「substrate interface」を含む例文一覧(1149)
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基板上に誘電率の低い界面層が形成されることを防止しつつ、高誘電率材料のみからなるゲート絶縁膜を形成できるようにし、それによってＭＯＳＦＥＴの性能を向上させる。 - 特許庁 - The production method allows easy production of the optically anisotropic body whose optical axis is in a direction perpendicular to the substrate surface even if the interface has high polarity or low hydrophobicity.
本願発明の製造方法により、極性が高いか又は疎水性が低い界面であっても容易に光軸が基板面に対して垂直方向にある光学異方体を製造することが可能となる。 - 特許庁 - The injection drive section 22 injects holes into a heterojunction interface of the semiconductor substrate 104 from the hole injection part 140 by applying the injection voltage Vin exceeding a threshold value to the switching element 10.
注入駆動部２２は、閾値を超える注入電圧Ｖｉｎをスイッチ素子１０に印加することによって、ホール注入部１４０から半導体基板１０４のヘテロ接合界面にホールを注入する。 - 特許庁 - The apparatus for treating a substrate includes a load port, an index module, a first buffer module, a coating/developing module, a second buffer module, a pre/post-exposure treatment module, and an interface module, which are sequentially arranged in a direction.
基板処理設備は、一方向に順次配置されたロードポート、インデックスモジュール、第１バッファモジュール、塗布及び現像モジュール、第２バッファモジュール、露光前後処理モジュール、及びインタフェースモジュールを有する。 - 特許庁 - To provide a wiring board equipped with a wiring layer, high in conductivity, even under a high frequency band of not lower than 1 GHz and that will not generate cracks or separation in an interface between the wiring layer and an insulating substrate.
１ＧＨｚ以上の高周波帯でも導電率が高い配線層を具備し、配線層と絶縁基体との界面にクラックや剥離が発生することのない配線基板を提供する。 - 特許庁 - The substrate 20 coated with the amorphous carbon film is produced by forming the amorphous carbon film 22 on the surface of the substrate 21 under a reduced pressure through a discharge plasma process, wherein an active layer 23 containing either or both of oxygen and nitrogen is formed in an interface between the substrate 21 and the amorphous carbon film 22.
本発明にかかるアモルファスカーボン膜被覆基材２０は、基材２１の表面に減圧下で放電プラズマによりアモルファスカーボン膜２２を成膜してなるアモルファスカーボン膜被覆基材であって、前記基材２１とアモルファスカーボン膜２２との界面に、酸素、窒素のいずれか一方又は両方を有する活性処理層である活性処理層２３を含むものである。 - 特許庁 - The electroluminescent element includes a substrate; an anode formed on the substrate; an organic electroluminescent layer formed on the substrate and formed by a multilayered structure including a positive hole injecting layer and a positive hole transport layer; a cathode formed on the electroluminescent layer; and an interface deterioration preventing layer formed between the anode and the electroluminescent layer.
有機電界発光素子は、基板と、該基板上に形成された陽極と、該陽極上に形成され、正孔注入層及び正孔輸送層を含む多層構造からなる有機電界発光層と、該有機電界発光層上に形成された陰極と、陽極と有機電界発光層との間に形成された界面劣化防止層とを備えてなる。 - 特許庁 - A contact for a semiconductor device can be formed by forming a metal on a silicon carbide (SiC) substrate, and annealing an interface location between the metal and the SiC substrate to form a metal-SiC material thereat, while avoiding annealing at a location on the SiC substrate to avoid forming the metal-SiC material thereat.
炭化珪素（ＳｉＣ）基板上に金属を形成し、この金属とＳｉＣ基板との界面部をアニーリングして、そこに金属−ＳｉＣ材を形成し、ＳｉＣ基板上のある箇所ではアニーリングされないようにして、そこには金属−ＳｉＣ材が形成されないようにすることによって半導体素子のコンタクトを形成することができる。 - 特許庁 - This semiconductor light emitting device includes: a support substrate 30; a semiconductor film 10 including a luminescent layer 12 formed on the support substrate; a surface electrode formed on a surface of the semiconductor film on a light extraction surface side; and a reflective film 20 formed between the support substrate and the semiconductor film and forming a reflective surface in an interface with the semiconductor film.
半導体発光装置は、支持基板３０と、支持基板上に設けられた発光層１２を含む半導体膜１０と、半導体膜の光取り出し面側の表面に設けられた表面電極と、支持基板と半導体膜との間に設けられて半導体膜との界面において反射面を形成する反射膜２０と、を含んでいる。 - 特許庁 - In order to peel a material layer 2 from a substrate 1 on the interface thereof, a work 3 where the material layer 2 is formed on the substrate 1 is irradiated with pulse laser light through the substrate 1 while changing the irradiation region for the work 3 from moment to moment so that the adjoining irradiation regions in the work 3 overlap.
基板１と前記材料層２との界面で前記材料層を前記基板から剥離させるため、基板１上に材料層２が形成されたワーク３に対し、基板１を通して、パルスレーザ光をワーク３に対する照射領域を刻々と変えながら、前記ワーク３において隣接する各照射領域が重畳するように照射する。 - 特許庁 - In the laminated piezoelectric element in which the piezoelectric substrate layer 1 containing a Pb constituent and a conductive layer 2 containing a Pd constituent are alternately laminated each, the thickness of the reaction layer R of Pb and Pd on the interface between the piezoelectric substrate layer 1 and the conductive layer 2 should be 3% or smaller of the maximum thickness of the piezoelectric substrate layer 1.
それぞれ、Ｐｂ成分を含む圧電体層１と、Ｐｄ成分を含む導体層２とを交互に積層してなる積層型圧電素子において、前記圧電体層１と前記導体層２との界面における前記ＰｂおよびＰｄとの反応層Ｒの厚みが、前記圧電体層１の最大厚みの３％以下であることを特徴とする。 - 特許庁 - The method includes the steps of: providing a silicon substrate 2; depositing a surface passivation layer 3 at a rear side of the silicon substrate 2; forming delaminated regions or bubbles 1 at an interface between the surface passivation layer 3 and the silicon substrate 2; depositing a metal layer 4 on the surface passivation layer 3; and performing a metal firing.
シリコン基板２を提供する工程と、シリコン基板２の裏側に表面パッシベーション層３を堆積する工程と、表面パッシベーション層３とシリコン基板２との間の界面に薄い層に裂けた領域または泡１を形成する工程と、表面パッシベーション層３の上に金属層４を堆積する工程と、金属の焼成を行う工程とを含む。 - 特許庁 - In a method for peeling an adhesive type optical film from a substrate with an optical film on the substrate surface of which the adhesive type optical film is adhered, this is a peeling method for adhesive type optical film to peel in a condition where liquid exists in a peeling interface between the adhesive agent layer of the adhesive type optical film and the substrate.
基板表面に粘着型光学フィルムが貼付けられている光学フィルム付き基板から粘着型光学フィルムを剥離する粘着型光学フィルムの剥離方法において、粘着型光学フィルムの粘着剤層と基板との剥離界面に液体が存在する状態で剥離することを特徴とする粘着型光学フィルムの剥離方法。 - 特許庁 - The substrate for the power module has the circuit layer 2a formed on a top surface of a ceramic substrate 1 by etching an aluminum layer 2 bonded thereupon, and is characterized in that the circuit layer 2a contains 0.7 to 1.2 wt.% Si within a range of ≤200 μm from its bonding interface 6 with the ceramic substrate 1.
セラミックス基板１の表面に、その上に接合したアルミニウム層２のエッチングにより回路層２ａを形成してなるパワーモジュール用基板であって、前記回路層２ａは、その前記セラミックス基板１との接合界面６から２００μｍ以内のＳｉの含有量が０．７ｗｔ％以上１．２ｗｔ％以下とされていることを特徴とする。 - 特許庁 - To provide a substrate processing method and a substrate processing apparatus which supply a chemical to a treatment region of a periphery region of a surface of a substrate and carry out etching removal of disused substances of the treatment region, wherein there is formed a favorable interface of the treatment region and a non-treatment region, formed in the periphery region of the surface by the etching removal.
基板の表面周縁領域のうち処理領域に薬液を供給して当該処理領域の不要物をエッチング除去する基板処理方法および基板処理装置において、当該エッチング除去により表面周縁領域に形成される処理領域と非処理領域の界面を良好なものとする。 - 特許庁 - An analog signal processing IC including camera processing, video processing and liquid crystal processing is configured on a 1st substrate, a digital signal processing IC is configured on a 2nd substrate, an analog camcorder is configured only with the 1st substrate, and an analog/digital hybrid video camera is configured by connecting the 1st and 2nd substrates, and digital and analog signals are exchanged through a digital interface.
カメラ処理とビデオ処理と液晶処理とを含むアナログ信号処理ＩＣを第１の基板構成とし、デジタル信号処理ＩＣを第２の基板構成と、アナログカムコーダは第１の基板のみで構成し、アナログ／デジタル混在のビデオカメラは第１及び第２の基板を連結した構成とし、デジタルとアナログ信号をデジタルインターフェースで受け渡す。 - 特許庁 - The silicon nitride(SiN) regions 40 filling the role of the barriers for obstructing the thermal diffusion of substrate impurities of a MOSFET in STI region formed by ion implantation of nitrogen(N) are held by Si substrate 31 near the interface between STI structured buried-in oxide films 34 and the Si substrate 31.
ＳＴＩ構造の埋め込み酸化膜３４とＳｉ基板３１との界面近傍のＳｉ基板３１中に、窒素（Ｎ）のイオン注入によって形成され、ＭＯＳＦＥＴの基板不純物がＳＴＩ領域中へ熱拡散するのを阻止するためのバリアとして働く窒化シリコン（ＳｉＮ）領域４０を介在させたことを特徴としている。 - 特許庁 - This method has a stage, where the trench 200 is formed in the substrate 24, a stage where a nitride interface layer 1250 covering at least part of the sidewall 32 of the trench 200 is formed, a stage where an amorphous layer covering the nitride interface layer 1250 is formed, and a stage where an oxide layer 160 is formed by oxidizing the amorphous layer.
基板２４にトレンチ２００を形成する工程、トレンチ２００の側壁３２の少なくとも一部を覆う窒化物界面層１２５０を形成する工程と、窒化物界面層１２５０を覆うアモルファス層を形成する工程と、アモルファス層を酸化して酸化物層１６０を形成する工程とを備えている。 - 特許庁 - After a gate electrode 20 is formed on a substrate 11, part of the gate electrode 20 in a thickness direction from a surface thereof is oxidized through a heat treatment or plasma treatment to make a part of the gate electrode 20 in the thickness direction from an interface 20A with a gate insulating film 30 into an interface layer 21 made of metal oxide.
基板１１にゲート電極２０を形成したのち、このゲート電極２０の表面から厚み方向における一部を、熱処理またはプラズマ処理を用いて酸化させることにより、ゲート電極２０のゲート絶縁膜３０との界面２０Ａから厚み方向における一部を、金属酸化物よりなる界面層２１とする。 - 特許庁 - In the visible wavelength range, the reflective film 4 and the color tone correction film 3 have a mean optical reflectivity at the interface between the color tone correction film 3 and the transparent crystallized glass substrate 2 lower than the mean optical reflectivity at the interface between the color tone correction film 3 and the reflective film 4.
反射膜４と色調補正膜３とは、可視波長域において、色調補正膜３と透明結晶化ガラス基板２との間の界面における平均光反射率が、色調補正膜３と反射膜４との間の界面における平均光反射率よりも低くなるように構成されている。 - 特許庁 - The number of C atoms per 1 cm^3 in an interface between the group III nitride substrate and the epitaxial layer is ≥2×10^16 and ≤5×10^17, and the number of atoms of a p-type metal element per 1 cm^3 in the interface is ≥2×10^16 and ≤1×10^17.
III族窒化物基板とエピタキシャル層との界面における１ｃｍ^３当たりのＣ原子の個数が２×１０^１６個以上５×１０^１７個以下であり、当該界面における１ｃｍ^３当たりのｐ型金属元素の原子の個数が２×１０^１６個以上１×１０^１７個以下である。 - 特許庁 - An adhesion layer containing amorphous carbon nitride (a-CNx:H) is formed on a laminate comprising an organic material formed on an inorganic material, an interface between an organic material and an inorganic material in a laminate wherein the organic material is formed on the inorganic material and the interface between an adhesive and a substrate hardly adhesive to the adhesive.
無機材上に有機材が形成された積層体や、有機材の上に無機材が形成された積層体などにおける有機材と無機材との界面や、接着剤とこの接着剤に対して難接着性の基材との界面にアモルファス窒化炭素（ａ−ＣＮｘ：Ｈ）を含む密着層を形成する。 - 特許庁 - A first layer 16 is formed by segregating specific atoms with high concentration on the junction interface of the NiGe layer 15 and the Ge substrate 2, and a second layer 17 is formed by segregating the same atoms as those of the first layer 16 with high concentration on the interface of the gate electrode 13 and a gate insulating film 12.
ＮｉＧｅ層１５とＧｅ基板２との接合界面には、所定の原子が高濃度に偏析して形成されてなる第１の層１６が形成され、ゲート電極１３とゲート絶縁膜１２との界面には、第１の層１６と同じ原子が高濃度に偏析して形成されてなる第２の層１７が形成されている。 - 特許庁 - A substrate layer comprising a hard material is formed on the surface of the resin substrate and a fragile material is allowed to impinge against the resin substrate by a fine particle beam accumulation method so as to be partially embedded in the resin substrate to form an anchor part to form the polycrystalline fragile material structure substantially having no crystal orientation and not substantially having a grain boundary comprising a glass layer in the mutual interface of crystals.
樹脂基材表面に硬質材料からなる下地層を形成した後に、その下地層の上に微粒子ビーム堆積法によって脆性材料を衝突させ、一部が下地層に食い込んでアンカー部を形成し、多結晶で実質的に結晶配向性がなく更に結晶同士の界面にガラス層からなる粒界面が実質的に存在しない脆性材料構造物が形成されている。 - 特許庁 - The semiconductor device comprises the single crystal or polycrystal metal oxide insulating layer which is formed on the silicon substrate (001) and in which a crystal plane or axis is oriented in the normal direction of the substrate (001), and a nitride layer of a monoatomic layer coupled to both a silicon atom of the substrate (001) and a metal atom of the metal oxide in an interface between the substrate and the insulating layer.
本発明は、シリコン（００１）基板上に形成され、前記シリコン（００１）基板の方線方向に結晶面又は軸が配向した単結晶もしくは多結晶の金属酸化物の絶縁層と、前記シリコン（００１）基板と絶縁層との界面に前記シリコン（００１）基板のシリコン原子と前記金属酸化物の金属原子の両方に結合する１原子層の窒素層とを備える半導体装置である。 - 特許庁 - The system and method for inspecting nonstandard memory elements in an actual operating environment are applicable to nonstandard memory elements by using an interface substrate 100 for adapting a nonstandard pin configuration to a standard pin configuration on a substrate 170 to be inspected.
実際の動作環境で非標準メモリ素子を検査する検査システム及び方法は、検査基板１７０上において非標準ピン構成を標準ピン構成に対応させたインタフェース基板１００を使用することによって、非標準メモリ素子に適用することができる。 - 特許庁 - A dielectric film deposition method is used as a means for solving the problems, characterized in that anti-oxidation films to prevent the oxidation and diffusion of a lower electrode are inserted and deposited in the interface of the substrate and dielectric film, and the interfaces of the dielectric films, in a method of depositing the dielectric film on a substrate.
基板上に誘電膜を蒸着する方法において、基板と誘電膜の界面と、誘電膜間の界面とに下部電極の酸化及び拡散を防止する酸化防止膜を挿入して蒸着することを特徴とする誘電膜蒸着法を課題の解決手段とする。 - 特許庁 - To reduce threading dislocation density and surface roughness, and prevent roughness of a surface and an interface from being deteriorated in the case of heat treatment in a device manufacturing process or the like, in the method for a semiconductor substrate, the method for manufacturing a field effect transistor, a semiconductor substrate and a field effect transistor.
半導体基板の製造方法及び電界効果型トランジスタの製造方法並びに半導体基板及び電界効果型トランジスタにおいて、貫通転位密度が低く、表面ラフネスが小さいと共に、デバイス製造工程等の熱処理時における表面や界面のラフネスの悪化を防ぐこと。 - 特許庁 - A silane coupling agent (the material for forming a self-assembled monolayer) injected or dropped with the liquid crystal material adheres to a substrate interface (or a surface of an electrode formed over a substrate) after being injected or dropped, thereby forming a self-assembled monolayer.
液晶材料と一緒に注入または滴下されたシランカップリング剤（自己組織化単分子膜を形成する材料）は、注入後または滴下後に基板界面（または基板上に形成された電極表面）に吸着して自己組織化単分子膜が形成される。 - 特許庁 - The Fe-based electrode layer takes in the carbon as a by-product of a sinter processing process for the ohmic electrode to suppress an increase in contact resistance between the SiC semiconductor substrate and ohmic electrode, caused by accumulation of carbon on a junction interface between the SiC semiconductor substrate and ohmic electrode.
Ｆｅ系電極層が、オーミック電極のシンター処理工程における副生成物であるカーボンを取り込むことによって、カーボンがＳｉＣ半導体基板とオーミック電極との接合界面に堆積してＳｉＣ半導体基板とオーミック電極とのコンタクト抵抗が高くなることを抑制できる。 - 特許庁 - In a photovoltaic device where an i-type amorphous silicon thin film 2 is provided between an n-type single crystal silicon substrate 1 and a p-type amorphous silicon based thin film 3, boron atoms are introduced to an interface region of the silicon substrate 1 and the i-type amorphous silicon thin film 2.
ｎ型単結晶シリコン基板１とｐ型非晶質シリコ系薄膜３との間にｉ型非晶質シリコン薄膜２を介在させた光起電力装置において、シリコン基板１ｉ型非晶系シリコン薄膜２とが形成する界面領域にボロン原子を導入させる。 - 特許庁 - In a high speed serial interface mode, the terminal G1 for guard is connected to the guard reinforcing terminal GVSS1 by a first wiring GF1 formed at a wiring substrate, the terminal G2 for guard is connected to the guard reinforcing terminal GVSS2 by a second wiring GF2 formed in the wiring substrate.
高速シリアルインターフェースモードにおいて、ガード用端子Ｇ１が配線基板に形成された第１の配線ＧＦ１によってガード補強用端子ＧＶＳＳ１に接続され、ガード用端子Ｇ２が配線基板に形成された第２の配線ＧＦ２によってガード補強用端子ＧＶＳＳ２に接続される。 - 特許庁 - In the single cell for the fuel cell, a solid electrolyte layer 9 is arranged in a groove or a hole providing an air electrode layer 5 and a fuel electrode layer 6 on a substrate 10, an electrochemical reaction fluid is formed in a solid electrolyte layer interface, and a conductive material 3 is inserted in the substrate 10.
固体電解質層９を空気極層５及び燃料極層６を基板１０に設けた溝又は孔に配置して成り、該固体電解質層界面に電気化学的な反応場を形成し、基板１０に導電性材料３を貫入した燃料電池用単セルである。 - 特許庁 - When the substrate 100 and the nozzle plate 200 are bonded temporarily through the intermediate bonding layer 300 and then applied with an electric field, SiO_2 is formed on the interface of the nozzle plate 200 and the substrate 100 which are thereby bonded by the electrostatic force of SiO_2.
基板１００とノズルプレート２００とを中間接合層３００を介在して仮接合した後電界を加えると，ノズルプレート２００と基板１００との界面でＳｉＯ_２が形成され，ＳｉＯ_２の静電力によりノズルプレート２００と基板１００とが接合される。 - 特許庁 - To provide a semiconductor substrate and method of manufacturing the same which improve device performance by suppressing the roughness of the interface between an insulating layer and a semiconductor single-crystal layer in a semiconductor substrate having the semiconductor single-crystal layer for forming a device on the insulating layer.
絶縁層上にデバイス形成用の半導体単結晶層を有する半導体基板において、絶縁層と半導体単結晶層の界面のラフネスを抑制することにより、デバイス特性を向上させる半導体基板および半導体基板の製造方法を提供する。 - 特許庁 - The composite material comprises the organic polymer substrate, all or a part of the surface of which is coated with the calcium phosphate compound layer, and is characterized by containing a needle crystal or a plate crystal contacting with the interface between the calcium phosphate compound layer and the organic polymer substrate.
リン酸カルシウム系化合物層を有機ポリマー基材の表面の一部又は全部にコーティングした複合材料であって、リン酸カルシウム系化合物層と有機ポリマー基材との界面に接触する、針状あるいは板状の結晶を含むことを特徴とする複合材料を形成する。 - 特許庁 - The semiconductor device includes a substrate, a first semiconductor layer provided on the substrate, and an energy band gap provided on the first semiconductor layer and larger than the first semiconductor layer and induces a two-dimensional electron gas on an interface between the first semiconductor layer and a second semiconductor layer.
半導体装置が、基板と、基板の上に設けられる第１の半導体層と、第１の半導体層の上に設けられ、第１の半導体層より大きなエネルギーバンドギャップを有し、第１の半導体層と第２の半導体層との界面に２次元電子ガスを誘起する。 - 特許庁 - By densifying the neighborhood of the surface of the substrate, when the tensile strength of an electrode 13 formed on the surface of the substrate is measured, generating a break starting point around the electrode is suppressed, and development in crack in the neighborhood of the interface between the electrode 13 and the topmost surface of a dielectric layer 8 is prevented.
基板表面近傍が緻密になることにより、基板表面に形成された電極１３の引張強度測定の際、電極周りに破壊起点が生じることを抑制し、電極１３と誘電体層８の最上層の界面近傍に亀裂が進展することを防止する。 - 特許庁 - A ZnO-based crystal layer grown on a substrate of sapphire (Al_2O_3) single crystal includes a solid solution layer having aluminum (Al) solid-dissolved in an interface with the substrate to have a concentration of 8×10^20 pieces/cm^3, and a high-concentration diffusion layer of ≥1×10^19 cm^3 in Al concentration.
サファイア（Ａｌ_２Ｏ_３）単結晶の基板上に成長したＺｎＯ系結晶層は、基板との界面にアルミニウム（Ａｌ）が８×１０^２０個／ｃｍ^３以上の濃度で固溶した固溶層、及びＡｌの濃度が１×１０^１９ｃｍ^３以上である高濃度拡散層を有している。 - 特許庁 - An upper dielectric layer 12, an interface layer 13, a recording layer 14, a lower dielectric layer 15 and a reflection layer 16 are sequentially layered from an incident direction of recording and reproducing light on a first substrate 11 and a second substrate 18 is provided thereon via a protective layer 17.
第１の基板１１上に、記録再生光の入射方向から順に、上層誘電体層１２、界面層１３、記録層１４、下層誘電体層１５、反射層１６が順次積層されて、その上に保護層１７を介して第２の基板１８が設けられる。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing a multilayer interconnection circuit substrate which assures the sufficient adhesive strength of an interface between a conductor layer and a thermosetting adhesive layer to be laminated to enhance connecting strength between the conductor layer, and thereby manufactures the multilayer interconnection circuit substrate having high reliability.
積層される導体層と熱硬化性接着剤層との界面の十分な接着強度を確保して、各導体層間での接続強度を高め、これによって、信頼性の高い多層配線回路基板を製造することのできる多層配線回路基板の製造方法を提供すること。 - 特許庁 - The gate insulating film, composed of oxynitride silicon having a first peak concentration near the interface with the substrate and having a second peak concentration near a surface, is formed by further introducing nitrogen into the oxynitride silicon film, by exposing the substrate in a nitrogen-plasma atmosphere.
続いて、基板を窒素プラズマ雰囲気中に曝すことによって、酸窒化シリコン膜中にさらに窒素を導入することにより、基板との界面近傍に第１のピーク濃度を有し、表面近傍に第２のピーク濃度を有する酸窒化シリコンからなるゲート絶縁膜を形成する。 - 特許庁 - To provide a photocatalytic hydrophilic member sufficiently durable to applications to an antifogging, a cleansing with rain, a cleansing with water washing, a promotion of drying, etc., without causing an erosion of the substrate and a delamination at the interface of the substrate and the photocatalytic coating material when applied to organic materials.
有機基材に適用する場合に基板が侵食されたり、基板と光触媒被覆物との界面で剥離が生じることがなく、かつ、防曇、降雨による浄化、水洗による浄化、乾燥促進などへの応用に充分に耐えうる光触媒性親水部材を提供すること。 - 特許庁 - To provide a method for efficiently, stably forming an epitaxially grown cubic silicon carbide (3C-SiC) crystal film on the surface of a silicon substrate without generating defects such as voids in the interface between the substrate and the crystal film, which is useful as a material for power devices or high-frequency devices.
パワーデバイスや高周波デバイス材料として有用なケイ素基板表面にエピタキシャル成長した立方晶炭化ケイ素（３Ｃ−ＳｉＣ）結晶膜を、基板と結晶膜の界面にボイド等の欠陥を発生させずに、効率良く、しかも安全に形成する方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a semiconductor device and a manufacturing method thereof wherein the device is a high breakdown voltage MOSFET formed on an SOI substrate, and a leakage current flowing through the interface between a surface silicon layer and a buried oxide film is made not to be generated by the potential difference between the surface silicon layer and the support substrate.
ＳＯＩ基板に形成した高耐圧ＭＯＳＦＥＴであって、表面シリコン層と支持基板との電位差によって、表面シリコン層と埋め込み酸化膜の界面を流れるリーク電流を発生させない半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁 - An alloy layer is formed at the interface between a through-hole conductor 12 and a conductor foil 13a by filling the through-hole conductor 12 into a through-hole 11d of an insulating substrate 11a, and adhering the through-hole conductor 12 and the conductor foil 13a arranged on the insulating substrate 11a with heat and pressure.
スルーホール用導体１２を絶縁基板１１ａの貫通穴１１ｄに充填し、スルーホール用導体１２と絶縁基板１１ａに配置した導体はく１３ａを加熱・加圧接着し、スルーホール用導体１２と導体はく１３ａの界面に合金層を形成する。 - 特許庁 - In the heat sink where a substrate 3a is interposed between fins 2a and 2a, interface is eliminated by diffusion bonding, and the fins and a base mount are bonded integrally, water channels are bored in the fins and the substrate and a horse coupling 4 is provided on one side face of the base mount 3.
フィン２ａとフィン２ａの間に基材３ａを介在させ、拡散接合等にて界面がなくなり、フィンと基台を一体接合してなるヒートシンクにおいて、フィン及び基材に水が通る水路孔を穿設すると共に、基台３の一側面にホースを継ぐためのホース継手４を設ける。 - 特許庁 - By connecting the sensor substrate 3 and a personal computer 4 by the interface cable 9 of RS-232C, ON/OFF signals from the sensor substrate 3 are transmitted to the personal computer 4 at the time of detecting the user 2 and a processing is performed in a mode respectively different at the time of being unmanned and attended in the information terminal equipment 1.
センサ基板３とパソコン４とをRS-232Cのインタフェースケーブル９で接続することにより、ユーザー２を検出した時、センサ基板３からのON/OFF信号をパソコン４に伝達し、情報端末装置１では無人／有人時でそれぞれ異なるモードで処理が行なわれる。 - 特許庁 - Of the metal separator provided with a gas flow channel formed on a metal substrate, and an anticorrosive film formed on the metal substrate so as to surround the gas flow channel, a corner part of the interface part of the gas flow channel and the anticorrosive film is arc-shaped in plane view.
本発明は、金属基材上に形成されるガス流路と、前記ガス流路の周囲を囲むように前記金属基材上に形成される耐食性膜と、を有する金属セパレータであって、前記ガス流路と前記耐食性膜との境界部のコーナー部は、平面視において円弧状である。 - 特許庁 - The color filter 10 for LCD is formed by applying a cholesteric liquid crystal or chiral nematic liquid crystal with addition of a surfactant along a parallel alignment film 14 on a substrate 12 where the parallel alignment film 14 is formed and by hardening the liquid crystal with light while the liquid crystal interface 16A opposite to the substrate is exposed.
ＬＣＤ用のカラーフィルタ１０は、平行配向膜１４が形成された基材１２上に、界面活性剤を添加したコレステリック液晶又はカイラルネマチック液晶を平行配向膜１４に沿って塗布し、反対側の液晶界面１６Ａを露出したままで光硬化されている。 - 特許庁
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