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すえ乃の英語

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日英固有名詞辞典での「すえ乃」の英訳

すえ乃

日本人名前
読み方英語式ヘボン式訓令式ワープロ式
すえのSuenoSuenoSuenoSueno

「すえ乃」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 114



例文

各コラムブロックCB0至CBnを選択する選択信号S0至Snはブロック選択回路CBS0至CBSnにより生成される。例文帳に追加

Selecting signals S0-Sn selecting each column block CB0-CBn are generated by block selecting circuits CBS0-CBSn. - 特許庁

(mは0至3の整数、nは0至3の整数を表す。ただしm+nは3である。)例文帳に追加

In the formula (1), m denotes an integer of 0-3, n denotes an integer of 0-3, and m+n is 3. - 特許庁

演算部54において、初期電極温度TPI1至TPI3に応じた端子厚さ設定値XS1至XS3が演算される。例文帳に追加

A set value XS1 or XS3 of a terminal thickness corresponding to an initial temperature TPI1 or TPI3 is operated in an operation part 54. - 特許庁

また、([TiO_2]+[Al_2O_3])/[K_2O]によって表される値が10至66であり、[Al_2O_3]/[FeO+Fe_2O_3]で表される値が0.3至1.2である。例文帳に追加

Additionally, the value shown by ([TiO2]+[Al2O3])/[K2O] is 10-66, and the value shown by [Al2 O3]/[FeO+Fe2O3] is 0.3-1.2. - 特許庁

また、(Mn+Al+Mg)/(TiO_2+MgO+鉄酸化物)が0.35至0.60を満足する。例文帳に追加

Further, the ratio of (Mn+Al+Mg)/(TiO_2+MgO+iron oxide) satisfies 0.35 to 0.60. - 特許庁

エラストマーは、20至70Hs JIS Aの硬度を有している。例文帳に追加

The elastomer has hardness of JIS A of 20 to 70 Hs. - 特許庁

例文

エラストマーは、20至50Hs JIS Aの硬度を有している。例文帳に追加

The elastomer has hardness of JIS A of 20 to 50 Hs. - 特許庁

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「すえ乃」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 114



例文

バンプ接続評価端子BSHT1至3は接続配線で接続される。例文帳に追加

Bump connection evaluation terminals BSHT 1-3 are connected via connecting wrings. - 特許庁

スイッチT0至T7にチャネルセレクタ3が接続されており、このチャネルセレクタ3からスイッチT0至T7の夫々にアナログ入力端子選択信号SL0至SL7が出力される。例文帳に追加

A channel selector 3 connects to switches T0-T7 and the channel selector 3 outputs analog input terminal selection signals SL0-SL7 respectively to the switches T0-T7. - 特許庁

はんだはAg:1.0至4.0質量%、Cu:0.2至1.3質量%及びCo:0.02至0.06質量%を含有し、残部がSn及び不可避的不純物からなる。例文帳に追加

The solder contains 1.0 to 4.0 mass% Ag, 0.2 to 1.3 mass% Cu, and 0.02 to 0.06 mass% Co, with the remainder being Sn and inevitable impurities. - 特許庁

液晶駆動装置50には、バンプ接続評価端子BSHT1至3、バンプ接続抵抗測定端子BSTST1至3、位置合わせマーク(配線)IAM1至3、接続配線、及びチップ内接続配線が設けられる。例文帳に追加

A liquid crystal driving device 50 includes bump connection evaluation terminals BSHT 1-3, bump connection resistance measurement terminals BSTST 1-3, alignment marks (wiring) IAM 1-3, connection wirings and connection wirings in a chip. - 特許庁

厚み方向のレターデーション値が70至350nmであり、面内レターデーション値が20至100nmであり、アセチル基の置換度が1.5至2.3かつプロピオニル基の置換度が0.5至0.9であるセルロースエステルフイルムを偏光板保護フイルムとして用いる。例文帳に追加

A cellulose ester film which has 70 to 350 nm retardation value in the thickness direction and 20 to 100 nm retardation value in the in-plane direction and whose substitutional degrees of an acetyl group and a propionyl group are 1.5 to 2.3 and 0.5 to 0.9, respectively, is used as the polarizing plate protection film. - 特許庁

試験アクセス動作時に活性化される試験ブロック指定手段1からの試験ブロック信号ST0至STnによりコラムブロックアドレスCAq至CAq+kで選択されるブロック選択回路CBS0至CBSnに比して多数のブロック選択回路CBS0至CBSnが選択され、より多数のコラムブロックCB0至CBnを活性化することができる。例文帳に追加

Many block selecting circuits CBS0-CBSn are selected by test block signals ST0-STn from a test block specifying means 1 activated at the time of test access operation comparing with the block selecting circuits CBS0-CBSn selected by the column block addresses CAq-CAq+k, thus more column blocks CB0-CBn can be activated. - 特許庁

合成回路73は、開閉状態が制御されたゲート72−1至72−Nから出力されるRNN71−1至71−Nの出力信号sm_1(t+1)至sm_N(t+1)の総和を、時刻t+1のセンサモータ信号sm(t+1)として出力する。例文帳に追加

A composition circuit 72 outputs the total sum of output signals sm_1(t+1) to sm_N(t+1) of RNN 71-1 to 71-N output from the gates 72-1 to 72-N controlled in opening and closing state as the sensor motor signal sm(t+1) at time t+1. - 特許庁

例文

ボタン1a至5aはN、S、N、S、N極の磁石が並ぶように配列され、ボタン1b至5bはS、N、S、N、S極の磁石が並ぶように配列される。例文帳に追加

The buttons 1a-5a are arranged in the order of N, S, N, S and N, while the buttons 1b-5b are arranged in the order of S, N, S, N and S. - 特許庁

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