えほうちょう３ちょうめの英語

六角形のパターン５の間に露出したＧａＮ層３の表面からラテラル成長法により再成長ＧａＮ層６を成長させる。例文帳に追加

A regrowth GaN layer 6 is epitaxially grown, according to lateral growth method, from the surface of the GaN layer 3 exposed among the hexagonal patterns 5. - 特許庁

(3) 局長は，局長が適切と考える方法で，発明及び特許の関連書類を作成し，発行し，更に販売することができる。例文帳に追加

(3) The Commissioner may prepare, publish and sell such documents relating to inventions and patents as the Commissioner thinks fit.発音を聞く  - 特許庁

（Ｓ）（＋）−３−（アミノメチル）−５−メチルヘキサン酸の調製方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a method for preparing (S)(+)-3-(aminomethyl)-5-methylhexanoic acid. - 特許庁

また、結晶成長方法では、石英坩堝１に、予め溶かした溶融原料３を充填する。例文帳に追加

In the method for growing a crystal, the quartz crucible 1 is filled up with the melted precursor 3 which was melted beforehand. - 特許庁

これにより回折格子２の調整作業と１／４波長板３の調整作業とを同時に行えるようにすると共に、１／４波長板３としての方向性を示す目印を必要としないようにしている。例文帳に追加

Thus, the adjusting work for the diffraction grating 2 and the adjusting work for the 1/4 wavelength plate 3 are simultaneously executed and also a mark for indicating directionality as the 1/4 wavelength plate 3 is not necessitated. - 特許庁

基板上への窒化物薄膜の成長方法において、ｃ面サファイア（Ａｌ_２ Ｏ_３ ）基板１上に＋ｃ面で成長するＧａ面２と、ｃ面サファイア（Ａｌ_２ Ｏ_３ ）基板上に−ｃ面で成長するＮ面３とを形成する。例文帳に追加

In the process for growing a nitride thin film on a substrate, a Ga face 2 growing on +c face and an N face 3 growing on -c face are formed on a c face sapphire (Al_2O_3) substrate 1. - 特許庁

この振幅変調信号を増幅器３で増幅してエミッタ４から超音波を放射し、超音波から自己復調する可聴音声の音圧を高める。例文帳に追加

The amplitude-modulated signal is amplified by an amplifier 3, ultrasonic waves are emitted from the emitter 4, and the sound pressure of the audible speech self-demodulated from ultrasonic waves is enhanced. - 特許庁

前記首部（３）の横断面は非真円、例えば楕円、長方形又は直線状の何れかである。例文帳に追加

The transverse section of the neck part (3) is not circular and is elliptic, rectangular or linear for instance. - 特許庁