意味 | 例文 (5件) |
ar-moの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 5件
After forming a film including an Mo nitride on the glass substrate 1 as a relaxed layer 2 by a PVD method under an atmosphere that contains nitrogen gas, an Mo film is formed as the Mo electrode film 3 by the PVD method under an Ar gas atmosphere, thus reducing internal stresses of a film and preventing ready peeling.例文帳に追加
ガラス基板1上に、窒素ガスを含む雰囲気でPVD法によりMo窒化物を含む膜を緩衝層2として形成した後、Arガス雰囲気でPVD法によりMo膜をMo電極膜3として形成することで、被膜の内部応力を低減することができ、剥がれ難くできる。 - 特許庁
As the solid solution elements other than N, He, Li, B, C, O, Ne, Mg, P, S, Ar, V, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Zn, Zr, Nb, Mo, Sn, Hf, Ta and W can be cited.例文帳に追加
N以外の固溶元素としては、He,Li,B,C,O,Ne,Mg,P,S,Ar,V,Mn,Fe,Co,Ni,Cu,Zn,Zr,Nb,Mo,Sn,Hf,Ta,及びWがある。 - 特許庁
As the solid solution elements other than N, He, Li, B, C, O, Ne, Mg, P, S, Ar, Ti, V, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Zn, Zr, Nb, Mo, Sn, Hf, Ta and W are given.例文帳に追加
N以外の固溶元素としては、He,Li,B,C,O,Ne,Mg,P,S,Ar,Ti,V,Mn,Fe,Co,Ni,Cu,Zn,Zr,Nb,Mo,Sn,Hf,Ta,及びWがある。 - 特許庁
In the welding method using an argon gas containing 15-40% of carbon dioxide as a shielding gas, a vertical upward welding is carried out in a heat input condition while using a consumable electrode containing 0.5-1.0 mass % of silicon, 0.15-0.30 mass % of titanium, and 0.0010-0.0025 mass % of boron.例文帳に追加
シールドガスとして、15〜40%のCO_2を含むArガスを用いて行う溶接方法において、消耗電極として、 C:0.005〜0.06mass%、 Si:0.5〜1.0mass%、 Mn:1.5〜2.5mass%、 Ti:0.15〜0.30mass%、 Mo:0.12〜0.25mass%、 B:0.0010〜0.0025mass%、 を含む溶接ワイヤを使用し、自動溶接にて開先内でウイービングしながら、溶接入熱が7kJ/mm以上になる大入熱条件下で立向き上進溶接を実施する。 - 特許庁
Rules necessary for the forecast control are previously saved into a forecast rule saving area AR (work area) in a RAM 30d via an I/O interface 30a, by using wireless communication technology and a cooperative forecast information recording medium 31, such as IC card or magnetooptical disk (MO), for example, where data can be updated.例文帳に追加
RAM30dの予測ルール保存領域AR(ワークエリア)には、例えばICカード、光磁気ディスク(MO)のようにデータ更新可能な協調予測情報記録媒体31と無線通信技術を用い、I/Oインターフェース30aを介して予測制御に必要なルールが予め保存されている。 - 特許庁
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