ちゅうたいちいきの英語

位置表示機構付き流体圧機器例文帳に追加

FLUID PRESSURE APPARATUS WITH POSITION INDICATING MECHANISM - 特許庁

高耐久性定着ベルト例文帳に追加

HIGH-DURABILITY FIXING BELT - 特許庁

次に、半導体基板１１の主面１１１を、接合材３１を介して支持体３２で支持し、半導体基板１１の裏面１１２を研削する。例文帳に追加

Next, the principal surface 111 of the semiconductor substrate 11 is supported by a support 32 using a joining material 31, and the rear side 112 of the semiconductor substrate 11 is ground. - 特許庁

その後、中間冷却部１５１の熱交換器Ｈｘ１０６、圧縮機Ｃ１１０、熱交換器Ｈｘ１０７、圧縮機Ｃ１１１、熱交換器Ｈｘ１０８を経て（状態６−１１）、圧縮機Ｃ１１２から排出される（状態１２）。例文帳に追加

Thereafter, the gas flows through the heat-exchanger Hx 106 of an intermediate cooling part 151, a compressor C 110, a heat-exchanger Hx 107, a compressor C 111, and a heat-exchanger Hx 108 (states 6-11) and discharged from a compressor C 112 (a state 12). - 特許庁

中央のリッジ部１１Ｄ，１１Ｅの窓領域１９Ｄ，１９Ｅが相対的に狭く、両端側のリッジ部１１Ａ，１１Ｈの窓領域１９Ａ，１９Ｈが相対的に広くなっている。例文帳に追加

The window regions 19D, 19E of the center ridge parts 11D, 11E are relatively narrow, and the window regions 19A, 19H of the ridge parts 11A, 11H on both end sides are relatively wide. - 特許庁

第１の半導体堆積層１１４は、第１半導体層１１４ａ、第２半導体層１１４ｂ、および電流流域層１０７ａを含む。例文帳に追加

The first semiconductor deposit layer 114 includes a fist semiconductor layer 114a, a second semiconductor layer 114b and a current catchment basin layer 107a. - 特許庁

半導体素子１は、半導体基板１１と、半導体基板１１から突出した導体ポスト部１２１とを有する。例文帳に追加

The semiconductor device 1 has a semiconductor substrate 11 and a conductor post portion 121 projecting from the semiconductor substrate 11. - 特許庁

次に、帯域制御装置（１１）と隣接する隣接帯域制御装置（１１００、１１１０、１１２０）における帯域状態を取得する。例文帳に追加

Next, the band states of adjacent band control apparatuses (1100, 1110 and 1120) adjacent to the apparatus (11) are acquired. - 特許庁