Existence or nonexistence of knocking is determined per each ignition by using the determination value V(KX), and the ignition timing is retarded and advanced.例文帳に追加

この判定値Ｖ（ＫＸ）を用いて１点火毎にノッキングの有無が判定され、点火時期が遅角されたり進角されたりする。 - 特許庁

To solve a problem that a void V is formed inside an electrode or a wiring of polyside structure in a formation stage in which the electrode and the wiring are formed, and with a reduction in size and resistance of an electrode and a wiring, the adverse effect of the void V gets actualized to deteriorate the manufacture of the electrode and wiring in yield.例文帳に追加

ポリサイド構造の電極及び配線は、作製段階で図３に示すように電極または配線の内部にボイドＶが形成され、今後更に電極及び配線の微細化、低抵抗化が進むとボイドの影響が顕在化し、歩留りを低下させる。 - 特許庁

A lead/delay angle amount setting part 70 determines energization timing to each phase of a stator coil 35 so that a battery voltage Vb converges in the target voltage V.例文帳に追加

進角・遅角量設定部７０はバッテリ電圧Ｖｂが目標電圧Ｖに収斂するようにステータコイル３５各相への通電タイミングを決定する。 - 特許庁

When power source voltage V of the controller 20 becomes less than a regulation value Vn during operation of the low temperature start advance mechanism CSD30, an engine cooling water temperature value T recognized by the controller 20 is retained as an engine cooling water temperature value Tn recognized by the controller 20 right before the power source voltage V of the controller 20 becomes less than the regulation value Vn.例文帳に追加

低温始動進角機構（ＣＳＤ３０）作動中に、コントローラ２０の電源電圧Ｖが規定値Ｖｎ未満となったときは、該コントローラ２０が認識するエンジンの冷却水温値Ｔを、該コントローラ２０の電源電圧Ｖが前記規定値Ｖｎ未満となる直前に該コントローラ２０が認識したエンジンの冷却水温値Ｔｎに保持する。 - 特許庁

The method for manufacturing a silicon single crystal includes a process of forming an ingot by a Czochralski method (CZ method), in which a melt 12 of phosphorus-doped polycrystalline silicon is used as a raw material, and the crystal growth rate V is increased as pulling of the ingot 1 advances.例文帳に追加

チョクラルスキー法（ＣＺ法）により、リンを添加した多結晶シリコンの融液１２を原料として、インゴット１の引き上げが進むことに応じて結晶成長速度Ｖを増加させてインゴットを形成する工程を備える。 - 特許庁

A timing controller 95 controls the length of the reverse bias period of the driving transistor according to the determined result by the reverse bias period determining part 93, and compensates lowering of light emission luminance by shifting threshold voltage V_th of the driving transistor to a depression side when deterioration of an organic EL (Electroluminescence) element is further progressed.例文帳に追加

タイミングコントローラ９５は、逆バイアス期間決定部９３の決定結果を受けて、駆動トランジスタの逆バイアス期間の長さを制御し、有機ＥＬ素子の劣化がより進む状況にあるときは、駆動トランジスタの閾値電圧Ｖ_thをデプレッション側にシフトさせることによって発光輝度の低下を補完する。 - 特許庁