２、プログラムメモリ１４、ＲＡＭ１５、シリアルインタフェース回路１６および汎用コネクタ１１が共通に実装されている。 - 特許庁 - The surface of the insulating film in the vicinity of the phase changed film is closer located to a substrate side than an interface between the insulating film and the phase changed film on the insulating film.
絶縁膜と前記絶縁膜上の相変化膜との界面よりも、前記相変化膜の周囲における前記絶縁膜の表面を基板側にする。 - 特許庁 - To arrange a constitution, such that a low noise-resistant circuit is hard to be influenced by the noise generated in a logical circuit and by interface buffer circuit made on the same semiconductor substrate.
低ノイズ耐性回路が、同じ半導体基板上に形成された論理回路およびインターフェースバッファ回路で発生するノイズの影響を受け難くする。 - 特許庁 - To provide a hydrogen separation membrane having high adhesive strength of the interface between the metal porous substrate and the hydrogen permselective membrane composed of palladium or a palladium alloy.
金属多孔質基材とパラジウム又はパラジウム合金からなる水素選択透過膜との界面の密着力が強い水素分離膜を提供すること。 - 特許庁 - To provide an organic EL display device in which a display performance deterioration of an organic EL element due to water invading from the interface of a protecting film and a substrate is prevented.
保護膜と基板の界面から浸入する水分による有機ＥＬ素子の表示性能劣化を防止し得る有機ＥＬ表示装置を提供する。 - 特許庁 - The display device includes a display unit (12) on an insulating substrate (11), and a drive unit including a memory (RamBlock; Fig.2) for storing a data for adjusting the display unit in an interface section (15).
絶縁基板（１１）上の表示部（１２）と、表示部の調整のためのデータを記憶する記憶部（RamBlock；図２）をインターフェイス部（１５）に含む駆動部とを有する。 - 特許庁 - An n^+ embedded impurity region 2 is formed on an interface between an n^- semiconductor layer 3 in a high-potential island region 101 and a p^- semiconductor substrate 1.
高電位島領域１０１内のｎ^-半導体層３とｐ^-半導体基板１との界面にはｎ^+埋め込み不純物領域２が形成されている。 - 特許庁 - To provide a small mirror having a structure of preventing intrusion of water, oxygen, corrosive gas or the like into an interface between a substrate and a coating layer and having high corrosion resistance.
基材とコーティング層の界面に水や酸素、腐食性ガス等が侵入し難い構造を有し、耐腐食性の高い小型ミラーを提供する。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing a photovoltaic device which has good characteristics by improving interface characteristics of a crystalline silicon substrate and an intrinsic semiconductor layer.
結晶シリコン基板と真性半導体層の界面特性を改善することで良好な特性を持つ光起電力装置の製造方法を得ること。 - 特許庁 - Furthermore, the sheet concentration D_S of Si present in the interface between the semiconductor substrate and the semiconductor thin film is 2.3×10^12 cm^-2 or lower.
また、半導体基板と半導体薄膜の界面に存在するＳｉのシート濃度Ｄ_ｓが２．３×１０^１２ｃｍ^−２以下となるようにする。 - 特許庁 - As a result, a pn junction is formed at the interface between the p-type epitaxial layer PEpi2 and the n-type silicon substrate NSub so as to form a capacitor C1.
これにより、Ｐ型エピタキシャル層ＰＥｐｉ２とＮ型シリコン基板ＮＳｕｂとの界面にｐｎ接合が形成され、キャパシタＣ１が形成される。 - 特許庁 - In the Si_(1-v-w-x)C_wAl_xN_v layer, the composition ratio x+v monotonously increases or monotonously decreases from the interface with the dissimilar substrate 11 to the main surface.
Ｓｉ_(1-v-w-x)Ｃ_wＡｌ_xＮ_v層において、異種基板１１との界面から主表面に向けて組成比ｘ＋ｖが単調増加または単調減少する。 - 特許庁 - To feed an enough drying fluid to the soaking interface between a substrate and a cleaning liquid with high safety, without arrangement of a special safety device.
特別な安全装置を設けることなく安全性を高めるとともに、基板と洗浄液との浸漬界面に十分な量の乾燥用流体を供給する。 - 特許庁 - A 1st gate insulating film (thick gate insulating film) of an n-channel MOS transistor for high dielectric strength has a nitride density peak on an interface formed with a semiconductor substrate.
高耐圧用のｎチャネル型ＭＯＳトランジスタの第１のゲート絶縁膜（厚いゲート絶縁膜）は、半導体基板との界面に窒素濃度ピークを有する。 - 特許庁 - To provide a method for forming an insulation film exhibiting a good interface state to a semiconductor substrate and good leak characteristics.
半導体基板との間の界面状態の良好な，かつリーク特性の良好な絶縁膜の形成方法及び半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁 - Here, on an interface of the Si monocrystalline substrate and the MgO layer, a Si(100)[110] direction is parallel to a MgO(100)[100] direction.
ここで、Ｓｉ単結晶基板とＭｇＯ層の界面において、Ｓｉ（１００）［１１０］方向とＭｇＯ（１００）［１００］方向とが平行となっている。 - 特許庁 - An embodiment of a system for controlling a graphical user interface of a device includes a tiltable member, an electrically conductive member, a substrate, a drive circuit, a switch, and signal logic.
装置のグラフィカルユーザーインターフェースを制御するためのシステムの実施形態は、偏向部材、導電性部材、基板、駆動回路、スイッチ、及び信号ロジックを含む。 - 特許庁
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