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外因性領域の英語
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英訳・英語 extrinsic region
「外因性領域」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 9件
コレクタ層18において、外因性コレクタ領域18bの厚さは真性コレクタ領域18aの厚さより大きい。例文帳に追加
The collector layer 18 is composed of an intrinsic collector region 18a and an extrinsic collector region 18b, and the intrinsic collector region 18a is smaller in thickness than the extrinsic collector region 18b. - 特許庁
外部ベース層20は、外因性コレクタ領域18b上に設けられている。例文帳に追加
The external base layer 20 is formed on the extrinsic collector region 18b. - 特許庁
第1ドープ濃度の第1材料を設けて、外因性ベース外部領域を形成する。例文帳に追加
The first material of a first dope density is provided so that an exogenous base external region is formed. - 特許庁
なぜなら、より高濃度のドーパントが、真性領域の外側の外因性ベース・ドーパントにより補償されるか、そこに埋め込まれるからである。例文帳に追加
The reason is that the higher concentration dopant is compensated by an exogenous dopant outside the intrinsic region or is buried therein. - 特許庁
その後、このトレンチ内に第2ドープ濃度の第2材料を設けて、突出外因性ベース縁部がダミー・ペデスタル縁部に自己整合する別個の外因性ベース内部延長領域を形成する。例文帳に追加
Thereafter, the second material of a second dope density is provided within this trench, and another exogenous base internal extension region is formed whose projecting external base marginal part self-adjusts to a dummy pedestal marginal part. - 特許庁
異なるドープ濃度の外部領域および内部領域を備える突出外因性ベースを有する自己整合型バイポーラ・トランジスタ構造及びその製作する方法を提供すること。例文帳に追加
To provide a self-adjusting bipolar transistor structure having a projecting exogenous base provided with external and internal regions with different dope densities, and to provide its manufacturing method. - 特許庁
HHV−7由来の組換ウイルスベクターであって、HHV−7のU2、U3、U4、U7、U8、U24、U24aおよびU25領域からなる群より選ばれる少なくとも1領域に相当する部位に、外因性ヌクレオチド配列を備える、組換ウイルスベクターである。例文帳に追加
Disclosed is a recombinant virus vector originating in HHV-7 which has an exogenous nucleotide sequence at a site corresponding to at least one region selected from the group consisting of U2, U3, U4, U7, U8, U24, U24a and U25 regions of HHV-7. - 特許庁
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「外因性領域」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 9件
(1)デバイスの真性および外因性領域に誘電性材料を堆積または成長させ、(2)乾式または湿式エッチングプロセス、あるいはリフトオフプロセスで誘電性材料をパターニングし、(3)パターニングされた誘電性材料上にフィールドプレートを蒸着させるステップを包含する方法。例文帳に追加
The method includes (1) depositing or growing a dielectric material in intrinsic and extrinsic regions of a device, (2) patterning the dielectric material by a dry or wet etching process or a lift-off process, and (3) performing vapor deposition of a field plate on the patterned dielectric material. - 特許庁
組立後に発生する内在応力及び使用条件下で発生する外因性応力を緩和し、とくにチップ表面に近い領域に形成された浅いジャンクションを有する製品に適した表面積層電極構造を備えた半導体装置を提供する。例文帳に追加
To provide a semiconductor device equipped with a surface laminated electrode structure which relaxes an intrinsic stress generated after assembly and an extrinsic stress generated under conditions of use, and which is suitable for products having a shallow junction formed at a region particularly near a chip surface. - 特許庁
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extrinsic region
英和専門語辞典
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