イレーズの英語

データ記憶装置の制限イレーズおよびアンロック例文帳に追加

RESTRICTION ERASE AND UNLOCK OF DATA STORAGE DEVICE - 特許庁

短時間でイレーズ動作を行う不揮発性メモリ例文帳に追加

NON-VOLATILE MEMORY PERFORMING ERASING OPERATION IN SHORT TIME - 特許庁

ＤＣイレーズ処理が施されたＤＣイレーズ部４２にサーボパターン２２が位置しており、ＡＣイレーズ処理が施されたＡＣイレーズ部４１に記録トラック２１及びトラック溝部３１（ディスクリート部）が位置している。例文帳に追加

A servo pattern 22 is positioned in a DC erase-part 42 subjected to DC erase-processing and a recording track 21 and a track groove 31 (discrete part) are positioned in an AC erase-part 41 subjected to AC erase-processing. - 特許庁

複数のセクタをイレーズする場合のイレーズ処理時間を短くすることができる不揮発性メモリを提供する。例文帳に追加

To provide a non-volatile memory that an erasion processing time can be shortened in the case of erasing plural sectors. - 特許庁

イレーズ時のトランジスタの閾値ロスを抑止可能で、イレーズ特性の向上を図ることが可能な半導体装置を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device which prevents a threshold loss of a transistor during erasure to improve erase characteristics. - 特許庁

遠方イレーズを含めたサイドイレーズによるデータ消失を防止でき、且つ不要なトラックのリライトを防止できる。例文帳に追加

This prevents data loss owing to side erasing including distant erasing, and also prevents the track from being unnecessarily rewritten. - 特許庁

イレーズ効率を改善した不揮発性メモリ素子及び製造方法例文帳に追加

NONVOLATILE MEMORY ELEMENT WITH IMPROVED ERASURE EFFICIENCY, AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME - 特許庁

オートイレーズ制御方法およびその制御回路と半導体記憶装置例文帳に追加

METHOD AND CIRCUIT FOR CONTROL OF AUTOERASE AS WELL AS SEMICONDUCTOR MEMORY CIRCUIT - 特許庁