Next, if the molecular beam is applied at a low incident angle from a direction crossing orthogonally the long side of the linear growth crystal 16 for further crystal growth in the lateral direction, a crystal thin film 18 having a two-dimensional extension exceeding the critical size is formed.例文帳に追加

次に、前記線状の成長結晶１６の長辺と直交する方向から低入射角度で分子線を照射して横方向に結晶成長を継続させると、臨界サイズを超えた２次元的な広がりを有する結晶薄膜１８が形成される。 - 特許庁

The method for manufacturing the ferroelectric thin film two-dimensional photonic crystal constitutes mold by a substrate consisting of an oxide monocrystal and a two-dimensional periodical structure consisting of amorphous oxide or a semiconductor, forms an amorphous film by a chemical gas phase growth method at a lower temperature than a crystallization temperature, and forms a ferroelectric thin film having epitaxial crystallinity.例文帳に追加

酸化物単結晶からなる基板と非晶質酸化物または半導体からなる二次元周期構造部によってモールドを構成し、このモールド上に結晶化温度より低い温度で化学的気相成長法でアモルファス膜を形成し、このアモルファス膜を結晶化温度以上に加熱させることによって、エピタキシャル結晶性を有する強誘電体薄膜を形成する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method, wherein a zinc oxide single-crystal thin-film layer having a smooth-surface is manufactured on a mica substrate with good reproducibility by promoting two-dimensional growth of zinc oxide precursors based on monomolecular adsorption by the use of a specific mica substrate and by reacting the zinc oxide precursor layer with water vapor.例文帳に追加

本発明は、特定のマイカ基板を用いて、酸化亜鉛前駆体の単分子吸着による二次元成長を行わせ、酸化亜鉛前駆体層を水蒸気と反応させることによって、平滑な酸化亜鉛単結晶薄膜層をマイカ基板上に再現性よく製造することができる製造方法を提供する。 - 特許庁